|
||||||||||||||||||
Структура границ раздела кремний/оксид и нитрид/оксидИнститут физики полупроводников СО РАН, просп. Ак. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация В настоящем обзоре систематизированы и обобщены современные представления об атомном строении границ раздела кремний/диэлектрик (Si/SiO2, Si/SiOxNy) и диэлектрик/диэлектрик (Si3N4/SiO2) в структурах, которые являются основой кремниевых приборов.
|
||||||||||||||||||
|