RSS-ленты
РусскийEnglish
Выпуск 9, 2026
Том год страница
Выпуски Авторы PACS Подписчикам Для авторов

Выпуски

 / 

2013

 / 

октябрь

←  →

Из текущей литературы


Механизмы переноса электронов и дырок в диэлектрических плёнках

 а,  б
а Институт автоматики и электрометрии СО РАН, просп. Акад. Коптюга 1, Новосибирск, 630090, Российская Федерация
б Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, просп. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация

Представлен обзор механизмов транспорта электронов и дырок в основных аморфных диэлектриках кремниевых приборов: оксиде и нитриде кремния, оксиде алюминия. Установлено, что широко распространённая модель Френкеля формально описывает перенос в диэлектриках с ловушками, однако для количественного согласия необходимо использовать нефизичные параметры модели. Показано, что перенос заряда в диэлектриках с ловушками непротиворечиво описывается многофононной моделью ионизации ловушек.

Текст pdf (792 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.3367/UFNe.0183.201310h.1099
PACS: 72.20.Ht, 72.20.Jv, 72.80.Sk, 73.40.Sx (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0183.201310h.1099
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2013/10/h/
000329313100003
2013PhyU...56..999N
Цитата: Насыров К А, Гриценко В А "Механизмы переноса электронов и дырок в диэлектрических плёнках" УФН 183 1099–1114 (2013)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

поступила: 4 марта 2013, 11 июня 2013

English citation: Nasyrov K A, Gritsenko V A “Transport mechanisms of electrons and holes in dielectric films” Phys. Usp. 56 999–1012 (2013); DOI: 10.3367/UFNe.0183.201310h.1099

Список литературы (80) Статьи, ссылающиеся на эту (75) ↓ Похожие статьи (14)

  1. Sheng B, Gong Ch et al Journal of Applied Physics 139 (20) (2026)
  2. Gismatulin A A, Gritsenko V A Scripta Materialia 270 116968 (2026)
  3. Sitnikov A V, Kalinin Yu E et al Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 90 (8) 1348 (2026)
  4. Garg T, Kale S Micro and Nanostructures 211 208534 (2026)
  5. Gritsenko V A, Novikov Yu N, Gismatulin A A Journal of Physics and Chemistry of Solids 211 113407 (2026)
  6. K S, Mishra J, Pradhan K P Semicond. Sci. Technol. 41 (8) 085004 (2026)
  7. Vázquez Jiménez Arely, Moreno M M и др J. Semicond. 47 (4) 042305 (2026)
  8. Gritsenko V A, Gismatulin A A et al Materials Science and Engineering: B 333 119704 (2026)
  9. Huang Q, Li P et al J Electroceram (2026)
  10. Li X, Wen C et al IEEE Trans. Electron Devices 73 (7) 4497 (2026)
  11. K D, George A et al 2025 IEEE 7th International Conference on Emerging Electronics (ICEE), (2025) p. 1
  12. Romanov I, Parkhomenko I et al Results in Optics 17 100750 (2024)
  13. Huang R, Wang H et al ACS Appl. Electron. Mater. 6 (2) 1365 (2024)
  14. Ren L, Guo K et al ACS Sustainable Chem. Eng. 12 (44) 16468 (2024)
  15. Gismatulin A A, Odintsov D S et al Chemical Physics Letters 840 141140 (2024)
  16. Bhat Z, Ahsan Sh A IEEE Trans. Electron Devices 71 (3) 1812 (2024)
  17. Odintsov D S, Gismatulin A A et al ChemPhysChem 25 (21) (2024)
  18. Huang R, Wang J et al Advanced Materials 36 (35) (2024)
  19. Dybov V A, Kalinin Yu E et al Tech. Phys. 69 (3) 526 (2024)
  20. Sun H, Wang Yu et al ACS Appl. Mater. Interfaces 16 (10) 12821 (2024)
  21. Perevalov T V, Islamov D R et al Applied Physics Letters 124 (4) (2024)
  22. Zhou Zh, Liu Y et al Scripta Materialia 243 115968 (2024)
  23. Zykov V M, Neyman D A Tech. Phys. 69 (6) 1857 (2024)
  24. "Investigation of resistance fluctuations in ReRAM : physical origin, temporal dependence and impact on memory reliability" Université Grenoble Alpes, (2024)
  25. Gabriel’s K S, Kalinin Yu E et al Tech. Phys. 68 (S3) S430 (2023)
  26. Пермяков Д, Строгонов А Electronics: STB Russia 228 (7) 184 (2023)
  27. Vedeneev A S, Rylkov V V et al J. Commun. Technol. Electron. 68 (8) 920 (2023)
  28. Kang S S, Yang J et al Applied Physics Letters 122 (4) (2023)
  29. Vedeneev A S, Rylkov V V et al Радиотехника и электроника 68 (8) 827 (2023)
  30. Koryazhkina M N, Filatov D O et al Nanomaterials 13 (14) 2082 (2023)
  31. Yang M, Wang Sh et al Advanced Materials 35 (30) (2023)
  32. Lin Ya, Li F, Li Zh Rare Metals 42 (8) 2545 (2023)
  33. Макеев В В, Теплов Г С, Саттаров П Ш Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника (4) 34 (2022)
  34. Odintsov D S, Shundrina I K et al J Struct Chem 63 (11) 1811 (2022)
  35. Iskhakzay R M Kh, Kruchinin V N et al Russ Microelectron 51 (1) 24 (2022)
  36. Zalyalov T M, Islamov D R 2022 IEEE 23rd International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials (EDM), (2022) p. 48
  37. "Dispersion state, interfacial phenomena and dielectric properties in high-permittivity polymer-based nanocomposites" Lyon, (2022)
  38. "Mechanical and electrical properties of dielectric thin films : electrical-nanoindentation experiments and numerical simulations" Université Grenoble Alpes, (2022)
  39. Rusinowicz M, Volpi F et al Adv Funct Materials 32 (47) (2022)
  40. Liu K, Wang R et al Semicond. Sci. Technol. 37 (7) 075005 (2022)
  41. Nikolaev S N, Vedeneev A S et al J. Commun. Technol. Electron. 66 (10) 1196 (2021)
  42. Perevalov T V, Gismatulin A A et al Physica Status Solidi (a) 218 (4) (2021)
  43. González Yoandris, Hadj Y A et al Applied Physics Letters 119 (13) (2021)
  44. Şahin Muhammet Ferit, Taşcı Enis и др Physica B: Condensed Matter 614 413029 (2021)
  45. Gritsenko V A, Gismatulin A A, Orlov O M Nanotechnol Russia 16 (6) 722 (2021)
  46. Perevalov T V, Gismatulin A A et al Journal of Applied Physics 127 (19) (2020)
  47. Voronkovskii V A, Perevalov T V et al Journal of Non-Crystalline Solids 546 120256 (2020)
  48. Gritsenko V A, Gismatulin A A Applied Physics Letters 117 (14) (2020)
  49. Yakunin A N, Aban’shin N P et al J. Commun. Technol. Electron. 64 (1) 83 (2019)
  50. Тезисы докладов XIV РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ «ПОЛУПРОВОДНИКИ-2019» 425 (2019)
  51. Gismatulin A A, Gritsenko V A et al Applied Physics Letters 115 (25) (2019)
  52. Gritsenko V A, Novikov Yu N, Chin A Mater. Res. Express 6 (11) 116409 (2019)
  53. Masin F, Meneghini M et al Applied Physics Letters 115 (5) (2019)
  54. Andreeva N, Ivanov A, Petrov A AIP Advances 8 (2) (2018)
  55. Stockman A, Masin F et al IEEE Trans. Electron Devices 65 (12) 5365 (2018)
  56. Tikhov S V, Mikhaylov A N et al Microelectronic Engineering 187-188 134 (2018)
  57. Andreev D, Bondarenko G et al KEM 781 47 (2018)
  58. "Étude des propriétés piézorésistives de jonctions tunnel MIM pour la réalisation de jauges de déformations" Lyon, (2018)
  59. Karpov S Y, Zakheim D A et al Semicond. Sci. Technol. 33 (2) 025009 (2018)
  60. Karpushin A A, Gritsenko V A Jetp Lett. 108 (2) 127 (2018)
  61. Tikhov S V, Gorshkov O N et al Semiconductors 52 (12) 1540 (2018)
  62. Islamov D R, Gritsenko V A et al Phys. Solid State 60 (10) 2050 (2018)
  63. Perevalov T V, Gritsenko V A et al Nanotechnology 29 (26) 264001 (2018)
  64. Birmpiliotis D, Koutsoureli M et al Microelectronics Reliability 88-90 840 (2018)
  65. Islamov D R, Gritsenko V A, Chin A Optoelectron.Instrument.Proc. 53 (2) 184 (2017)
  66. Gritsenko V A Успехи физических наук 187 (09) 971 (2017) [Gritsenko V A Phys.-Usp. 60 (9) 902 (2017)]
  67. Shvets V A, Kruchinin V N, Gritsenko V A Opt. Spectrosc. 123 (5) 728 (2017)
  68. Iljinas A, Marcinauskas L, Stankus V Applied Surface Science 381 6 (2016)
  69. Iljinas A, Stankus V Thin Solid Films 601 106 (2016)
  70. Aban’shin N P, Loginov A P et al 2016 29th International Vacuum Nanoelectronics Conference (IVNC), (2016) p. 1
  71. Kostina S S, Hanson M P et al ACS Photonics 3 (10) 1877 (2016)
  72. Iljinas A, Stankus V Applied Surface Science 381 2 (2016)
  73. Aban’shin N P, Avetisyan Yu A et al Tech. Phys. Lett. 42 (5) 509 (2016)
  74. Alekseeva L, Nabatame T et al Jpn. J. Appl. Phys. 55 (8S2) 08PB02 (2016)
  75. Gritsenko V A, Perevalov T V, Islamov D R Physics Reports 613 1 (2016)
© Успехи физических наук, 1918–2026
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение