RSS-ленты
РусскийEnglish
Выпуск 4, 2024
Том год страница
Выпуски Авторы PACS Подписчикам Для авторов

Выпуски

 / 

2012

 / 

Май

←  →

Из текущей литературы


Электронная структура нитрида кремния


Институт физики полупроводников СО РАН, просп. Ак. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация

Аморфные оксид (SiO2), оксинитрид (SiOxNy) и нитрид (Si3N4) кремния являются тремя ключевыми диэлектриками в кремниевых приборах. В настоящее время нитрид кремния находит многочисленные применения, в частности, в качестве запоминающей среды в приборах флеш-памяти нового поколения. Изменение химического состава нестехиометрического нитрида кремния SiNx, обогащённого кремнием, позволяет в широком диапазоне управлять его оптическими и электрическими свойствами. Настоящий обзор посвящён анализу электронной структуры нитрида кремния переменного состава.

Текст pdf (875 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.3367/UFNe.0182.201205d.0531
PACS: 71.15.Mb, 71.23.−k, 77.22.−d, 77.55.df, 77.84.Bw, 78.20.−e (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0182.201205d.0531
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2012/5/d/
000307559000004
2-s2.0-84864992214
2012PhyU...55..498G
Цитата: Гриценко В А "Электронная структура нитрида кремния" УФН 182 531–541 (2012)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Поступила: 8 декабря 2011, 16 января 2012

English citation: Gritsenko V A “Electronic structure of silicon nitride” Phys. Usp. 55 498–507 (2012); DOI: 10.3367/UFNe.0182.201205d.0531

Список литературы (34) Статьи, ссылающиеся на эту (43) ↓ Похожие статьи (5)

  1. Mandal K K, Singh A K et al ACS Materials Lett. 1831 (2024)
  2. Скворцова Л Н, Казанцева К И и др Neorganičeskie materialy 59 333 (2023)
  3. Mizginov D, Telminov O et al Crystals 13 323 (2023)
  4. Skvortsova L N, Kazantseva K I et al Inorg Mater 59 321 (2023)
  5. Xu H, Li Z et al Nanomaterials 13 1352 (2023)
  6. Skvortsova L N, Bolgaru K A et al Russ Phys J (2023)
  7. Makeev V V, Teplov G S, Sattarov P Sh Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника (4) 43 (2022)
  8. Petkov N, Bakalova T et al JNanoR 73 175 (2022)
  9. Макеев В В, Теплов Г С, Саттаров П Ш Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника (4) 34 (2022)
  10. Dzyuba V P, Amosov A V et al Eur. Phys. J. Plus 137 (9) (2022)
  11. Gismatulin A A, Kamaev G N et al Sci Rep 11 (1) (2021)
  12. Konusov F, Pavlov S et al Radiation Effects and Defects in Solids 176 308 (2021)
  13. Gritsenko V A, Gismatulin A A, Orlov O M Nanotechnol Russia 16 722 (2021)
  14. Konusov F V, Pavlov S K et al J. Synch. Investig. 15 139 (2021)
  15. Красников Г Я, Макеев В В и др Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника (4) 55 (2021)
  16. Artyukh I A, Bolgaru K A et al ChemistrySelect 6 10025 (2021)
  17. Dzyuba V P, Amosov A V, Kulchin Yu N Quantum Electron. 51 920 (2021)
  18. Oreshonkov A S, Roginskii E M, Atuchin V V Journal of Physics and Chemistry of Solids 137 109219 (2020)
  19. Gismatulin A A, Orlov O M et al 116 (20) (2020)
  20. Красников Г Я, Орлов О М, Макеев В В Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника (1) 42 (2020)
  21. Orlov O M, Gismatulin A A et al Russ Microelectron 49 372 (2020)
  22. Sherstoboeva M V, Bavykina A V et al ChemistrySelect 5 1912 (2020)
  23. Tiour F, Benyahia B et al Appl. Phys. A 126 (1) (2020)
  24. Shekaari A, Jafari M Computational Materials Science 180 109693 (2020)
  25. Cramer S P X-Ray Spectroscopy with Synchrotron Radiation Biological and Medical Physics, Biomedical Engineering Chapter 7 (2020) p. 165
  26. Konusov F, Pavlov S et al Surface and Coatings Technology 389 125564 (2020)
  27. Васильев В Ю Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника (1) 31 (2020)
  28. Pashayev A M, Tagiyev B H et al Semiconductors 53 210 (2019)
  29. Muñoz-Rosas A L, Rodríguez-Gómez A et al J Mater Sci 54 14296 (2019)
  30. G M V, G G Yu et al 2D Materials Chapter 4 (2019)
  31. Gritsenko V A, Gismatulin A A et al Mater. Res. Express 6 076401 (2019)
  32. Gritsenko V A, Kruchinin V N et al J. Exp. Theor. Phys. 129 924 (2019)
  33. Linke J, Fazio M A et al Solar Energy Materials and Solar Cells 187 104 (2018)
  34. Chanturia V A, Bunin I Zh et al J Min Sci 54 646 (2018)
  35. Tikhov S V, Gorshkov O N et al Semiconductors 52 1540 (2018)
  36. Czarnacka K, Komarov F F et al 2017 IEEE 7th International Conference Nanomaterials: Application & Properties (NAP), (2017) p. 02NTF34-1
  37. Parkhomenko I, Vlasukova L et al Thin Solid Films 626 70 (2017)
  38. Liu Sh, Fang M et al Sci Rep 5 (1) (2015)
  39. Flammini R, Allegrini P et al Phys. Rev. B 91 (7) (2015)
  40. Komarov F, Vlasukova L et al Thin Solid Films 579 110 (2015)
  41. Vlasukova L A, Komarov F F et al J Appl Spectrosc 82 386 (2015)
  42. Cheng Ch-Q, Li G et al Acta Phys. Sin. 64 067102 (2015)
  43. Nasyrov K A, Gritsenko V A Успехи физических наук 183 1099 (2013) [Nasyrov K A, Gritsenko V A Phys.-Usp. 56 999 (2013)]
© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение