Выпуски

 / 

2019

 / 

Август

  

Обзоры актуальных проблем


Электроника на основе SiC (к 100-летию Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН)

, , , , , ,
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Российская Федерация

Рассмотрены история и современное состояние исследований электрофизических параметров SiC. Представлены основные методы выращивания объёмных кристаллов SiC и эпитаксиальных SiC-плёнок. Дан краткий обзор используемых для послеростовой обработки эпитаксиальных SiC-структур. Показан современный уровень, достигнутый при разработке приборов на основе SiC. Проанализированы основные проблемы, существующие при разработке SiC-приборов, и перспективы создания и развития таких приборов.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
Ключевые слова: карбид кремния, объёмные кристаллы, сублимационный рост, политипы, латеральное разращивание, высоковольтные силовые диоды, высоковольтные субнаносекундные импульсные диоды, тиристоры, биполярные транзисторы, аналитические модели, численное моделирование, центр окраски, спин, сенсорика, магнитное поле, оптическое детектирование магнитных резонансов, графен, спектроскопия вынужденного комбинационного расеяния, двумерные материалы
PACS: 81.05.ue, 81.10.−h, 85.30.−z (все)
DOI: 10.3367/UFNr.2018.10.038437
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2019/8/c/
Цитата: Лебедев А А, Иванов П А, Левинштейн М Е, Мохов Е Н, Нагалюк С С, Анисимов А Н, Баранов П Г "Электроника на основе SiC (к 100-летию Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН)" УФН 189 803–848 (2019)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Поступила: 4 сентября 2018, доработана: 1 октября 2018, 4 октября 2018

English citation: Lebedev A A, Ivanov P A, Levinshtein M E, Mokhov E N, Nagalyuk S S, Anisimov A N, Baranov P G “SiC-based electronics (100th anniversary of the Ioffe Institute)Phys. Usp. 62 754–794 (2019); DOI: 10.3367/UFNe.2018.10.038437

Список литературы (239) ↓ Статьи, ссылающиеся на эту (1) Похожие статьи (20)

  1. Acheson E G Chem. News 68 179 (1893)
  2. Pensl G, Helbig R Festkörperprobleme 30 (Advances in Solid State Physics) Vol. 30 (Ed. V Rössler) (Berlin: Springer, 1990) p. 133
  3. Round N J Electrical World 30 309 (1907)
  4. Лосев О В ЖТФ 1 718 (1931)
  5. Lely J A Berichte Deutschen Keramischen Gesellschaft 32 229 (1955)
  6. Vodakov Yu A et al Krist. Tech. 14 729 (1979)
  7. Tairov Yu M, Tsvetkov V F J. Cryst. Growth 43 209 (1978)
  8. Chaussende D et al Mater. Sci. Forum 778-780 3 (2014)
  9. Nishino S, Powell J A, Will N A Appl. Phys. Lett. 42 460 (1983)
  10. Kong H S et al Appl. Phys. Lett. 51 442 (1987)
  11. Аристов В Ю УФН 171 801 (2001); Aristov V Yu Phys. Usp. 44 761 (2001)
  12. Edmond J A, Kong H-S, Carter C H (Jr.) Physica B 185 453 (1993)
  13. Palmour J W et al Physica B 185 461 (1993)
  14. Johnson E O RCA Rev. 26 163 (1965)
  15. Вавилов В С УФН 164 287 (1994); Vavilov V S Phys. Usp. 37 269 (1994)
  16. Лебедев А А, Челноков В Е ФТП 33 1096 (1999); Lebedev A A, Chelnokov V E Semiconductors 33 999 (1999)
  17. Yong L et al J. Semicond. 34 054007 (2013)
  18. Вавилов В С УФН 166 807 (1996); Vavilov V S Phys. Usp. 39 757 (1996)
  19. Leonard R T et al Mater. Sci. Forum 600-603 7 (2009)
  20. Choi J-W et al Mater. Sci. Forum 924 23 (2018)
  21. Jenny J R et al Mater. Sci. Forum 457-460 35 (2004)
  22. Водаков Ю А, Мохов Е Н Авторское свид. №403275 (1970); Patent USA No. 414572 (1979)
  23. Mokhov E N et al Mater. Sci. Eng. B 46 317 (1997)
  24. Vodakov Yu A, Mokhov E N Vacuum Science and Technology. Nitrides as Seen by the Technology (Eds T Paskova, B Monemar) (Trivandrum: Research Signpost, 2002) p. 59
  25. Mokhov E N et al J. Cryst. Growth 281 93 (2005)
  26. Mokhov E N et al J. Cryst. Growth 181 254 (1997)
  27. Karpov S Yu et al J. Cryst. Growth 173 408 (1997)
  28. Segal A S et al J. Cryst. Growth 208 431 (2000)
  29. Simin D et al Phys. Rev. X 6 031014 (2016)
  30. Fuchs F Sci. Rep. 3 1637 (2013)
  31. Водаков Ю А, Ломакина Г А, Мохов Е Н ФТТ 24 1377 (1982); Vodakov Yu A, Lomakina G A, Mokhov E N Sov. Phys. Solid State 24 780 (1982)
  32. Vodakov Yu A et al Patent USA No. 6,428, 621 B1, Aug. 6 (2002)
  33. Matukov I D et al J. Cryst. Growth 266 313 (2004)
  34. Argunova T S et al CrystEngComm 16 8917 (2014)
  35. Мохов Е Н, Нагалюк С С Письма в ЖТФ 37 (21) 25 (2011); Mokhov E N, Nagalyuk S S Tech. Phys. Lett. 37 999 (2011)
  36. Mokhov E N, Nagaluik S S, Soltamov V A Mater. Sci. Forum 897 7 (2017)
  37. Kimoto T, Cooper J A Fundamentals of Silicon Carbide Technology: Growth, Characterization, Devices and Applications (Singapore: Wiley, 2014)
  38. Ivanov P A, Ignat'ev K I Mater. Sci. Forum 264-268 809 (1998)
  39. Иванов П А, Потапов А С, Самсонова Т П ФТП 43 197 (2009); Ivanov P A, Potapov A S, Samsonova T P Semiconductors 43 185 (2009)
  40. Потапов А С, Иванов П А, Самсонова Т П ФТП 43 640 (2009); Potapov A S, Ivanov P A, Samsonova T P Semiconductors 43 612 (2009)
  41. Иванов П А и др ФТП 47 83 (2013); Ivanov P A et al Semiconductors 47 81 (2013)
  42. Грехов И В и др ФТП 42 211 (2008); Grekhov I V et al Semiconductors 42 211 (2008)
  43. Иванов П А и др ФТП 42 878 (2008); Ivanov P A et al Semiconductors 42 858 (2008)
  44. Иванов П А и др ФТП 43 527 (2009); Ivanov P A et al Semiconductors 43 505 (2009)
  45. Иванов П А и др ФТП 44 680 (2010); Ivanov P A et al Semiconductors 44 653 (2010)
  46. Иванов П А и др ФТП 45 1427 (2011); Ivanov P A et al Semiconductors 45 1374 (2011)
  47. Иванов П А и др ФТП 46 411 (2012); Ivanov P A et al Semiconductors 46 397 (2012)
  48. Иванов П А и др ФТП 43 1249 (2009); Ivanov P A et al Semiconductors 43 1209 (2009)
  49. Иванов П А и др ФТП 45 677 (2011); Ivanov P A et al Semiconductors 45 668 (2011)
  50. Sze S M Physics of Semiconductor Devices (New York: Wiley, 1981); Пер. на русск. яз., Зи С Физика полупроводниковых приборов Т. 1 (М.: Мир, 1984)
  51. Gerardi G J et al Appl. Phys. Lett. 49 348 (1986)
  52. Ivanov P A 2nd European Conf. on Silicon Carbide and Related Materials, September 2 - 4, 1998, Montpellier, France. p. 303
  53. Иванов П А и др Письма в ЖТФ 23 (10) 55 (1997); Ivanov P A et al Tech. Phys. Lett. 23 798 (1997)
  54. Waldrop J R et al J. Appl. Phys. 72 4757 (1992)
  55. Андреев А Н и др ФТП 29 1828 (1995); Andreev A N et al Semiconductors 29 957 (1995)
  56. Афанасьев А В и др ЖТФ 71 (5) 78 (2001); Afanas'ev A V et al Tech. Phys. 46 584 (2001)
  57. Ferrero S et al Mater. Sci. Forum 483-485 733 (2005)
  58. Anantharam V, Bhat K N IEEE Trans. Electron Dev. 27 939 (1980)
  59. Baliga B J, Ghandhi S K Solid-State Electron. 19 739 (1976)
  60. Suh K-D et al Solid-State Electron. 33 1125 (1990)
  61. Wahab Q et al Appl. Phys. Lett. 76 2725 (2000)
  62. Hull B et al Mater. Sci. Forum 600-603 931 (2009)
  63. Иванов П А и др ФТП 51 390 (2017); Ivanov P A et al Semiconductors 51 374 (2017)
  64. Иванов П А, Самсонова Т П, Потапов А С ФТП 52 1527 (2018); Ivanov P A, Samsonova T P, Potapov A S Semiconductors 52 1630 (2018)
  65. Иванов П А и др Радиотехника и электроника (2019), в печати
  66. Иванов П А и др ФТП 52 1187 (2018); Ivanov P A et al Semiconductors 52 1307 (2018)
  67. Козловский В В Модифицирование полупроводников пучками протонов (СПб.: Наука, 2003)
  68. RENESAS, AN1968, Nov 9, 2015, https://www.intersil.com/content/dam/Intersil/documents/an19/an1968.pdf
  69. Грехов И В, Месяц Г А УФН 175 735 (2005); Grekhov I V, Mesyats G A Phys. Usp. 48 703 (2005)
  70. Grekhov I V et al Solid-State Electron. 47 1769 (2003)
  71. Грехов И В и др ФТП 37 1148 (2003); Grekhov I V et al Semiconductors 37 1123 (2003)
  72. Иванов П А, Грехов И В ФТП 46 544 (2012); Ivanov P A, Grekhov I V Semiconductors 46 528 (2012)
  73. Иванов П А, Грехов И В ЖТФ 85 (6) 111 (2015); Ivanov P A, Grekhov I V Tech. Phys. 60 897 (2015)
  74. Иванов П А, Грехов И В ЖТФ 86 (2) 85 (2016); Ivanov P A, Grekhov I V Tech. Phys. 61 240 (2016)
  75. Иванов П А, Грехов И В ЖТФ 88 (1) 89 (2018); Ivanov P A, Grekhov I V Tech. Phys. 63 86 (2018)
  76. Иванов П А и др ФТП 50 900 (2016); Ivanov P A et al Semiconductors 50 883 (2016)
  77. Ivanov P A et al Solid-State Electron. 123 15 (2016)
  78. Hjelm M et al J. Appl. Phys. 93 1099 (2003)
  79. Bellotti E et al Int. J. High Speed Electron. Syst. 11 525 (2001)
  80. Иванов П А и др ФТП 49 1558 (2015); Ivanov P A et al Semiconductors 49 1511 (2015)
  81. Иванов П А и др Письма в ЖТФ 44 (6) 11 (2018); Ivanov P A et al Tech. Phys. Lett. 44 229 (2018)
  82. Dmitriev V A et al Electron. Lett. 24 1031 (1988)
  83. Baier R et al Phys. Lett. B 345 277 (1995)
  84. Levinshtein M E et al SiC Materials and Devices Vol. 1 (Eds M Shur, S Rumyantsev, M Levinshtein) (Singapore: World Scientific, 2006)
  85. Rumyantsev S L et al Semicond. Sci. Technol. 28 125017 (2013)
  86. Rumyantsev S L et al Mater. Sci. Forum 821-823 893 (2015)
  87. O'Brien H et al Mater. Sci. Forum 717-720 1155 (2012)
  88. Dyakonova N V et al Electron. Lett. 33 914 (1997)
  89. Levinshtein M E et al IEEE Trans. Electron Dev. 45 307 (1998)
  90. Levinshtein M E et al Semicond. Sci. Technol. 14 207 (1999)
  91. Ivanov P A et al Solid-State Electron. 44 2155 (2000)
  92. Levinshtein M E et al Solid-State Electron. 47 699 (2003)
  93. Rezaei M A et al Mater. Sci. Forum 778-780 1021 (2014)
  94. Dyakonova N V et al Semicond. Sci. Technol. 13 241 (1998)
  95. Cao L, Li B, Zhao J H Solid-State Electron. 44 347 (2000)
  96. Bergman G D Solid-State Electron. 8 757 (1965)
  97. Levinshtein M E et al Solid-State Electron. 45 453 (2001)
  98. Mnatsakanov T T et al Solid-State Electron. 46 525 (2002)
  99. Mnatsakanov T T, Rostovtsev I L, Philatov N I Solid-State Electron. 30 579 (1987)
  100. Levinshtein M E et al IEEE Trans. Electron Dev. 48 1703 (2001)
  101. Mnatsakanov T T et al Solid-State Electron. 46 525 (2002)
  102. Mnatsakanov T T et al Solid-State Electron. 47 1581 (2003)
  103. Мнацаканов Т Т, Юрков С Н, Тандоев А Г ФТП 39 372 (2005); Mnatsakanov T T, Yurkov S N, Tandoev A G Semiconductors 39 354 (2005)
  104. Yurkov S N et al Semicond. Sci. Technol. 29 125012 (2014)
  105. Xie K et al IEEE Electron Dev. Lett. 17 142 (1996)
  106. Agarwal A K et al IEEE Electron Dev. Lett. 18 518 (1997)
  107. Li B, Cao L, Zhao J H IEEE Electron Dev. Lett. 20 219 (1999)
  108. Agarwal A K et al Semicond. Sci. Technol. 16 260 (2001)
  109. Ivanov P A et al Electron. Lett. 35 1382 (1999)
  110. Levinshtein M E et al Solid-State Electron. 46 1953 (2002)
  111. Weiser K et al Trans. AIME 230 271 (1964)
  112. Uvarov A I Physics of p - n Junctions and Semiconductor Devices (Eds S M Ryvkin, Yu V Shmartsev) (New York: Consultants Bureau, 1971) p. 170
  113. Uvarov A I Physics of p - n Junctions and Semiconductor Devices (Eds S M Ryvkin, Yu V Shmartsev) (New York: Consultants Bureau, 1971) p. 216
  114. Suzuki M et al IEEE Trans. Electron Dev. 29 1222 (1982)
  115. Dodson H, Longini R L IEEE Trans. Electron. Dev. 13 478 (1966)
  116. Вайнштейн С Н, Жиляев Ю В, Левинштейн М Е ФТП 21 129 (1987)
  117. Gentry F E et al Semiconductor Controlled Rectifiers. Principles and Applications of p - n - p - n Devices (Englewood Cliffs, NJ: Prentice-Hall, 1964)
  118. Blicher A Thyristor Physics (New York: Springer-Verlag, 1976)
  119. Gerlach W Thyristoren (Heidelberg: Springer-Verlag, 1981)
  120. Korobov V, Mitin V J. Appl. Phys. 79 1143 (1996)
  121. Elasser A, Chow T P Proc. IEEE 90 969 (2002)
  122. Yurkov S N et al Solid-State Electron. 49 2011 (2005)
  123. Levinshtein M E et al Semicond. Sci. Technol. 20 793 (2005)
  124. Кузьмин В А (Ред.) Расчет силовых полупроводниковых приборов (М.: Энергия, 1980)
  125. Auston D H Appl. Phys. Lett. 26 101 (1975)
  126. Hur J H et al IEEE Trans. Electron Dev. 37 2520 (1990)
  127. Korobov V, Mitin V J. Appl. Phys. 79 1143 (1996)
  128. Levinshtein M E et al Electron. Lett. 38 592 (2002)
  129. Dheilly N et al Electron. Lett. 47 459 (2011)
  130. Rumyantsev S L et al Semicond. Sci. Technol. 27 015012 (2012)
  131. Левинштейн М Е et al ФТП 46 1224 (2012); Levinshtein M E et al Semiconductors 46 1201 (2012)
  132. Дьяконов М И, Левинштейн М Е ФТП 12 729 (1978); D'yakonov M I, Levinshtein M E et al Sov. Phys. Semicond. 12 426 (1978)
  133. Дьяконов М И, Левинштейн М Е ФТП 12 1674 (1978); D'yakonov M I, Levinshtein M E et al Sov. Phys. Semicond. 12 992 (1978)
  134. Yuferev V S, Levinshtein M E, Palmour J W Semicond. Sci. Technol. 27 035004 (2012)
  135. Юферев В С, Левинштейн М Е, Palmour J W ФТП 47 118 (2013); Yuferev V S, Levinshtein M E, Palmour J W Semiconductors 47 116 (2013)
  136. Yuferev V S, Levinshtein M E, Palmour J W Semicond. Sci. Technol. 28 105009 (2013)
  137. Левинштейн М Е и др ФТП 50 408 (2016); Levinshtein M E et al Semiconductors 50 404 (2016)
  138. Rumyantsev S L et al Semicond. Sci. Technol. 29 115003 (2014)
  139. Mnatsakanov T T et al Semicond. Sci. Technol. 29 055005 (2014)
  140. Luo Y, Fursin L, Zhao J H Electron. Lett. 36 1496 (2000)
  141. Tang Y, Fedison J B, Chow T P IEEE Electron Dev. Lett. 22 119 (2001)
  142. Ryu S et al IEEE Electron Dev. Lett. 22 124 (2001)
  143. Zhang J et al Electron. Lett. 40 1381 (2004)
  144. Miyake H, Kimoto T, Suda J IEEE Electron Dev. Lett. 32 841 (2011)
  145. Zhang J et al IEEE Electron Dev. Lett. 27 368 (2006)
  146. Ivanov P A et al Solid-State Electron. 46 567 (2002)
  147. Ivanov P A et al IEEE Trans. Electron Dev. 53 1245 (2006)
  148. Иванов П А и др ФТП 39 897 (2005); Ivanov P A et al Semiconductors 39 861 (2005)
  149. Balachandran S et al IEEE Electron Dev. Lett. 26 470 (2005)
  150. Ghandi R et al Mater. Sci. Forum 679-680 706 (2011)
  151. Gao Y PhD Thesis (2007); Gao Y (2008) https://repository.lib.ncsu.edu/handle/1840.16/4818
  152. Buono B et al IEEE Trans. Electron Dev. 58 2081 (2011)
  153. Yuferev V S et al Solid-State Electron. 123 130 (2016)
  154. Vainshtein S N, Yuferev V S, Kostamovaara J T IEEE Trans. Electron Dev. 49 142 (2002)
  155. Vainshtein S et al Phys. Rev. Lett. 99 176601 (2007)
  156. Vainshtein S et al Appl. Phys. Lett. 100 073505 (2012)
  157. Dmitriev A P et al J. Appl. Phys. 123 134503 (2018)
  158. Gert A V et al Appl. Phys. Lett. 111 203503 (2017)
  159. Levinshtein M E et al Solid-State Electron. 48 491 (2004)
  160. Ivanov P A et al Semicond. Sci. Technol. 25 045030 (2010)
  161. Степаненко И П Основы теории транзисторов и транзисторных схем (М. - Л.: Госэнергоиздат, 1963)
  162. Юферев В С и др ФТП 51 1243 (2017); Yuferev V S et al Semiconductors 51 1194 (2017)
  163. Kordina O et al Appl. Phys. Lett. 67 1561 (1995)
  164. Sugawara Y et al Proc. of Intern. Symp. on Power Semiconductor Devices and Ics, Osaka, Japan p. 27
  165. Mnatsakanov T T et al Semicond. Sci. Technol. 20 62 (2005)
  166. Mnatsakanov T T et al J. Appl. Phys. 99 074503 (2006)
  167. Мнацаканов Т Т и др ФТП 41 1401 (2007); Mnatsakanov T T et al Semiconductors 41 1381 (2007)
  168. Ivanov P A et al Solid-State Electron. 50 1368 (2006)
  169. Miyazawa T et al J. Appl. Phys. 118 085702 (2015)
  170. Lax B, Neustadter T J. Appl. Phys. 25 1148 (1954)
  171. Gossick B R J. Appl. Phys. 27 905 (1956)
  172. Levinshtein M E et al Electron. Lett. 39 689 (2003)
  173. Levinshtein M E et al Solid-State Electron. 48 807 (2004)
  174. Levinshtein M E et al Electron. Lett. 36 1241 (2000)
  175. Levinshtein M E et al Solid-State Electron. 52 1802 (2008)
  176. Levinshtein M E et al Semicond. Sci. Technol. 23 085011 (2008)
  177. Dannhäuser F Solid-State Electron. 15 1371 (1972)
  178. Höpfel R A et al Phys. Rev. Lett. 56 2736 (1986)
  179. Mnatsakanov T T et al J. Appl. Phys. 93 1095 (2003)
  180. Мнацаканов Т Т, Ростовцев И Л, Филатов Н И ФТП 18 1293 (1984); Mnatsakanov T T, Rostovtsev I L, Filatov N I Sov. Phys. Semicond. 18 807 (1984)
  181. Levinshtein M E, Mnatsakanov T T IEEE Trans. Electron Dev. 49 702 (2002)
  182. Levinshtein M E et al Semicond. Sci. Technol. 26 055024 (2011)
  183. Herlet A Solid-State Electron. 11 717 (1968)
  184. Jenny J R et al J. Appl. Phys. 100 113710 (2006)
  185. Кузьмин В А и др Радиотехника и электроника 33 609 (1989)
  186. Mnatsakanov T T et al Semicond. Sci. Technol. 24 125010 (2009)
  187. Levinshtein M E et al Solid-State Electron. 51 955 (2007)
  188. Gruber A et al Science 276 2012 (1997)
  189. Jelezko F, Wrachtrup J Phys. Status Solidi A 203 3207 (2006)
  190. Баранов П Г и др Письма в ЖЭТФ 82 494 (2005); Baranov P G et al JETP Lett. 82 441 (2005)
  191. Баранов П Г и др Письма в ЖЭТФ 86 231 (2007); Baranov P G et al JETP Lett. 86 202 (2007)
  192. Weber J R et al Proc. Natl. Acad. Sci. USA 107 8513 (2010)
  193. Baranov P G et al Phys. Rev. B 83 125203 (2011)
  194. Riedel D et al Phys. Rev. Lett. 109 226402 (2012)
  195. Kraus H et al Sci. Rep. 4 5303 (2014)
  196. Kraus H et al Nature Phys. 10 157 (2014)
  197. Simin D et al Phys. Rev. X 6 031014 (2016)
  198. Widmann M et al Nature Mater. 14 164 (2015)
  199. Christle D J et al Nature Mater. 14 160 (2015)
  200. Anisimov A N et al Sci. Rep. 6 33301 (2016)
  201. Soltamov V A et al Phys. Rev. Lett. 115 247602 (2015)
  202. Anisimov A N et al Appl. Magn. Reson. 49 85 (2018)
  203. Baranov P G et al Magnetic Resonance of Semiconductors and Their Nanostructures. Basic and Advanced Applications (Springer Series in Materials Science) Vol. 253 (New York: Springer, 2017)
  204. von Bardeleben H J et al Phys. Rev. B 94 121202(R) (2016)
  205. Carter S G et al Phys. Rev. B 92 161202(R) (2015)
  206. Баранов П Г (2014) с. Патент РФ №2523744
  207. Анисимов А Н (2017) с. Патент РФ №2617293
  208. Анисимов А Н (2017) с. Патент РФ №2617194
  209. Бабунц Р А (2017) с. Патент РФ №2607840
  210. Бабунц Р А (2016) с. Патент РФ №2601734
  211. Анисимов А Н и др Письма в ЖТФ 43 (7) 70 (2017); Anisimov A N et al Tech. Phys. Lett. 43 355 (2017)
  212. Анисимов А Н и др Письма в ЖТФ 42 (12) 22 (2016); Anisimov A N et al Tech. Phys. Lett. 42 618 (2016)
  213. Солтамов В А, Баранов П Г УФН 186 678 (2016); Soltamov V A, Baranov P G Phys. Usp. 59 605 (2016)
  214. Anisimov A N et al Письма в ЖЭТФ 104 82 (2016); Anisimov A N et al JETP Lett. 104 82 (2016)
  215. Солтамов В А и др ФТТ 57 877 (2015); Soltamov V A Phys. Solid State 57 891 (2015)
  216. Simin D et al Phys. Rev. Appl. 4 014009 (2015)
  217. Novoselov K S et al Nature 490 192 (2012)
  218. Елецкий А В и др УФН 181 233 (2011); Eletskii A V et al Phys. Usp. 54 227 (2011)
  219. Лебедев А А и др ФТП 45 634 (2011); Lebedev A A et al Semiconductors 45 623 (2011)
  220. Geng Z et al Ann. Physik 529 1700033 (2017)
  221. Robinson J A et al Nano Lett. 11 3875 (2011)
  222. Emtsev K V et al Nature Mater. 8 203 (2009)
  223. Kruskopf M et al 2D Mater. 3 041002 (2016)
  224. Händel B et al Appl. Surf. Sci. 291 87 (2014)
  225. Давыдов В Ю и др ФТП 51 1116 (2017); Davydov V Yu et al Semiconductors 51 1072 (2017)
  226. Cançado L G et al Nano Lett. 11 3190 (2011)
  227. Ganesan K et al Phys. Chem. Chem. Phys. 18 22160 (2016)
  228. Ferrari A C, Basko D M Nature Nanotechnol. 8 235 (2013)
  229. Лебедев С П и др Письма в ЖТФ 43 (18) 64 (2017); Lebedev S P et al Tech. Phys. Lett. 43 849 (2017)
  230. Schedin F et al Nature Mater. 6 652 (2007)
  231. Usikov A et al Key Eng. Mater. 799 197 (2019)
  232. Novikov S et al IEEE Trans. Instrum. Measur. 62 1859 (2013)
  233. Tedesco J L et al Appl. Phys. Lett. 95 122102 (2009)
  234. Novikov S et al Sensors Actuators B 236 1054 (2016)
  235. Егоров А М, Осипов А П, Дзантиев Б Б Теория и практика иммуноферментного анализа (М.: Высшая школа, 1991) с. 288
  236. Jorbágy A, Király K Biochem. Biophys. Acta BBA Gen. Subjects 124 166 (1966)
  237. Tengerdy R P, Chang C-A Analyt. Biochem. 16 377 (1966)
  238. Tehrani Z et al 2D Mater. 1 025004 (2014)
  239. Лебедев А А и др Письма в ЖТФ 42 (14) 28 (2016); Lebedev A A et al Tech. Phys. Lett. 42 729 (2016)

© Успехи физических наук, 1918–2020
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение