RSS-ленты
РусскийEnglish
Выпуск 10, 2026
Том год страница
Выпуски Авторы PACS Подписчикам Для авторов

Выпуски

 / 

2012

 / 

май

←  →

Из текущей литературы


Электронная структура нитрида кремния


Институт физики полупроводников СО РАН, просп. Ак. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация

Аморфные оксид (SiO2), оксинитрид (SiOxNy) и нитрид (Si3N4) кремния являются тремя ключевыми диэлектриками в кремниевых приборах. В настоящее время нитрид кремния находит многочисленные применения, в частности, в качестве запоминающей среды в приборах флеш-памяти нового поколения. Изменение химического состава нестехиометрического нитрида кремния SiNx, обогащённого кремнием, позволяет в широком диапазоне управлять его оптическими и электрическими свойствами. Настоящий обзор посвящён анализу электронной структуры нитрида кремния переменного состава.

Текст pdf (875 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.3367/UFNe.0182.201205d.0531
PACS: 71.15.Mb, 71.23.−k, 77.22.−d, 77.55.df, 77.84.Bw, 78.20.−e (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0182.201205d.0531
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2012/5/d/
000307559000004
2-s2.0-84864992214
2012PhyU...55..498G
Цитата: Гриценко В А "Электронная структура нитрида кремния" УФН 182 531–541 (2012)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

поступила: 8 декабря 2011, 16 января 2012

English citation: Gritsenko V A “Electronic structure of silicon nitride” Phys. Usp. 55 498–507 (2012); DOI: 10.3367/UFNe.0182.201205d.0531

Список литературы (34) Статьи, ссылающиеся на эту (57) Похожие статьи (13) ↓

  1. К.А. Насыров, В.А. Гриценко «Механизмы переноса электронов и дырок в диэлектрических плёнках» УФН 183 1099–1114 (2013)
  2. Р. Ченцов «Прямое обнаружение оптических колебаний кристаллической решетки твердого тела методом рассеяния нейтронов» УФН 66 347–348 (1958)
  3. В.А. Москаленко, М.Е. Палистрант, В.М. Вакалюк «Высокотемпературная сверхпроводимость на основе учета особенностей электронного энергетического спектра» УФН 161 (8) 155–178 (1991)
  4. И.И. Мазин «Электронная структура высокотемпературных сверхпроводников в нормальном состоянии» УФН 158 155–161 (1989)
  5. Б.П. Смоляков, Е.П. Хаймович «Динамические процессы в диэлектрических стеклах при низких температурах» УФН 136 317–343 (1982)
  6. Н.Ф. Бункин, Ф.В. Бункин «Бабстонная структура воды и водных растворов электролитов» УФН 186 933–952 (2016)
  7. Н.А. Тулина «Колоссальное электросопротивление и электронная неустойчивость в структурах на основе сильнокоррелированных электронных систем» УФН 177 1231–1239 (2007)
  8. В.М. Фридкин «Критический размер в сегнетоэлектрических наноструктурах» УФН 176 203–212 (2006)
  9. Е.Г. Максимов, С.Ю. Саврасов «Фотоэмиссионная спектроскопия высокотемпературных сверхпроводников» УФН 160 (9) 155–176 (1990)
  10. Н.В. Заварицкий «Энергетическая щель в спектре возбуждений оксидных сверхпроводников» УФН 160 (9) 177–206 (1990)
  11. Н.С. Маслова, В.И. Панов «Сканирующая туннельная микроскопия атомной структуры, электронных свойств и поверхностных химических реакций» УФН 157 185–195 (1989)
  12. Ю.Х. Векилов, В.Д. Вернер, М.Б. Самсонова «Электронная структура поверхностей непереходных металлов» УФН 151 341–376 (1987)
  13. Р.И. Минц, И.И. Мильман, В.И. Крюк «Экзоэлектронная эмиссия полупроводников» УФН 119 749–766 (1976)

Список формируется автоматически.
© Успехи физических наук, 1918–2026
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение