Структура границ раздела кремний/оксид и нитрид/оксид

В настоящем обзоре систематизированы и обобщены современные представления об атомном строении границ раздела кремний/диэлектрик (Si/SiO₂, Si/SiO_xN_y) и диэлектрик/диэлектрик (Si₃N₄/SiO₂) в структурах, которые являются основой кремниевых приборов.

Текст pdf (1 Мб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.3367/UFNe.0179.200909a.0921

PACS: 61.43.−j, 61.66.Fn, 68.35.Dv, 71.55.Jv (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0179.200909a.0921
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2009/9/a/
Web of Science

000274047000001
Scopus

2-s2.0-76149089186
ADS NASA

2009PhyU...52..869G
Цитата: Гриценко В А "Структура границ раздела кремний/оксид и нитрид/оксид" УФН 179 921–930 (2009)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)

MedlineRefWorks

Русский

English

PT Journal Article
TI Структура границ раздела кремний/оксид и нитрид/оксид
AU Гриценко В А
FAU Гриценко ВА
DP 10 Sep, 2009
TA Усп. физ. наук
VI 179
IP 9
PG 921-930
RX 10.3367/UFNr.0179.200909a.0921
URL https://ufn.ru/ru/articles/2009/9/a/
SO Усп. физ. наук 2009 Sep 10;179(9):921-930

English citation: Gritsenko V A “Structure of silicon/oxide and nitride/oxide interfaces” Phys. Usp. 52 869–877 (2009); DOI: 10.3367/UFNe.0179.200909a.0921