Рассмотрены история и современное состояние исследований электрофизических параметров SiC. Представлены основные методы выращивания объёмных кристаллов SiC и эпитаксиальных SiC-плёнок. Дан краткий обзор используемых для послеростовой обработки эпитаксиальных SiC-структур. Показан современный уровень, достигнутый при разработке приборов на основе SiC. Проанализированы основные проблемы, существующие при разработке SiC-приборов, и перспективы создания и развития таких приборов.
Ключевые слова: карбид кремния, объёмные кристаллы, сублимационный рост, политипы, латеральное разращивание, высоковольтные силовые диоды, высоковольтные субнаносекундные импульсные диоды, тиристоры, биполярные транзисторы, аналитические модели, численное моделирование, центр окраски, спин, сенсорика, магнитное поле, оптическое детектирование магнитных резонансов, графен, спектроскопия вынужденного комбинационного расеяния, двумерные материалы PACS:81.05.ue, 81.10.−h, 85.30.−z (все) DOI:10.3367/UFNr.2018.10.038437 URL: https://ufn.ru/ru/articles/2019/8/c/ 000504891900002 2-s2.0-85076766922 2019PhyU...62..754L Цитата: Лебедев А А, Иванов П А, Левинштейн М Е, Мохов Е Н, Нагалюк С С, Анисимов А Н, Баранов П Г "Электроника на основе SiC (к 100-летию Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН)" УФН189 803–848 (2019)
PT Journal Article
TI Электроника на основе SiC (к 100-летию Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН)
AU Лебедев А А
FAU Лебедев АА
AU Иванов П А
FAU Иванов ПА
AU Левинштейн М Е
FAU Левинштейн МЕ
AU Мохов Е Н
FAU Мохов ЕН
AU Нагалюк С С
FAU Нагалюк СС
AU Анисимов А Н
FAU Анисимов АН
AU Баранов П Г
FAU Баранов ПГ
DP 10 Aug, 2019
TA Усп. физ. наук
VI 189
IP 8
PG 803-848
RX 10.3367/UFNr.2018.10.038437
URL https://ufn.ru/ru/articles/2019/8/c/
SO Усп. физ. наук 2019 Aug 10;189(8):803-848
Поступила: 4 сентября 2018, доработана: 1 октября 2018, одобрена в печать: 4 октября 2018