Дефектно-примесная инженерия в имплантированном кремнии

А.Р. Челядинский^а, Ф.Ф. Комаров^б
^аБелорусский государственный университет, физический факультет, Белоруссия, Минск, 220050, Беларусь
^бНИИ прикладных физических проблем им. А.Н. Севченко при Белорусском государственном университете, пр. Курчатова 7, Минск, 220064, Беларусь

Изложены основные результаты исследований дефектно-примесного взаимодействия в имплантированном кремнии. Проанализированы факторы, влияющие на протекание квазихимических реакций: температура, уровень ионизации, внутренние электрические поля и поля упругих напряжений. Рассмотрены методы подавления образования остаточных нарушений (стержнеобразные дефекты, дислокационные петли), методы снижения коэффициентов диффузии примесей в имплантированном кремнии и методы геттерирования металлических примесей. Представлены примеры практической реализации дефектно-примесной инженерии в микроэлектронике.

Текст pdf (974 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2003v046n08ABEH001371

PACS: 61.72.Cc, 61.72.Tt, 61.72.Yx (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0173.200308b.0813
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2003/8/b/
Web of Science

000187205200002
Цитата: Челядинский А Р, Комаров Ф Ф "Дефектно-примесная инженерия в имплантированном кремнии" УФН 173 813–846 (2003)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Chelyadinskii A R, Komarov F F “Defect-impurity engineering in implanted silicon” Phys. Usp. 46 789–820 (2003); DOI: 10.1070/PU2003v046n08ABEH001371