Одноэлектронные транзисторы на основе эффектов кулоновской блокады и квантовой интерференции

З.Д. Квон, Л.В. Литвин, В.А. Ткаченко, А.Л. Асеев
Институт физики полупроводников СО РАН, просп. Ак. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация

Сессия РАН 16.12.1998

Текст pdf (445 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1999v042n04ABEH000458

PACS: 73.23.Hb
DOI: 10.3367/UFNr.0169.199904j.0471
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1999/4/j/
Web of Science

000080487700010
Цитата: Квон З Д, Литвин Л В, Ткаченко В А, Асеев А Л "Одноэлектронные транзисторы на основе эффектов кулоновской блокады и квантовой интерференции" УФН 169 471–474 (1999)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Kvon Z D, Litvin L V, Tkachenko V A, Aseev A L “One-electron transistors based on Coulomb blockade and quantum interference” Phys. Usp. 42 402–405 (1999); DOI: 10.1070/PU1999v042n04ABEH000458

Список литературы (7) ↓ Статьи, ссылающиеся на эту (12) Похожие статьи (15)

Likharev K K IBM J. Res. Dev. 32 144 (1988)
Baksheyev D G, Tkachenko V A Herald Russian Acad. Tech. Sci. 1 (7b) 723 (1994)
Fowler A B "Semiconductor interferometer" US Patent 4550330 (1984)
Washburn S et al. Phys. Rev. B 38 1554 (1988)
Петров В А, Сандлер И М Микроэлектроника 23 (4) 3 (1994)
Быков А А, Литвин Л В, Мощенко С П Письма в ЖЭТФ 61 974 (1995)
Tkachenko V A et al. Physica B 175 75 (1991)