RSS-ленты
РусскийEnglish
Выпуск 12, 2024
Том год страница
Выпуски Авторы PACS Подписчикам Для авторов

Выпуски

 / 

1999

 / 

Апрель

←  →

Конференции и симпозиумы


Одноэлектронные транзисторы на основе эффектов кулоновской блокады и квантовой интерференции

, , ,
Институт физики полупроводников СО РАН, просп. Ак. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация

Сессия РАН 16.12.1998

Текст pdf (445 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1999v042n04ABEH000458
PACS: 73.23.Hb
DOI: 10.3367/UFNr.0169.199904j.0471
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1999/4/j/
000080487700010
Цитата: Квон З Д, Литвин Л В, Ткаченко В А, Асеев А Л "Одноэлектронные транзисторы на основе эффектов кулоновской блокады и квантовой интерференции" УФН 169 471–474 (1999)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Kvon Z D, Litvin L V, Tkachenko V A, Aseev A L “One-electron transistors based on Coulomb blockade and quantum interference” Phys. Usp. 42 402–405 (1999); DOI: 10.1070/PU1999v042n04ABEH000458

Список литературы (7) Статьи, ссылающиеся на эту (12) Похожие статьи (15) ↓

  1. А.А. Быков, З.Д. Квон и др. «Квазибаллистический квантовый интерферометр» УФН 165 227–229 (1995)
  2. З.Д. Квон, Е.Б. Ольшанецкий и др. «Мезоскопические флуктуации проводимости кулоновского типа в двумерном электронном газе вблизи фактора заполнения ν=1/2» УФН 168 175–178 (1998)
  3. Е.Б. Ольшанецкий, В. Ренар и др. «Эффекты взаимодействия в транспорте и магнитотранспорте двумерных электронов в гетеропереходах AlGaAs/GaAs и Si/SiGe» УФН 176 222–227 (2006)
  4. В.М. Пудалов, С.В. Иорданский и др. «Объединенная научная сессия Отделения физических наук Российской академии наук и Объединенного физического общества Российской Федерации «Сильнокоррелированные электроны в двумерных системах» (26 октября 2005 г.)» УФН 176 213–219 (2006)
  5. С.В. Иванов, П.С. Копьев, А.А. Торопов «Сине-зеленые лазеры на основе короткопериодных сверхрешеток в системе А2В6» УФН 169 468–471 (1999)
  6. М.В. Фейгельман «Квантовый бит на основе джозефсоновского контакта обычного и высокотемпературного сверхпроводников (теория)» УФН 169 917–919 (1999)
  7. З.Д. Квон, И.Г. Неизвестный, В.Н. Овсюк «Влияние поверхностной сверхрешетки на двумерный газ электронов» УФН 146 353–355 (1985)
  8. А.Г. Забродский «Кулоновская щель и фазовый переход металл-изолятор в легированных полупроводниках» УФН 168 804–808 (1998)
  9. Э.В. Девятов, А.А. Шашкин и др. «Туннельные измерения кулоновской псевдощели в двумерной электронной системе в квантующем магнитном поле» УФН 170 327–331 (2000)
  10. А.Н. Алёшин «Органическая оптоэлектроника на основе композитных (полимер—неорганические наночастицы) материалов» УФН 183 657–664 (2013)
  11. З.Ф. Красильник, А.В. Новиков «Оптические свойства напряженных гетероструктур на основе Si1-xGex и Si1-x-yGexCy» УФН 170 338–341 (2000)
  12. А.В. Субашиев «Эффективные эмиттеры поляризованных электронов на основе полупроводниковых наноструктур» УФН 171 1376–1379 (2001)
  13. Ю.И. Латышев «Квантовая интерференция движущейся волны зарядовой плотности на колоннообразных дефектах, содержащих магнитный поток» УФН 169 924–926 (1999)
  14. И.Л. Крестников, В.В. Лундин и др. «Гетероструктуры на основе нитридов третьей группы: технология, свойства, светоизлучающие приборы» УФН 171 857–858 (2001)
  15. Д.Е. Преснов, В.А. Крупенин, С.В. Лотхов «Одноэлектронные структуры на основе сверхмалых туннельных переходов Al/AlOx/Al: технология изготовления, экспериментальные результаты» УФН 166 906–907 (1996)

Список формируется автоматически.
© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение