RSS-ленты
РусскийEnglish
Выпуск 9, 2026
Том год страница
Выпуски Авторы PACS Подписчикам Для авторов

Выпуски

 / 

2019

 / 

август

←  →

Обзоры актуальных проблем


Электроника на основе SiC (к 100-летию Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН)

, , , , , ,
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Политехническая ул. 26, Санкт-Петербург, 194021, Российская Федерация

Рассмотрены история и современное состояние исследований электрофизических параметров SiC. Представлены основные методы выращивания объёмных кристаллов SiC и эпитаксиальных SiC-плёнок. Дан краткий обзор используемых для послеростовой обработки эпитаксиальных SiC-структур. Показан современный уровень, достигнутый при разработке приборов на основе SiC. Проанализированы основные проблемы, существующие при разработке SiC-приборов, и перспективы создания и развития таких приборов.

Текст pdf (2 Мб)
English fulltext is available at DOI: 10.3367/UFNe.2018.10.038437
Ключевые слова: карбид кремния, объёмные кристаллы, сублимационный рост, политипы, латеральное разращивание, высоковольтные силовые диоды, высоковольтные субнаносекундные импульсные диоды, тиристоры, биполярные транзисторы, аналитические модели, численное моделирование, центр окраски, спин, сенсорика, магнитное поле, оптическое детектирование магнитных резонансов, графен, спектроскопия вынужденного комбинационного расеяния, двумерные материалы
PACS: 81.05.ue, 81.10.−h, 85.30.−z (все)
DOI: 10.3367/UFNr.2018.10.038437
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2019/8/c/
000504891900002
2-s2.0-85076766922
2019PhyU...62..754L
Цитата: Лебедев А А, Иванов П А, Левинштейн М Е, Мохов Е Н, Нагалюк С С, Анисимов А Н, Баранов П Г "Электроника на основе SiC (к 100-летию Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН)" УФН 189 803–848 (2019)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

поступила: 4 сентября 2018, доработана: 1 октября 2018, 4 октября 2018

English citation: Lebedev A A, Ivanov P A, Levinshtein M E, Mokhov E N, Nagalyuk S S, Anisimov A N, Baranov P G “SiC-based electronics (100th anniversary of the Ioffe Institute)” Phys. Usp. 62 754–794 (2019); DOI: 10.3367/UFNe.2018.10.038437

Список литературы (239) Статьи, ссылающиеся на эту (18) Похожие статьи (20) ↓

  1. П.Г. Баранов, А.М. Калашникова и др. «Спинтроника полупроводниковых, металлических, диэлектрических и гибридных структур (к 100-летию Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН)» УФН 189 849–880 (2019)
  2. К.В. Ларионов, П.Б. Сорокин «Исследование плёнок моноатомной толщины: современное состояние» УФН 191 30–51 (2021)
  3. И.В. Грехов, Г.А. Месяц «Полупроводниковые наносекундные диоды для размыкания больших токов» УФН 175 735–744 (2005)
  4. П.Б. Сорокин, Л.А. Чернозатонский «Полупроводниковые наноструктуры на основе графена» УФН 183 113–132 (2013)
  5. В.М. Пудалов «Измерение магнитных свойств электронов проводимости» УФН 191 3–29 (2021)
  6. Е.А. Екимов, М.В. Кондрин «Примесно-вакансионные комплексы в алмазе: перспективы синтеза и применений» УФН 187 577–598 (2017)
  7. П.В. Ратников, А.П. Силин «Двумерная графеновая электроника: современное состояние и перспективы» УФН 188 1249–1287 (2018)
  8. Т.В. Перевалов, В.А. Гриценко «Применение и электронная структура диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью» УФН 180 587–603 (2010)
  9. Ю.Б. Болховитянов, О.П. Пчеляков «Эпитаксия GaAs на кремниевых подложках: современное состояние исследований и разработок» УФН 178 459–480 (2008)
  10. Р.А. Хмельницкий «Перспективы выращивания монокристаллического алмаза большого размера» УФН 185 143–159 (2015)
  11. Г.Н. Макаров «Применение лазеров в нанотехнологии: получение наночастиц и наноструктур методами лазерной абляции и лазерной нанолитографии» УФН 183 673–718 (2013)
  12. Е.Д. Эйдельман «Термоэлектрический эффект и термоэлектрический генератор на основе углеродных наноструктур: достижения и перспективы» УФН 191 561–585 (2021)
  13. Л.Н. Демьянец «Высокотемпературные сверхпроводники: получение монокристаллов» УФН 161 (1) 71–142 (1991)
  14. М.В. Рыбин, М.Ф. Лимонов «Резонансные эффекты в фотонных кристаллах и метаматериалах (к 100-летию Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН)» УФН 189 881–898 (2019)
  15. Ф.Ф. Комаров «Дефектообразование и трекообразование в твердых телах при облучении ионами сверхвысоких энергий» УФН 173 1287–1318 (2003)
  16. А.И. Жмакин «Физические основы криобиологии» УФН 178 243–266 (2008)
  17. А.Е. Галашев, О.Р. Рахманова «Устойчивость графена и материалов на его основе при механических и термических воздействиях» УФН 184 1045–1065 (2014)
  18. А.В. Елецкий, И.М. Искандарова и др. «Графен: методы получения и теплофизические свойства» УФН 181 233–268 (2011)
  19. С. Пенье, А.В. Смилга «Энергетические потери в релятивистской плазме: квантовая хромодинамика в сравнении с квантовой электродинамикой» УФН 179 697–726 (2009)
  20. П.С. Стрелков «Экспериментальная плазменная релятивистская сверхвысокочастотная электроника» УФН 189 494–517 (2019)

Список формируется автоматически.
© Успехи физических наук, 1918–2026
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение