Аморфные оксид (SiO₂), оксинитрид (SiO_xN_y) и нитрид (Si₃N₄) кремния являются тремя ключевыми диэлектриками в кремниевых приборах. В настоящее время нитрид кремния находит многочисленные применения, в частности, в качестве запоминающей среды в приборах флеш-памяти нового поколения. Изменение химического состава нестехиометрического нитрида кремния SiN_x, обогащённого кремнием, позволяет в широком диапазоне управлять его оптическими и электрическими свойствами. Настоящий обзор посвящён анализу электронной структуры нитрида кремния переменного состава.

PACS: 71.15.Mb, 71.23.−k, 77.22.−d, 77.55.df, 77.84.Bw, 78.20.−e (все) DOI: 10.3367/UFNr.0182.201205d.0531 URL: https://ufn.ru/ru/articles/2012/5/d/ 000307559000004 2-s2.0-84864992214 2012PhyU...55..498G Цитата: Гриценко В А "Электронная структура нитрида кремния" УФН 182 531–541 (2012) BibTexBibNote ® (generic) BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks Русский English TY JOUR TI Электронная структура нитрида кремния AU Гриценко, В. А. PB Успехи физических наук PY 2012 JO Успехи физических наук JF Успехи физических наук JA Усп. физ. наук VL 182 IS 5 SP 531-541 UR https://ufn.ru/ru/articles/2012/5/d/ ER https://doi.org/10.3367/UFNr.0182.201205d.0531 Поступила: 8 декабря 2011, одобрена в печать: 16 января 2012 English citation: Gritsenko V A “Electronic structure of silicon nitride” Phys. Usp. 55 498–507 (2012); DOI: 10.3367/UFNe.0182.201205d.0531