Электронная структура нитрида кремния

Аморфные оксид (SiO₂), оксинитрид (SiO_xN_y) и нитрид (Si₃N₄) кремния являются тремя ключевыми диэлектриками в кремниевых приборах. В настоящее время нитрид кремния находит многочисленные применения, в частности, в качестве запоминающей среды в приборах флеш-памяти нового поколения. Изменение химического состава нестехиометрического нитрида кремния SiN_x, обогащённого кремнием, позволяет в широком диапазоне управлять его оптическими и электрическими свойствами. Настоящий обзор посвящён анализу электронной структуры нитрида кремния переменного состава.

Текст pdf (875 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.3367/UFNe.0182.201205d.0531

PACS: 71.15.Mb, 71.23.−k, 77.22.−d, 77.55.df, 77.84.Bw, 78.20.−e (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0182.201205d.0531
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2012/5/d/
Web of Science

000307559000004
Scopus

2-s2.0-84864992214
ADS NASA

2012PhyU...55..498G
Цитата: Гриценко В А "Электронная структура нитрида кремния" УФН 182 531–541 (2012)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Поступила: 8 декабря 2011, одобрена в печать: 16 января 2012

English citation: Gritsenko V A “Electronic structure of silicon nitride” Phys. Usp. 55 498–507 (2012); DOI: 10.3367/UFNe.0182.201205d.0531

Список литературы (34) ↓ Статьи, ссылающиеся на эту (46) Похожие статьи (5)

Гриценко В А Строение и электронная структура аморфных диэлектриков в кремниевых МДП структурах (Новосибирск: Наука, 2003)
Gritsenko V A Electronic Structure and Optical Properties of Si₃N₄, in Silicon Nitride in Electronics (New York: Elsevier, 1986)
Roizin Y, Gritsenko V Dielectric Films for Advanced Microelectronics (Eds M Baklanov, M Greeen, K Maex) (Chichester: John Wiley & Sons, 2007)
Lee C-H, Park K-C, Kim K Appl. Phys. Lett. 87 073510 (2005)
Насыров К А, Шаймеев С С, Гриценко В А ЖЭТФ 136 910 (2009); Nasyrov K A, Shaimeev S S, Gritsenko V A JETP 109 786 (2009)
Гриценко В А УФН 178 727 (2008); Gritsenko V A Usp. Fiz. Nauk 51 699 (2008)
Zerr A et al. Nature 400 340 (1999)
Mo S-D et al. Phys. Rev. Lett. 83 5046 (1999)
Sekine T et al. Appl. Phys. Lett. 76 3706 (2000)
Ren S-Y, Ching W Y Phys. Rev. B 23 5454 (1981)
Xu Y-N, Ching W Y Phys. Rev. B 51 17379 (1995)
Roberson J Philos. Mag. 44 215 (1981)
Шапошников А В, Петров И П, Гриценко В А, Ким С В ФТТ 49 1554 (2007); Shaposhnikov A V, Petrov I P, Gritsenko V A, Kim S V Phys. Solid State 49 1628 (2007)
Перевалов Т В, Гриценко В А УФН 180 587 (2010); Perevalov T V, Gritsenko V A Phys. Usp. 53 561 (2010)
Gritsenko V A, Meerson E E, Morokov Yu N Phys. Rev. B 2081 (1998)
Guo X, Ma T P IEEE Electron Device Lett. 19 207 (1998)
Yeo Y-C, King T-J, Hu C Appl. Phys. Lett. 81 2091 (2002)
Yu H Y et al. IEEE Electron Device Lett. 23 285 (2002)
Yu H et al. IEEE Trans. Electron Devices 49 1158 (2002)
Sorokin A N, Karpushin A A, Gritsenko V A, Wong H J. Appl. Phys. 105 073706 (2009)
Некрашевич С С, Гриценко В А, Клаузер Р, Гво С ЖЭТФ 138 745 (2010); Nekrashevich S S, Gritsenko V A, Klauser R, Gwo S JETP 111 659 (2010)
Гриценко В А ФТП 35 1041 (2001); Gritsenko V A Semiconductors 35 997 (2001)
Carson R D, Schnatterly S E Phys. Rev. B 33 2432 (1986)
Yeh J-J Atomic Calculation of Photoionization Cross-Sections and Asymmetry Parameters (Langhorne, PA: Gordon and Breach Sc. Publ., 1993)
DiStefano T H, Estman D E Phys. Rev. Lett. 27 1560 (1971)
Lieske N, Hezel R Thin Solid Films 61 217 (1979)
Philipp H R J. Electrochem. Soc. 120 295 (1973)
Griscom D L J. Non-Cryst. Solids 24 155 (1977)
Gritsenko V A et al. Phys. Rev. Lett. 81 1054 (1998)
Гриценко В А и др. ЖЭТФ 125 868 (2004); Gritsenko V A et al. JETP 98 760 (2004)
Болотин В П, Брытов И А, Гриценко В А, Попов В П ДАН СССР 310 114 (1990)
Kärcher R, Ley L, Johnson R L Phys. Rev. B 30 1896 (1984)
Гриценко В А и др. ДАН СССР 287 1381 (1986); Gritsenko V A et al. Sov. Phys. Dokl. 31 341 (1986)
Martin-Moreno L et al. Phys. Rev. B 35 9683 (1987)