RSS-ленты
РусскийEnglish
Выпуск 11, 2024
Том год страница
Выпуски Авторы PACS Подписчикам Для авторов

Выпуски

 / 

2009

 / 

Сентябрь

←  →

Обзоры актуальных проблем


Структура границ раздела кремний/оксид и нитрид/оксид


Институт физики полупроводников СО РАН, просп. Ак. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация

В настоящем обзоре систематизированы и обобщены современные представления об атомном строении границ раздела кремний/диэлектрик (Si/SiO2, Si/SiOxNy) и диэлектрик/диэлектрик (Si3N4/SiO2) в структурах, которые являются основой кремниевых приборов.

Текст pdf (1 Мб)
English fulltext is available at DOI: 10.3367/UFNe.0179.200909a.0921
PACS: 61.43.−j, 61.66.Fn, 68.35.Dv, 71.55.Jv (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0179.200909a.0921
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2009/9/a/
000274047000001
2-s2.0-76149089186
2009PhyU...52..869G
Цитата: Гриценко В А "Структура границ раздела кремний/оксид и нитрид/оксид" УФН 179 921–930 (2009)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Gritsenko V A “Structure of silicon/oxide and nitride/oxide interfaces” Phys. Usp. 52 869–877 (2009); DOI: 10.3367/UFNe.0179.200909a.0921

Список литературы (43) Статьи, ссылающиеся на эту (26) ↓ Похожие статьи (20)

  1. Goldman E, Chucheva G, Belorusov D Ceramics International 50 9678 (2024)
  2. Belorusov D A, Goldman E I, Chucheva G V J. Commun. Technol. Electron. 67 S115 (2022)
  3. Odzhaev V B, Pyatlitski A N et al Ž. prikl. spektrosk. (Minsk) 89 498 (2022)
  4. Odzhaev V B, Pyatlitski A N et al J Appl Spectrosc 89 665 (2022)
  5. Goldman E I, Chucheva G V, Belorusov D A Ceramics International 47 21248 (2021)
  6. Grari M, Zoheir CifAllah et al Chinese Phys. B 30 055205 (2021)
  7. Romanov I A, Komarov F F et al Dokl. Akad. nauk 65 158 (2021)
  8. Pudalov V M Успехи физических наук 191 3 (2021) [Pudalov V M Phys.-Usp. 64 3 (2021)]
  9. Odzaev V B, Panfilenka A K et al Journal of the Belarusian State University. Physics (3) 55 (2020)
  10. Goldman E, Chucheva G et al International Conference on Micro- and Nano-Electronics 2018, (2019) p. 43
  11. Makarenko O, Zavalistyi O et al BKNUPhM (3) 99 (2018)
  12. Tyschenko I E, Krivyakin G K, Volodin V A Semiconductors 52 268 (2018)
  13. Tyschenko I E, Cherkov A G et al Semiconductors 51 1240 (2017)
  14. Staskov N I, Sotskaya L I J Appl Spectrosc 84 764 (2017)
  15. Zatsepin D A, Zatsepin A F et al Phys. Status Solidi B 252 2185 (2015)
  16. Andreev V V, Bondarenko G G et al Acta Phys. Pol. A 128 887 (2015)
  17. Likhachev D V Thin Solid Films 550 305 (2014)
  18. Nekrashevich S S, Gritsenko V A Phys. Solid State 56 207 (2014)
  19. Andreev V V, Bondarenko G G et al Acta Phys. Pol. A 125 1371 (2014)
  20. Jelenković E V, Kovačević M et al Microelectronic Engineering 104 90 (2013)
  21. Tetelbaum D I, Kuril’chik E V et al J. Synch. Investig. 7 631 (2013)
  22. Walz M-M, Vollnhals F et al J. Phys. D: Appl. Phys. 45 225306 (2012)
  23. Walz M -M, Vollnhals F et al 100 (5) (2012)
  24. Levshunova V L, Pokhil G P, Tetel’baum D I J. Synch. Investig. 5 276 (2011)
  25. Swain B S, Swain B P et al J. Phys. Chem. C 115 16745 (2011)
  26. Goldman E I, Kukharskaya N F et al Semiconductors 45 944 (2011)
© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение