RSS-ленты
РусскийEnglish
Выпуск 10, 2026
Том год страница
Выпуски Авторы PACS Подписчикам Для авторов

Выпуски

 / 

2012

 / 

май

←  →

Из текущей литературы


Электронная структура нитрида кремния


Институт физики полупроводников СО РАН, просп. Ак. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация

Аморфные оксид (SiO2), оксинитрид (SiOxNy) и нитрид (Si3N4) кремния являются тремя ключевыми диэлектриками в кремниевых приборах. В настоящее время нитрид кремния находит многочисленные применения, в частности, в качестве запоминающей среды в приборах флеш-памяти нового поколения. Изменение химического состава нестехиометрического нитрида кремния SiNx, обогащённого кремнием, позволяет в широком диапазоне управлять его оптическими и электрическими свойствами. Настоящий обзор посвящён анализу электронной структуры нитрида кремния переменного состава.

Текст pdf (875 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.3367/UFNe.0182.201205d.0531
PACS: 71.15.Mb, 71.23.−k, 77.22.−d, 77.55.df, 77.84.Bw, 78.20.−e (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0182.201205d.0531
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2012/5/d/
000307559000004
2-s2.0-84864992214
2012PhyU...55..498G
Цитата: Гриценко В А "Электронная структура нитрида кремния" УФН 182 531–541 (2012)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

поступила: 8 декабря 2011, 16 января 2012

English citation: Gritsenko V A “Electronic structure of silicon nitride” Phys. Usp. 55 498–507 (2012); DOI: 10.3367/UFNe.0182.201205d.0531

Список литературы (34) Статьи, ссылающиеся на эту (57) ↓ Похожие статьи (13)

  1. Privezentsev V V, Firsov A A et al J. Surf. Investig. 20 (2) 309 (2026)
  2. Wilhelmer Ch, Hückmann Lukas et al J. Phys.: Condens. Matter 38 (33) 333002 (2026)
  3. Mumlyakov A M, Dmitriev N Yu et al Phys. Rev. Applied 26 (3) (2026)
  4. Kryukova O G, Tatarinova T V et al Surfaces and Interfaces 89 109138 (2026)
  5. Al M T, Lambkin P et al Thin Solid Films 836 140886 (2026)
  6. Skvortsova L N, Tatarinova T V et al Russ. J. Phys. Chem. 99 (7) 1695 (2025)
  7. Luo Y, He W et al Ceramics International 51 (23) 39353 (2025)
  8. Atuchin V V, Lebedev M S et al J. Electron. Mater. 54 (6) 4832 (2025)
  9. Sobell Z C, Cavanagh A S, George S M Chem. Mater. 37 (13) 4652 (2025)
  10. Biriukov A E, Korsunsky A M Sensors and Actuators A: Physical 379 115914 (2024)
  11. Skvortsova L N, Artyukh I A et al Kinetika i kataliz 65 (2) 125 (2024)
  12. Mandal K K, Singh A K et al ACS Materials Lett. 6 (5) 1831 (2024)
  13. "Étude de la nitruration de surface de silicium par plasma N2 et de son impact sur l'interface avec une couche antireflet de type SiN(O)" Université Clermont Auvergne (2021-...), (2024)
  14. Skvortsova L N, Artyukh I A et al Kinet Catal 65 (2) 101 (2024)
  15. Скворцова Л Н, Казанцева К И и др Неорганические материалы 59 (3) 333 (2023)
  16. Skvortsova L N, Kazantseva K I et al Inorg Mater 59 (3) 321 (2023)
  17. Skvortsova L N, Bolgaru K A et al Russ Phys J (2023)
  18. Mizginov D, Telminov O et al Crystals 13 (2) 323 (2023)
  19. Xu H, Li Z et al Nanomaterials 13 (8) 1352 (2023)
  20. Petkov N, Bakalova T et al JNanoR 73 175 (2022)
  21. Макеев В В, Теплов Г С, Саттаров П Ш Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника (4) 34 (2022)
  22. Makeev V V, Teplov G S, Sattarov P Sh Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника (4) 43 (2022)
  23. Dzyuba V P, Amosov A V et al Eur. Phys. J. Plus 137 (9) (2022)
  24. Artyukh I A, Bolgaru K A et al ChemistrySelect 6 (37) 10025 (2021)
  25. Красников Г Я, Макеев В В и др Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника (4) 55 (2021)
  26. Dzyuba V P, Amosov A V, Kulchin Yu N Quantum Electron. 51 (10) 920 (2021)
  27. Konusov F, Pavlov S et al Radiation Effects and Defects in Solids 176 (3-4) 308 (2021)
  28. Gismatulin A A, Kamaev G N et al Sci Rep 11 (1) (2021)
  29. Konusov F V, Pavlov S K et al J. Surf. Investig. 15 (1) 139 (2021)
  30. Gritsenko V A, Gismatulin A A, Orlov O M Nanotechnol Russia 16 (6) 722 (2021)
  31. Васильев В Ю Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника (1) 31 (2020)
  32. Sherstoboeva M V, Bavykina A V et al ChemistrySelect 5 (6) 1912 (2020)
  33. Cramer S P X-Ray Spectroscopy with Synchrotron Radiation Biological and Medical Physics, Biomedical Engineering Chapter 7 (2020) p. 165
  34. Shekaari A, Jafari M Computational Materials Science 180 109693 (2020)
  35. Orlov O M, Gismatulin A A et al Russ Microelectron 49 (5) 372 (2020)
  36. Красников Г Я, Орлов О М, Макеев В В Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника (1) 42 (2020)
  37. Gismatulin A A, Orlov O M et al Applied Physics Letters 116 (20) (2020)
  38. Oreshonkov A S, Roginskii E M, Atuchin V V Journal of Physics and Chemistry of Solids 137 109219 (2020)
  39. Konusov F, Pavlov S et al Surface and Coatings Technology 389 125564 (2020)
  40. Tiour F, Benyahia B et al Appl. Phys. A 126 (1) (2020)
  41. Muñoz-Rosas A L, Rodríguez-Gómez A и др J Mater Sci 54 (23) 14296 (2019)
  42. G M V, G G Yu et al 2D Materials Chapter 4 (2019)
  43. Gritsenko V A, Gismatulin A A et al Mater. Res. Express 6 (7) 076401 (2019)
  44. Gritsenko V A, Kruchinin V N et al J. Exp. Theor. Phys. 129 (5) 924 (2019)
  45. Pashayev A M, Tagiyev B H et al Semiconductors 53 (2) 210 (2019)
  46. Chanturia V A, Bunin I Zh et al J Min Sci 54 (4) 646 (2018)
  47. Tikhov S V, Gorshkov O N et al Semiconductors 52 (12) 1540 (2018)
  48. "Elaboration par CVI/CVD et caractérisation de dépôts dans le système Si-N(-O)" Bordeaux, (2018)
  49. Linke J, Fazio M A et al Solar Energy Materials and Solar Cells 187 104 (2018)
  50. Parkhomenko I, Vlasukova L et al Thin Solid Films 626 70 (2017)
  51. Czarnacka K, Komarov F F et al 2017 IEEE 7th International Conference Nanomaterials: Application & Properties (NAP), (2017) p. 02NTF34-1
  52. Vlasukova L A, Komarov F F et al J Appl Spectrosc 82 (3) 386 (2015)
  53. Komarov F, Vlasukova L et al Thin Solid Films 579 110 (2015)
  54. Flammini R, Allegrini P et al Phys. Rev. B 91 (7) (2015)
  55. Cheng Ch-Q, Li G et al Acta Phys. Sin. 64 (6) 067102 (2015)
  56. Liu Sh, Fang M et al Sci Rep 5 (1) (2015)
  57. Nasyrov K A, Gritsenko V A Успехи физических наук 183 (10) 1099 (2013) [Nasyrov K A, Gritsenko V A Phys.-Usp. 56 (10) 999 (2013)]
© Успехи физических наук, 1918–2026
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение