RSS-ленты
РусскийEnglish
Выпуск 4, 2024
Том год страница
Выпуски Авторы PACS Подписчикам Для авторов

Выпуски

 / 

2013

 / 

Октябрь

←  →

Из текущей литературы


Механизмы переноса электронов и дырок в диэлектрических плёнках

 а,  б
а Институт автоматики и электрометрии СО РАН, просп. Акад. Коптюга 1, Новосибирск, 630090, Российская Федерация
б Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, просп. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация

Представлен обзор механизмов транспорта электронов и дырок в основных аморфных диэлектриках кремниевых приборов: оксиде и нитриде кремния, оксиде алюминия. Установлено, что широко распространённая модель Френкеля формально описывает перенос в диэлектриках с ловушками, однако для количественного согласия необходимо использовать нефизичные параметры модели. Показано, что перенос заряда в диэлектриках с ловушками непротиворечиво описывается многофононной моделью ионизации ловушек.

Текст pdf (792 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.3367/UFNe.0183.201310h.1099
PACS: 72.20.Ht, 72.20.Jv, 72.80.Sk, 73.40.Sx (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0183.201310h.1099
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2013/10/h/
000329313100003
2013PhyU...56..999N
Цитата: Насыров К А, Гриценко В А "Механизмы переноса электронов и дырок в диэлектрических плёнках" УФН 183 1099–1114 (2013)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Поступила: 4 марта 2013, 11 июня 2013

English citation: Nasyrov K A, Gritsenko V A “Transport mechanisms of electrons and holes in dielectric films” Phys. Usp. 56 999–1012 (2013); DOI: 10.3367/UFNe.0183.201310h.1099

Список литературы (80) Статьи, ссылающиеся на эту (54) ↓ Похожие статьи (3)

  1. Zhou Zh, Liu Y et al Scripta Materialia 243 115968 (2024)
  2. Sun H, Wang Yu et al ACS Appl. Mater. Interfaces 16 12821 (2024)
  3. Bhat Z, Ahsan Sh A IEEE Trans. Electron Devices 71 1812 (2024)
  4. Perevalov T V, Islamov D R et al 124 (4) (2024)
  5. Gismatulin A A, Odintsov D S et al Chemical Physics Letters 840 141140 (2024)
  6. Huang R, Wang H et al ACS Appl. Electron. Mater. 6 1365 (2024)
  7. Gabriel’s K S, Kalinin Yu E et al Tech. Phys. 68 S430 (2023)
  8. Vedeneev A S, Rylkov V V et al Radiotehnika i èlektronika 68 827 (2023)
  9. Yang M, Wang Sh et al Advanced Materials 35 (30) (2023)
  10. Lin Ya, Li F, Li Zh Rare Met. 42 2545 (2023)
  11. Kang S S, Yang J et al 122 (4) (2023)
  12. Vedeneev A S, Rylkov V V et al J. Commun. Technol. Electron. 68 920 (2023)
  13. Пермяков Д, Строгонов А Electronics: STB Russia 228 184 (2023)
  14. Koryazhkina M N, Filatov D O et al Nanomaterials 13 2082 (2023)
  15. Odintsov D S, Shundrina I K et al J Struct Chem 63 1811 (2022)
  16. Liu K, Wang R et al Semicond. Sci. Technol. 37 075005 (2022)
  17. Iskhakzay R M Kh, Kruchinin V N et al Russ Microelectron 51 24 (2022)
  18. Rusinowicz M, Volpi F et al Adv Funct Materials 32 (47) (2022)
  19. Zalyalov T M, Islamov D R 2022 IEEE 23rd International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials (EDM), (2022) p. 48
  20. Макеев В В, Теплов Г С, Саттаров П Ш Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника (4) 34 (2022)
  21. Nikolaev S N, Vedeneev A S et al J. Commun. Technol. Electron. 66 1196 (2021)
  22. Gritsenko V A, Gismatulin A A, Orlov O M Nanotechnol Russia 16 722 (2021)
  23. Perevalov T V, Gismatulin A A et al Physica Status Solidi (a) 218 (4) (2021)
  24. González Y, Hadj Y A et al 119 (13) (2021)
  25. Şahin M F, Taşcı E et al Physica B: Condensed Matter 614 413029 (2021)
  26. Perevalov T V, Gismatulin A A et al 127 (19) (2020)
  27. Gritsenko V A, Gismatulin A A 117 (14) (2020)
  28. Voronkovskii V A, Perevalov T V et al Journal of Non-Crystalline Solids 546 120256 (2020)
  29. Masin F, Meneghini M et al 115 (5) (2019)
  30. Gritsenko V A, Novikov Yu N, Chin A Mater. Res. Express 6 116409 (2019)
  31. Gismatulin A A, Gritsenko V A et al 115 (25) (2019)
  32. 425 (2019)
  33. Yakunin A N, Aban’shin N P et al J. Commun. Technol. Electron. 64 83 (2019)
  34. Perevalov T V, Gritsenko V A et al Nanotechnology 29 264001 (2018)
  35. Karpushin A A, Gritsenko V A Jetp Lett. 108 127 (2018)
  36. Tikhov S V, Gorshkov O N et al Semiconductors 52 1540 (2018)
  37. Andreev D, Bondarenko G et al KEM 781 47 (2018)
  38. Islamov D R, Gritsenko V A et al Phys. Solid State 60 2050 (2018)
  39. Karpov S Y, Zakheim D A et al Semicond. Sci. Technol. 33 025009 (2018)
  40. Andreeva N, Ivanov A, Petrov A 8 (2) (2018)
  41. Stockman A, Masin F et al IEEE Trans. Electron Devices 65 5365 (2018)
  42. Tikhov S V, Mikhaylov A N et al Microelectronic Engineering 187-188 134 (2018)
  43. Birmpiliotis D, Koutsoureli M et al Microelectronics Reliability 88-90 840 (2018)
  44. Islamov D R, Gritsenko V A, Chin A Optoelectron.Instrument.Proc. 53 184 (2017)
  45. Shvets V A, Kruchinin V N, Gritsenko V A Opt. Spectrosc. 123 728 (2017)
  46. Gritsenko V A Успехи физических наук 187 971 (2017)
  47. Aban’shin N P, Avetisyan Yu A et al Tech. Phys. Lett. 42 509 (2016)
  48. Iljinas A, Stankus V Applied Surface Science 381 2 (2016)
  49. Alekseeva L, Nabatame T et al Jpn. J. Appl. Phys. 55 08PB02 (2016)
  50. Iljinas A, Stankus V Thin Solid Films 601 106 (2016)
  51. Kostina S S, Hanson M P et al ACS Photonics 3 1877 (2016)
  52. Gritsenko V A, Perevalov T V, Islamov D R Physics Reports 613 1 (2016)
  53. Iljinas A, Marcinauskas L, Stankus V Applied Surface Science 381 6 (2016)
  54. Aban’shin N P, Loginov A P et al 2016 29th International Vacuum Nanoelectronics Conference (IVNC), (2016) p. 1
© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение