Выпуски

 / 

2019

 / 

Август

  

Обзоры актуальных проблем


Электроника на основе SiC (к 100-летию Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН)

, , , , , ,
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Российская Федерация

Рассмотрены история и современное состояние исследований электрофизических параметров SiC. Представлены основные методы выращивания объёмных кристаллов SiC и эпитаксиальных SiC-плёнок. Дан краткий обзор используемых для послеростовой обработки эпитаксиальных SiC-структур. Показан современный уровень, достигнутый при разработке приборов на основе SiC. Проанализированы основные проблемы, существующие при разработке SiC-приборов, и перспективы создания и развития таких приборов.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
Ключевые слова: карбид кремния, объёмные кристаллы, сублимационный рост, политипы, латеральное разращивание, высоковольтные силовые диоды, высоковольтные субнаносекундные импульсные диоды, тиристоры, биполярные транзисторы, аналитические модели, численное моделирование, центр окраски, спин, сенсорика, магнитное поле, оптическое детектирование магнитных резонансов, графен, спектроскопия вынужденного комбинационного расеяния, двумерные материалы
PACS: 81.05.ue, 81.10.−h, 85.30.−z (все)
DOI: 10.3367/UFNr.2018.10.038437
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2019/8/c/
Цитата: Лебедев А А, Иванов П А, Левинштейн М Е, Мохов Е Н, Нагалюк С С, Анисимов А Н, Баранов П Г "Электроника на основе SiC (к 100-летию Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН)" УФН 189 803–848 (2019)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Поступила: 4 сентября 2018, доработана: 1 октября 2018, 4 октября 2018

English citation: Lebedev A A, Ivanov P A, Levinshtein M E, Mokhov E N, Nagalyuk S S, Anisimov A N, Baranov P G “SiC-based electronics (100th anniversary of the Ioffe Institute)Phys. Usp. 62 754–794 (2019); DOI: 10.3367/UFNe.2018.10.038437

Список литературы (239) Похожие статьи (20) ↓

  1. П.Г. Баранов, А.М. Калашникова и др. «Спинтроника полупроводниковых, металлических, диэлектрических и гибридных структур (к 100-летию Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН)» 189 849–880 (2019)
  2. Е.А. Екимов, М.В. Кондрин «Примесно-вакансионные комплексы в алмазе: перспективы синтеза и применений» 187 577–598 (2017)
  3. П.Б. Сорокин, Л.А. Чернозатонский «Полупроводниковые наноструктуры на основе графена» 183 113–132 (2013)
  4. И.В. Грехов, Г.А. Месяц «Полупроводниковые наносекундные диоды для размыкания больших токов» 175 735–744 (2005)
  5. Р.А. Хмельницкий «Перспективы выращивания монокристаллического алмаза большого размера» 185 143–159 (2015)
  6. П.В. Ратников, А.П. Силин «Двумерная графеновая электроника: современное состояние и перспективы» 188 1249–1287 (2018)
  7. Г.Н. Макаров «Применение лазеров в нанотехнологии: получение наночастиц и наноструктур методами лазерной абляции и лазерной нанолитографии» 183 673–718 (2013)
  8. Т.В. Перевалов, В.А. Гриценко «Применение и электронная структура диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью» 180 587–603 (2010)
  9. А.В. Елецкий, И.М. Искандарова и др. «Графен: методы получения и теплофизические свойства» 181 233–268 (2011)
  10. А.И. Жмакин «Физические основы криобиологии» 178 243–266 (2008)
  11. К.В. Ларионов, П.Б. Сорокин «Текущий прогресс в исследовании плёнок моноатомной толщины», принята к публикации
  12. В.Л. Цымбаленко «Удивительный рост граней кристалла гелия» 185 1163–1178 (2015)
  13. М.Ю. Каган, В.А. Мицкан, М.М. Коровушкин «Аномальная сверхпроводимость и сверхтекучесть в фермионных системах с отталкиванием» 185 785–815 (2015)
  14. Л.Н. Демьянец «Высокотемпературные сверхпроводники: получение монокристаллов» 161 (1) 71–142 (1991)
  15. С.Я. Килин «Квантовая информация» 169 507–527 (1999)
  16. Е.Ф. Шека, Н.А. Попова, В.А. Попова «Физика и химия графена. Эмерджентность, магнетизм, механофизика и механохимия» 188 720–772 (2018)
  17. Г.Н. Макаров «Лазерная ИК-фрагментация молекулярных кластеров: роль каналов ввода и релаксации энергии, влияние окружения, динамика фрагментации» 187 241–276 (2017)
  18. А.Е. Галашев, О.Р. Рахманова «Устойчивость графена и материалов на его основе при механических и термических воздействиях» 184 1045–1065 (2014)
  19. Д.К. Белащенко «Компьютерное моделирование жидких металлов» 183 1281–1322 (2013)
  20. И.М. Дремин, А.В. Леонидов «Кварк-глюонная среда» 180 1167–1196 (2010)

Список формируется автоматически.

© Успехи физических наук, 1918–2020
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение