Структура границ раздела кремний/оксид и нитрид/оксид

В настоящем обзоре систематизированы и обобщены современные представления об атомном строении границ раздела кремний/диэлектрик (Si/SiO₂, Si/SiO_xN_y) и диэлектрик/диэлектрик (Si₃N₄/SiO₂) в структурах, которые являются основой кремниевых приборов.

Текст pdf (1 Мб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.3367/UFNe.0179.200909a.0921

PACS: 61.43.−j, 61.66.Fn, 68.35.Dv, 71.55.Jv (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0179.200909a.0921
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2009/9/a/
Web of Science

000274047000001
Scopus

2-s2.0-76149089186
ADS NASA

2009PhyU...52..869G
Цитата: Гриценко В А "Структура границ раздела кремний/оксид и нитрид/оксид" УФН 179 921–930 (2009)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Gritsenko V A “Structure of silicon/oxide and nitride/oxide interfaces” Phys. Usp. 52 869–877 (2009); DOI: 10.3367/UFNe.0179.200909a.0921

Список литературы (43) ↓ Статьи, ссылающиеся на эту (26) Похожие статьи (20)

Гриценко В А Строение и электронная структура аморфных диэлектриков в кремниевых МДП-структурах (Новосибирск: Наука, 1993)
Gritsenko V A "Electronic structure and optical properties of silicon nitride" in Silicon Nitride in Electronics (Ed. A V Rzhanov) (Amsterdam: Elsevier, 1988)
Lowenstam H A, Weiner S On Biomineralization (Oxford: Oxford Univ. Press, 1989)
Green M L et al. J. Appl. Phys. 90 2057 (2001)
Gritsenko V A et al. Solid-State Electron. 47 1651 (2003)
Lee C-H, Park K-C, Kim K Appl. Phys. Lett. 87 073510 (2005)
Kingon A I, Maria J-P, Streiffer S K Nature 406 1032 (2000)
Robertson J Rep. Prog. Phys. 69 327 (2006)
Mishima T D, Lenahan P M, Weber W Appl. Phys. Lett. 76 3771 (2000)
Albohn J et al. J. Appl. Phys. 88 842 (2000)
Stesmans A, Van Gorp G Phys. Rev. B 52 8904 (1995)
Irene E A Solid-State Electron. 45 1207 (2001)
Gonon N et al. J. Appl. Phys. 76 5242 (1994)
Ayupov B M, Gritsenko V A, Wong H, Kim C W J. Electrochem. Soc. 153 F277 (2006)
Grunthaner F J et al. Phys. Rev. Lett. 43 1683 (1979)
Гриценко В А УФН 178 727 (2008); Gritsenko V A Phys. Usp. 51 699 (2008)
Fukuda H, Yasuda M, Iwabuchi T Appl. Phys. Lett. 61 693 (1992)
Gritsenko V A et al. J. Appl. Phys. 86 3234 (1999)
Bell F G, Ley L Phys. Rev. B 37 8383 (1988)
Queeney K T et al. J. Appl. Phys. 87 1322 (2000)
Himpsel F J et al. Phys. Rev. B 38 6084 (1988)
Oh J H et al. Phys. Rev. B 63 205310 (2001)
Terada N et al. Phys. Rev. B 46 2312 (1992)
Skuja L J. Non-Crystal. Solids 239 16 (1998)
Pacchioni G, Ieranò G Phys. Rev. Lett. 79 753 (1997)
Pacchioni G, Ieranò G Phys. Rev. B 56 7304 (1997)
Raghavachari K, Ricci D, Pacchioni G J. Chem. Phys. 116 825 (2002)
Hosono H et al. Phys. Rev. B 44 12043 (1991)
Vasquez R P et al. Appl. Phys. Lett. 44 969 (1984)
Gritsenko V A et al. J. Vac. Sci. Tech. B 21 241 (2003)
Alay J L, Hirose M J. Appl. Phys. 81 1606 (1997)
Okhonin S et al. Appl. Phys. Lett. 74 842 (1999)
Demkov A A, Sankey O F Phys. Rev. Lett. 83 2038 (1999)
Weinberg Z A Solid-State Electron. 20 11 (1977)
Гриценко В А, Могильников К П, Ржанов А В Письма в ЖЭТФ 27 400 (1978); Gritsenko V A, Mogil'nikov K P, Rzhanov A V JETP Lett. 27 375 (1978)
Witham H S, Lenahan P M Appl. Phys. Lett. 51 1007 (1987)
Pacchioni G, Ieranò G, Márquez A M Phys. Rev. Lett. 81 377 (1998)
Gritsenko V A et al. Phys. Rev. Lett. 81 1054 (1998)
Lu Z H et al. Appl. Phys. Lett. 67 2836 (1995)
Gritsenko V A et al. J. Electrochem. Soc. 146 780 (1999)
Roizin Ya, Gritsenko V "ONO structures in modern microelectronics: material science, characterization and application" in Dielectric Films for Advanced Microelectronics (Eds M Baklanov, M Greeen, K Maex) (Chichester: John Wiley & Sons, 2007)
Болотин В П и др. ДАН СССР 310 114 (1990)
Chaiyasena I A, Lenahan P M, Dunn G J J. Appl. Phys. 72 820 (1992)