Структура границ раздела кремний/оксид и нитрид/оксид

В настоящем обзоре систематизированы и обобщены современные представления об атомном строении границ раздела кремний/диэлектрик (Si/SiO₂, Si/SiO_xN_y) и диэлектрик/диэлектрик (Si₃N₄/SiO₂) в структурах, которые являются основой кремниевых приборов.

Текст pdf (1 Мб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.3367/UFNe.0179.200909a.0921

PACS: 61.43.−j, 61.66.Fn, 68.35.Dv, 71.55.Jv (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0179.200909a.0921
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2009/9/a/
Web of Science

000274047000001
Scopus

2-s2.0-76149089186
ADS NASA

2009PhyU...52..869G
Цитата: Гриценко В А "Структура границ раздела кремний/оксид и нитрид/оксид" УФН 179 921–930 (2009)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Русский

English

@article{Gritsenko:2009,
	author = {В. А. Гриценко},
	title = {Структура границ раздела кремний/оксид и нитрид/оксид},
	publisher = {Успехи физических наук},
	year = {2009},
	journal = {Усп. физ. наук},
	volume = {179},
	number = {9},
	pages = {921-930},
	url = {https://ufn.ru/ru/articles/2009/9/a/},
	doi = {10.3367/UFNr.0179.200909a.0921}
}

English citation: Gritsenko V A “Structure of silicon/oxide and nitride/oxide interfaces” Phys. Usp. 52 869–877 (2009); DOI: 10.3367/UFNe.0179.200909a.0921