RSS-ленты
РусскийEnglish
Выпуск 11, 2025
Том год страница
Выпуски Авторы PACS Подписчикам Для авторов

Выпуски

 / 

2009

 / 

Сентябрь

←  →

Обзоры актуальных проблем


Структура границ раздела кремний/оксид и нитрид/оксид


Институт физики полупроводников СО РАН, просп. Ак. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация

В настоящем обзоре систематизированы и обобщены современные представления об атомном строении границ раздела кремний/диэлектрик (Si/SiO2, Si/SiOxNy) и диэлектрик/диэлектрик (Si3N4/SiO2) в структурах, которые являются основой кремниевых приборов.

Текст pdf (1 Мб)
English fulltext is available at DOI: 10.3367/UFNe.0179.200909a.0921
PACS: 61.43.−j, 61.66.Fn, 68.35.Dv, 71.55.Jv (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0179.200909a.0921
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2009/9/a/
000274047000001
2-s2.0-76149089186
2009PhyU...52..869G
Цитата: Гриценко В А "Структура границ раздела кремний/оксид и нитрид/оксид" УФН 179 921–930 (2009)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Gritsenko V A “Structure of silicon/oxide and nitride/oxide interfaces” Phys. Usp. 52 869–877 (2009); DOI: 10.3367/UFNe.0179.200909a.0921

Список литературы (43) Статьи, ссылающиеся на эту (28) ↓ Похожие статьи (20)

  1. Son H, Sim K et al Nanotechnology 36 (40) 405201 (2025)
  2. Kim A S, Perevedentseva N A et al Izv. vysš. učebn. zaved., Mater. èlektron. teh. 28 (1) 34 (2025)
  3. Goldman E, Chucheva G, Belorusov D Ceramics International 50 (6) 9678 (2024)
  4. Belorusov D A, Goldman E I, Chucheva G V J. Commun. Technol. Electron. 67 (S1) S115 (2022)
  5. Odzhaev V B, Pyatlitski A N et al Ž. prikl. spektrosk. (Minsk) 89 (4) 498 (2022)
  6. Odzhaev V B, Pyatlitski A N et al J Appl Spectrosc 89 (4) 665 (2022)
  7. Goldman E I, Chucheva G V, Belorusov D A Ceramics International 47 (15) 21248 (2021)
  8. Grari M, Zoheir CifAllah et al Chinese Phys. B 30 (5) 055205 (2021)
  9. Romanov I A, Komarov F F et al Dokl. Akad. nauk 65 (2) 158 (2021)
  10. Pudalov V M Успехи физических наук 191 (01) 3 (2021) [Pudalov V M Phys.-Usp. 64 (1) 3 (2021)]
  11. Odzaev V B, Panfilenka A K et al Journal of the Belarusian State University. Physics (3) 55 (2020)
  12. Goldman E, Chucheva G et al International Conference on Micro- and Nano-Electronics 2018, (2019) p. 43
  13. Makarenko O, Zavalistyi O et al BKNUPhM (3) 99 (2018)
  14. Tyschenko I E, Krivyakin G K, Volodin V A Semiconductors 52 (2) 268 (2018)
  15. Tyschenko I E, Cherkov A G et al Semiconductors 51 (9) 1240 (2017)
  16. Staskov N I, Sotskaya L I J Appl Spectrosc 84 (5) 764 (2017)
  17. Zatsepin D A, Zatsepin A F et al Phys. Status Solidi B 252 (10) 2185 (2015)
  18. Andreev V V, Bondarenko G G et al Acta Phys. Pol. A 128 (5) 887 (2015)
  19. Nekrashevich S S, Gritsenko V A Phys. Solid State 56 (2) 207 (2014)
  20. Andreev V V, Bondarenko G G et al Acta Phys. Pol. A 125 (6) 1371 (2014)
  21. Likhachev D V Thin Solid Films 550 305 (2014)
  22. Tetelbaum D I, Kuril’chik E V et al J. Synch. Investig. 7 (4) 631 (2013)
  23. Jelenković E V, Kovačević M et al Microelectronic Engineering 104 90 (2013)
  24. Walz M-M, Vollnhals F et al J. Phys. D: Appl. Phys. 45 (22) 225306 (2012)
  25. Walz M -M, Vollnhals F et al Applied Physics Letters 100 (5) (2012)
  26. Goldman E I, Kukharskaya N F et al Semiconductors 45 (7) 944 (2011)
  27. Swain B S, Swain B P et al J. Phys. Chem. C 115 (34) 16745 (2011)
  28. Levshunova V L, Pokhil G P, Tetel’baum D I J. Synch. Investig. 5 (2) 276 (2011)
© Успехи физических наук, 1918–2025
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение