Выпуски

 / 

2009

 / 

Сентябрь

  

Обзоры актуальных проблем


Структура границ раздела кремний/оксид и нитрид/оксид


Институт физики полупроводников СО РАН, просп. Ак. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация

В настоящем обзоре систематизированы и обобщены современные представления об атомном строении границ раздела кремний/диэлектрик (Si/SiO2, Si/SiOxNy) и диэлектрик/диэлектрик (Si3N4/SiO2) в структурах, которые являются основой кремниевых приборов.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
PACS: 61.43.−j, 61.66.Fn, 68.35.Dv, 71.55.Jv (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0179.200909a.0921
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2009/9/a/
Цитата: Гриценко В А "Структура границ раздела кремний/оксид и нитрид/оксид" УФН 179 921–930 (2009)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Gritsenko V A “Structure of silicon/oxide and nitride/oxide interfacesPhys. Usp. 52 869–877 (2009); DOI: 10.3367/UFNe.0179.200909a.0921

© Успехи физических наук, 1918–2019
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение