Электроника на основе SiC (к 100-летию Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН)

Рассмотрены история и современное состояние исследований электрофизических параметров SiC. Представлены основные методы выращивания объёмных кристаллов SiC и эпитаксиальных SiC-плёнок. Дан краткий обзор используемых для послеростовой обработки эпитаксиальных SiC-структур. Показан современный уровень, достигнутый при разработке приборов на основе SiC. Проанализированы основные проблемы, существующие при разработке SiC-приборов, и перспективы создания и развития таких приборов.

Текст pdf (2 Мб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.3367/UFNe.2018.10.038437

Ключевые слова: карбид кремния, объёмные кристаллы, сублимационный рост, политипы, латеральное разращивание, высоковольтные силовые диоды, высоковольтные субнаносекундные импульсные диоды, тиристоры, биполярные транзисторы, аналитические модели, численное моделирование, центр окраски, спин, сенсорика, магнитное поле, оптическое детектирование магнитных резонансов, графен, спектроскопия вынужденного комбинационного расеяния, двумерные материалы
PACS: 81.05.ue, 81.10.−h, 85.30.−z (все)
DOI: 10.3367/UFNr.2018.10.038437
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2019/8/c/
Web of Science

000504891900002
Scopus

2-s2.0-85076766922
ADS NASA

2019PhyU...62..754L
Цитата: Лебедев А А, Иванов П А, Левинштейн М Е, Мохов Е Н, Нагалюк С С, Анисимов А Н, Баранов П Г "Электроника на основе SiC (к 100-летию Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН)" УФН 189 803–848 (2019)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Поступила: 4 сентября 2018, доработана: 1 октября 2018, одобрена в печать: 4 октября 2018

English citation: Lebedev A A, Ivanov P A, Levinshtein M E, Mokhov E N, Nagalyuk S S, Anisimov A N, Baranov P G “SiC-based electronics (100th anniversary of the Ioffe Institute)” Phys. Usp. 62 754–794 (2019); DOI: 10.3367/UFNe.2018.10.038437