Выпуски

 / 

2013

 / 

Октябрь

  

Из текущей литературы


Механизмы переноса электронов и дырок в диэлектрических плёнках

 а,  б
а Институт автоматики и электрометрии СО РАН, просп. Акад. Коптюга 1, Новосибирск, 630090, Российская Федерация
б Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, просп. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация

Представлен обзор механизмов транспорта электронов и дырок в основных аморфных диэлектриках кремниевых приборов: оксиде и нитриде кремния, оксиде алюминия. Установлено, что широко распространённая модель Френкеля формально описывает перенос в диэлектриках с ловушками, однако для количественного согласия необходимо использовать нефизичные параметры модели. Показано, что перенос заряда в диэлектриках с ловушками непротиворечиво описывается многофононной моделью ионизации ловушек.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
PACS: 72.20.Ht, 72.20.Jv, 72.80.Sk, 73.40.Sx (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0183.201310h.1099
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2013/10/h/
Цитата: Насыров К А, Гриценко В А "Механизмы переноса электронов и дырок в диэлектрических плёнках" УФН 183 1099–1114 (2013)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Поступила: 4 марта 2013, 11 июня 2013

English citation: Nasyrov K A, Gritsenko V A “Transport mechanisms of electrons and holes in dielectric filmsPhys. Usp. 56 999–1012 (2013); DOI: 10.3367/UFNe.0183.201310h.1099

Список литературы (80) ↓ Статьи, ссылающиеся на эту (23) Похожие статьи (3)

  1. Гриценко В А УФН 178 727 (2008); Gritsenko V A Phys. Usp. 51 699 (2008)
  2. Kingon A I, Maria J-P, Streiffer S K Nature 406 1032 (2000)
  3. Wilk G D, Wallace R M, Anthony J M J. Appl. Phys. 89 5243 (2001)
  4. Robertson J Eur. Phys. J. Appl. Phys. 28 265 (2004)
  5. Перевалов Т В, Гриценко В А УФН 180 587 (2010); Perevalov T V, Gritsenko V A Phys. Usp. 53 561 (2010)
  6. Roizin Y, Gritsenko V Dielectric Films for Advanced Microelectronics (Eds M Baklanov, M Green, K Maex) (Chichester: John Wiley & Sons, 2007) p. 251
  7. Насыров К А и др. ЖЭТФ 129 926 (2006); Nasyrov K A et al. JETP 102 810 (2006)
  8. Гриценко В А и др. Диэлектрики в наноэлектронике (Отв. ред. А Л Асеев) (Новосибирск: Изд-во СО РАН, 2010)
  9. Lee C-H, Park K-C, Kim K Appl. Phys. Lett. 87 073510 (2005)
  10. Насыров К А, Шаймеев С С, Гриценко В А ЖЭТФ 136 910 (2009); Nasyrov K A, Shaimeev S S, Gritsenko V A JETP 109 786 (2009)
  11. Goguenheim D et al. J. Non-Cryst. Solids 245 41 (1999)
  12. Endoh T et al. J. Appl. Phys. 86 2095 (1999)
  13. Maex K et al. J. Appl. Phys. 93 8793 (2003)
  14. Waser R, Aono M Nature Mater. 6 833 (2007)
  15. Strukov D B et al. Nature 453 80 (2008)
  16. Yang J J et al. Nature Nanotechnol. 3 429 (2008)
  17. Lee M-J et al. Nano Lett. 9 1476 (2009)
  18. Lee M-J et al. Adv. Functional Mater. 19 1587 (2009)
  19. Borghetti J et al. Nature 464 873 (2010)
  20. Goux L et al. Appl. Phys. Lett. 97 243509 (2010)
  21. Lee M-J et al. Nature Mater. 10 625 (2011)
  22. Shaposhnikov A V et al. Appl. Phys. Lett. 100 243506 (2012)
  23. Wang Z et al. Phys. Rev. B 85 195322 (2012)
  24. Pool H H Philos. Mag. 34 195 (1917)
  25. Френкель Я И ЖЭТФ 8 1292 (1938)
  26. Frenkel J Phys. Rev. 54 647 (1938)
  27. Sze S M Physics of Semiconductor Devices (New York: Wiley, 1981)
  28. Yeh C-C et al. Appl. Phys. Lett. 91 113521 (2007)
  29. Zhu W J et al. IEEE Electron Dev. Lett. 23 97 (2002)
  30. Xu Z et al. Appl. Phys. Lett. 80 1975 (2002)
  31. Chim W K et al. J. Appl. Phys. 93 4788 (2003)
  32. Laha A, Krupanidhi S B J. Appl. Phys. 92 415 (2002)
  33. Ganichev S D et al. Phys. Rev. B 61 10361 (2000)
  34. Makram-Ebeid S, Lannoo M Phys. Rev. B 25 6406 (1982)
  35. Абакумов В Н, Перель В И, Ясиевич И Н Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках (СПб.: Изд-во ПИЯФ, 1997); Abakumov V N, Perel V I, Yassievich I N Nonradiative Recombination in Semiconductors (Amsterdam: North-Holland, 1991)
  36. Hampton F L, Cricchi J R Appl. Phys. Lett. 35 802 (1979)
  37. Гриценко В А, Меерсон Е Е Микроэлектроника 12 580 (1983)
  38. Гриценко В A Микроэлектроника 16 42 (1987)
  39. Gritsenko V A, Meerson E E, Morokov Yu N Phys. Rev. B 57 R2081 (1998)
  40. Насыров К А и др. Письма в ЖЭТФ 77 455 (2003); Nasyrov K A et al. JETP Lett. 77 385 (2003)
  41. Hielscher F H, Preier H M Solid-State Electron. 12 527 (1969)
  42. Quast W, Schiek B Electron. Lett. 5 485 (1969)
  43. Гиновкер А С, Гриценко В А, Синица С П Микроэлектроника 2 283 (1973)
  44. Gritsenko V A, Meerson E E Phys. Status Solidi A 62 K131 (1980)
  45. Ginovker A S, Gritsenko V A, Sinitsa S P Phys. Status Solidi A 26 489 (1974)
  46. Fowler R H, Nordheim L Proc. R. Soc. Lond. A 119 173 (1928)
  47. Murphy E L, Good R H (Jr.) Phys. Rev. 102 1464 (1956)
  48. Lenzlinger M, Snow E H J. Appl. Phys. 40 278 (1969)
  49. Weinberg Z A, Johnson W C, Lampert M A J. Appl. Phys. 47 248 (1976)
  50. Петрин А Б ЖЭТФ 136 369 (2009); Petrin A B JETP 109 314 (2009)
  51. Roberts G G, Polanco J I Phys. Status Solidi A 1 409 (1970)
  52. Jensen K L J. Appl. Phys. 102 024911 (2007)
  53. Houssa M et al. J. Appl. Phys. 87 8615 (2000)
  54. Nasyrov K A et al. J. Appl. Phys. 105 123709 (2009)
  55. Шкловский Б И, Эфрос А Л Электронные свойства легированных полупроводников (М.: Наука, 1979); Shklovskii B I, Efros A L Electronic Properties of Doped Semiconductors (Berlin: Springer-Verlag, 1984)
  56. Vishnyakov A V et al. Solid-State Electron. 53 251 (2009)
  57. Hill R M Philos. Mag. 23 59 (1971)
  58. Ганичев С Д, Яссиевич И Н, Преттл В ФТТ 39 1905 (1997); Ganichev S D, Prettl W, Yassievich I N Phys. Solid State 39 1703 (1997)
  59. Nasyrov K A, Gritsenko V A J. Appl. Phys. 109 093705 (2011)
  60. Nasyrov K A et al. IEEE Electron Dev. Lett. 23 336 (2002)
  61. Nasyrov K A et al. J. Appl. Phys. 96 4293 (2004)
  62. Гадияк Г В, Обрехт М A, Синица С П Микроэлектроника 14 512 (1985)
  63. Svensson C M J. Appl. Phys. 48 329 (1977)
  64. Gritsenko V A, Meerson E E, Sinitsa S P Phys. Status Solidi A 48 31 (1978)
  65. Гриценко В А Нитрид кремния в электронике (Отв. ред. А В Ржанов) (Новосибирск: Наука, 1982); Gritsenko V A "Electronic structure and optical properties of silicon nitride" Silicon Nitride in Electronics (Amsterdam: Elsevier, 1988) p. 138
  66. Gritsenko V A et al. Microelectron. Eng. 86 1866 (2009)
  67. Гриценко В А УФН 182 531 (2012); Gritsenko V A Phys. Usp. 55 498 (2012)
  68. Park N-M et al. Phys. Rev. Lett. 86 1355 (2001)
  69. Park N-M, Kim T-S, Park S-J Appl. Phys. Lett. 78 2575 (2001)
  70. Гриценко В А и др. ЖЭТФ 125 868 (2004); Gritsenko V A et al. JETP 98 760 (2004)
  71. Воскобойников В В и др. Микроэлектроника 5 369 (1976)
  72. Kolodzey J et al. IEEE Trans. Electron Dev. 47 121 (2000)
  73. Specht M et al. Appl. Phys. Lett. 84 3076 (2004)
  74. Ohta K, Hamano K Jpn. J. Appl. Phys. 11 546 (1972)
  75. Новиков Ю Н, Гриценко В А, Насыров К А Письма в ЖЭТФ 89 599 (2009); Novikov Yu N, Gritsenko V A, Nasyrov K A JETP Lett. 89 506 (2009)
  76. Novikov Yu N et al. Microelectron. Reliability 50 207 (2010)
  77. Novikov Yu N, Gritsenko V A, Nasyrov K A Appl. Phys. Lett. 94 222904 (2009)
  78. Perevalov T V et al. J. Appl. Phys. 108 013501 (2010)
  79. Пустоваров В А и др. ЖЭТФ 138 1119 (2010); Pustovarov V A et al. JETP 111 989 (2010)
  80. Pustovarov V A et al. Thin Solid Films 519 6319 (2011)

© Успехи физических наук, 1918–2019
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение