Выпуски

 / 

2013

 / 

Октябрь

  

Из текущей литературы


Механизмы переноса электронов и дырок в диэлектрических плёнках

 а,  б
а Институт автоматики и электрометрии СО РАН, просп. Акад. Коптюга 1, Новосибирск, 630090, Российская Федерация
б Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, просп. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация

Представлен обзор механизмов транспорта электронов и дырок в основных аморфных диэлектриках кремниевых приборов: оксиде и нитриде кремния, оксиде алюминия. Установлено, что широко распространённая модель Френкеля формально описывает перенос в диэлектриках с ловушками, однако для количественного согласия необходимо использовать нефизичные параметры модели. Показано, что перенос заряда в диэлектриках с ловушками непротиворечиво описывается многофононной моделью ионизации ловушек.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
PACS: 72.20.Ht, 72.20.Jv, 72.80.Sk, 73.40.Sx (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0183.201310h.1099
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2013/10/h/
Цитата: Насыров К А, Гриценко В А "Механизмы переноса электронов и дырок в диэлектрических плёнках" УФН 183 1099–1114 (2013)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Поступила: 4 марта 2013, 11 июня 2013

English citation: Nasyrov K A, Gritsenko V A “Transport mechanisms of electrons and holes in dielectric filmsPhys. Usp. 56 999–1012 (2013); DOI: 10.3367/UFNe.0183.201310h.1099

Список литературы (80) Статьи, ссылающиеся на эту (23) ↓ Похожие статьи (3)

  1. Yakunin A N, Aban’shin N P et al J. Commun. Technol. Electron. 64 83 (2019)
  2. Masin F, Meneghini M et al Appl. Phys. Lett. 115 052103 (2019)
  3. Stockman A, Masin F et al IEEE Trans. Electron Devices 65 5365 (2018)
  4. Tikhov S V, Gorshkov O N et al Semiconductors 52 1540 (2018)
  5. Andreev D, Bondarenko G et al KEM 781 47 (2018)
  6. Tikhov S V, Mikhaylov A N et al Microelectronic Engineering 187-188 134 (2018)
  7. Karpushin A A, Gritsenko V A Jetp Lett. 108 127 (2018)
  8. Perevalov T V, Gritsenko V A et al Nanotechnology 29 264001 (2018)
  9. Birmpiliotis D, Koutsoureli M et al Microelectronics Reliability 88-90 840 (2018)
  10. Islamov D R, Gritsenko V A et al Phys. Solid State 60 2050 (2018)
  11. Karpov S Y, Zakheim D A et al Semicond. Sci. Technol. 33 025009 (2018)
  12. Andreeva N, Ivanov A, Petrov A AIP Advances 8 025208 (2018)
  13. Gritsenko V A Успехи физических наук 187 971 (2017)
  14. Shvets V A, Kruchinin V N, Gritsenko V A Opt. Spectrosc. 123 728 (2017)
  15. Islamov D R, Gritsenko V A, Chin A Optoelectron.Instrument.Proc. 53 184 (2017)
  16. Aban’shin N P, Loginov A P et al 2016 29th International Vacuum Nanoelectronics Conference (IVNC), (2016) p. 1
  17. Iljinas A, Stankus V Thin Solid Films 601 106 (2016)
  18. Iljinas A, Marcinauskas L, Stankus V Applied Surface Science 381 6 (2016)
  19. Alekseeva L, Nabatame T et al Jpn. J. Appl. Phys. 55 08PB02 (2016)
  20. Kostina S S, Hanson M P et al ACS Photonics 3 1877 (2016)
  21. Iljinas A, Stankus V Applied Surface Science 381 2 (2016)
  22. Aban’shin N P, Avetisyan Yu A et al Tech. Phys. Lett. 42 509 (2016)
  23. Gritsenko V A, Perevalov T V, Islamov D R Physics Reports 613 1 (2016)

© Успехи физических наук, 1918–2019
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение