Выпуски

 / 

1999

 / 

апрель

  

Конференции и симпозиумы


Одноэлектронные транзисторы на основе эффектов кулоновской блокады и квантовой интерференции

, , ,
Институт физики полупроводников СО РАН, просп. Ак. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация

Сессия РАН 16.12.1998

Текст pdf (445 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1999v042n04ABEH000458
PACS: 73.23.Hb
DOI: 10.3367/UFNr.0169.199904j.0471
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1999/4/j/
000080487700010
Цитата: Квон З Д, Литвин Л В, Ткаченко В А, Асеев А Л "Одноэлектронные транзисторы на основе эффектов кулоновской блокады и квантовой интерференции" УФН 169 471–474 (1999)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Kvon Z D, Litvin L V, Tkachenko V A, Aseev A L “One-electron transistors based on Coulomb blockade and quantum interferencePhys. Usp. 42 402–405 (1999); DOI: 10.1070/PU1999v042n04ABEH000458

Список литературы (7) Статьи, ссылающиеся на эту (12) Похожие статьи (20) ↓

  1. А.А. Быков, З.Д. Квон и др. «Квазибаллистический квантовый интерферометр» УФН 165 227–229 (1995)
  2. З.Д. Квон, Е.Б. Ольшанецкий и др. «Мезоскопические флуктуации проводимости кулоновского типа в двумерном электронном газе вблизи фактора заполнения ν=1/2» УФН 168 175–178 (1998)
  3. Е.Б. Ольшанецкий, В. Ренар и др. «Эффекты взаимодействия в транспорте и магнитотранспорте двумерных электронов в гетеропереходах AlGaAs/GaAs и Si/SiGe» УФН 176 222–227 (2006)
  4. В.М. Пудалов, С.В. Иорданский и др. «Объединенная научная сессия Отделения физических наук Российской академии наук и Объединенного физического общества Российской Федерации "Сильнокоррелированные электроны в двумерных системах" (26 октября 2005 г.)» УФН 176 213–219 (2006)
  5. В.А. Крупенин, С.В. Лотхов и др. «Зондирование динамических зарядовых состояний с помощью одноэлектронных туннельных транзисторов» УФН 168 219–222 (1998)
  6. Э.В. Девятов, А.А. Шашкин и др. «Туннельные измерения кулоновской псевдощели в двумерной электронной системе в квантующем магнитном поле» УФН 170 327–331 (2000)
  7. Д.Е. Преснов, В.А. Крупенин, С.В. Лотхов «Одноэлектронные структуры на основе сверхмалых туннельных переходов Al/AlOx/Al: технология изготовления, экспериментальные результаты» УФН 166 906–907 (1996)
  8. Ф.В. Хан, Л.В. Филиппенко и др. «Сверхпроводниковые генераторы терагерцового диапазона» УФН 195 621–634 (2025)
  9. Ю. Кениг, Х. Шеллер, Г. Шен «Резонансное туннелирование через одноэлектронный транзистор» УФН 168 170–175 (1998)
  10. Д.А. Иванов, М.В. Фейгельман «Кулоновские эффекты в баллистическом одноканальном S-S-S-транзисторе» УФН 168 212–216 (1998)
  11. З.Д. Квон, И.Г. Неизвестный, В.Н. Овсюк «Влияние поверхностной сверхрешетки на двумерный газ электронов» УФН 146 353–355 (1985)
  12. Е.С. Солдатов, В.В. Ханин и др. «Молекулярный одноэлектронный транзистор, работающий при комнатной температуре» УФН 168 217–219 (1998)
  13. М.В. Фейгельман «Квантовый бит на основе джозефсоновского контакта обычного и высокотемпературного сверхпроводников (теория)» УФН 169 917–919 (1999)
  14. С.В. Демишев, В.Н. Рыжов, С.М. Стишов «Сильно коррелированные электронные системы и квантовые критические явления (11 апреля 2003 г., г. Троицк, Московская обл.)» УФН 174 449–456 (2004)
  15. И.А. Щербаков «Твердотельные лазеры — одно из важнейших направлений квантовой электроники» УФН 174 1120–1124 (2004)
  16. А.Л. Микаэлян «От квантовой электроники — к лазерной технике (первые шаги применения)» УФН 174 1124–1128 (2004)
  17. О.Н. Крохин «Ранние годы квантовой электроники» УФН 174 1117 (2004)
  18. М. Паско, Ж. Монтамбо «Интерференционные эффекты в мезоскопических неупорядоченных кольцах и проволоках» УФН 168 196–200 (1998)
  19. А.В. Субашиев «Эффективные эмиттеры поляризованных электронов на основе полупроводниковых наноструктур» УФН 171 1376–1379 (2001)
  20. В.Д. Кулаковский, М. Бауэр и др. «Экситонные комплексы в InGaAs/GaAs квантовых точках» УФН 168 123–127 (1998)

Список формируется автоматически.

© Успехи физических наук, 1918–2026
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение