Выпуски

 / 

2013

 / 

Октябрь

  

Из текущей литературы


Механизмы переноса электронов и дырок в диэлектрических плёнках

 а,  б
а Институт автоматики и электрометрии СО РАН, просп. Акад. Коптюга 1, Новосибирск, 630090, Российская Федерация
б Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, просп. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация

Представлен обзор механизмов транспорта электронов и дырок в основных аморфных диэлектриках кремниевых приборов: оксиде и нитриде кремния, оксиде алюминия. Установлено, что широко распространённая модель Френкеля формально описывает перенос в диэлектриках с ловушками, однако для количественного согласия необходимо использовать нефизичные параметры модели. Показано, что перенос заряда в диэлектриках с ловушками непротиворечиво описывается многофононной моделью ионизации ловушек.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
PACS: 72.20.Ht, 72.20.Jv, 72.80.Sk, 73.40.Sx (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0183.201310h.1099
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2013/10/h/
Цитата: Насыров К А, Гриценко В А "Механизмы переноса электронов и дырок в диэлектрических плёнках" УФН 183 1099–1114 (2013)
BibTexBibNote ® (generic) BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks
Русский English
TY JOUR
TI Механизмы переноса электронов и дырок в диэлектрических плёнках
AU Насыров, К. А.
AU Гриценко, В. А.
PB Успехи физических наук
PY 2013
JO Успехи физических наук
JF Успехи физических наук
JA Усп. физ. наук
VL 183
IS 10
SP 1099-1114
UR https://ufn.ru/ru/articles/2013/10/h/
ER https://doi.org/10.3367/UFNr.0183.201310h.1099

Поступила: 4 марта 2013, 11 июня 2013

English citation: Nasyrov K A, Gritsenko V A “Transport mechanisms of electrons and holes in dielectric filmsPhys. Usp. 56 999–1012 (2013); DOI: 10.3367/UFNe.0183.201310h.1099

© Успехи физических наук, 1918–2019
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение