Выпуски

 / 

2013

 / 

Октябрь

  

Приборы и методы исследований


Современные тенденции развития технологий выращивания графена методом химического осаждения паров на медных подложках


Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, просп. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация

Рассмотрены последние наиболее интересные достижения и тенденции развития технологий выращивания графена на медных подложках. Анализируются влияние качества подготовки подложки и других параметров процесса на свойства плёнок, полученных при разных давлениях и температурах на медной фольге и более тонких слоях меди. Обсуждаются способы получения крупных монокристаллических доменов графена и их свойства, а также технологии, не требующие переноса плёнки графена на диэлектрическую подложку. Ещё один обсуждаемый в статье важный подход — это возможность латерального роста графена от специально сформированных мультиграфеновых или углеродсодержащих зародышей и металлических катализаторов.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
PACS: 68.65.Pq, 81.05.ue, 81.15.Gh, 81.16.Be (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0183.201310i.1115
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2013/10/i/
Цитата: Антонова И В "Современные тенденции развития технологий выращивания графена методом химического осаждения паров на медных подложках" УФН 183 1115–1122 (2013)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Поступила: 14 февраля 2013, доработана: 2 марта 2013, 27 февраля 2013

English citation: Antonova I V “Chemical vapor deposition growth of graphene on copper substrates: current trendsPhys. Usp. 56 1013–1020 (2013); DOI: 10.3367/UFNe.0183.201310i.1115

© Успехи физических наук, 1918–2019
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение