Выпуски

 / 

2012

 / 

Май

  

Из текущей литературы


Электронная структура нитрида кремния


Институт физики полупроводников СО РАН, просп. Ак. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация

Аморфные оксид (SiO2), оксинитрид (SiOxNy) и нитрид (Si3N4) кремния являются тремя ключевыми диэлектриками в кремниевых приборах. В настоящее время нитрид кремния находит многочисленные применения, в частности, в качестве запоминающей среды в приборах флеш-памяти нового поколения. Изменение химического состава нестехиометрического нитрида кремния SiNx, обогащённого кремнием, позволяет в широком диапазоне управлять его оптическими и электрическими свойствами. Настоящий обзор посвящён анализу электронной структуры нитрида кремния переменного состава.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
PACS: 71.15.Mb, 71.23.−k, 77.22.−d, 77.55.df, 77.84.Bw, 78.20.−e (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0182.201205d.0531
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2012/5/d/
Цитата: Гриценко В А "Электронная структура нитрида кремния" УФН 182 531–541 (2012)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Поступила: 8 декабря 2011, 16 января 2012

English citation: Gritsenko V A “Electronic structure of silicon nitridePhys. Usp. 55 498–507 (2012); DOI: 10.3367/UFNe.0182.201205d.0531

© Успехи физических наук, 1918–2018
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение