Выпуски

 / 

2003

 / 

Август

  

Обзоры актуальных проблем


Дефектно-примесная инженерия в имплантированном кремнии

 а,  б
а Белорусский государственный университет, физический факультет, Белоруссия, Минск, 220050, Беларусь
б НИИ прикладных физических проблем им. А.Н. Севченко при Белорусском государственном университете, пр. Курчатова 7, Минск, 220064, Беларусь

Изложены основные результаты исследований дефектно-примесного взаимодействия в имплантированном кремнии. Проанализированы факторы, влияющие на протекание квазихимических реакций: температура, уровень ионизации, внутренние электрические поля и поля упругих напряжений. Рассмотрены методы подавления образования остаточных нарушений (стержнеобразные дефекты, дислокационные петли), методы снижения коэффициентов диффузии примесей в имплантированном кремнии и методы геттерирования металлических примесей. Представлены примеры практической реализации дефектно-примесной инженерии в микроэлектронике.

Текст pdf (974 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2003v046n08ABEH001371
PACS: 61.72.Cc, 61.72.Tt, 61.72.Yx (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0173.200308b.0813
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2003/8/b/
000187205200002
Цитата: Челядинский А Р, Комаров Ф Ф "Дефектно-примесная инженерия в имплантированном кремнии" УФН 173 813–846 (2003)
BibTexBibNote ® (generic) BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks
Русский English
TY JOUR
TI Defect-impurity engineering in implanted silicon
AU Chelyadinskii, A. R.
AU Komarov, F. F.
PB Uspekhi Fizicheskikh Nauk
PY 2003
JO Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JF Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JA Usp. Fiz. Nauk
VL 173
IS 8
SP 813-846
UR https://ufn.ru/ru/articles/2003/8/b/
ER https://doi.org/10.3367/UFNr.0173.200308b.0813

English citation: Chelyadinskii A R, Komarov F F “Defect-impurity engineering in implanted siliconPhys. Usp. 46 789–820 (2003); DOI: 10.1070/PU2003v046n08ABEH001371

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение