Аморфные оксид (SiO₂), оксинитрид (SiO_xN_y) и нитрид (Si₃N₄) кремния являются тремя ключевыми диэлектриками в кремниевых приборах. В настоящее время нитрид кремния находит многочисленные применения, в частности, в качестве запоминающей среды в приборах флеш-памяти нового поколения. Изменение химического состава нестехиометрического нитрида кремния SiN_x, обогащённого кремнием, позволяет в широком диапазоне управлять его оптическими и электрическими свойствами. Настоящий обзор посвящён анализу электронной структуры нитрида кремния переменного состава.

PACS: 71.15.Mb, 71.23.−k, 77.22.−d, 77.55.df, 77.84.Bw, 78.20.−e (все) DOI: 10.3367/UFNr.0182.201205d.0531 URL: https://ufn.ru/ru/articles/2012/5/d/ 000307559000004 2-s2.0-84864992214 2012PhyU...55..498G Цитата: Гриценко В А "Электронная структура нитрида кремния" УФН 182 531–541 (2012) BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)Medline RefWorks Русский English RT Journal T1 Электронная структура нитрида кремния A1 Гриценко,В.А. PB Успехи физических наук PY 2012 FD 10 May, 2012 JF Успехи физических наук JO Усп. физ. наук VO 182 IS 5 SP 531-541 DO 10.3367/UFNr.0182.201205d.0531 LK https://ufn.ru/ru/articles/2012/5/d/ Поступила: 8 декабря 2011, одобрена в печать: 16 января 2012 English citation: Gritsenko V A “Electronic structure of silicon nitride” Phys. Usp. 55 498–507 (2012); DOI: 10.3367/UFNe.0182.201205d.0531