Выпуски

 / 

1999

 / 

Апрель

  

Конференции и симпозиумы


Одноэлектронные транзисторы на основе эффектов кулоновской блокады и квантовой интерференции

, , ,
Институт физики полупроводников СО РАН, просп. Ак. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация

Сессия РАН 16.12.1998

Текст pdf (445 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1999v042n04ABEH000458
PACS: 73.23.Hb
DOI: 10.3367/UFNr.0169.199904j.0471
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1999/4/j/
000080487700010
Цитата: Квон З Д, Литвин Л В, Ткаченко В А, Асеев А Л "Одноэлектронные транзисторы на основе эффектов кулоновской блокады и квантовой интерференции" УФН 169 471–474 (1999)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Kvon Z D, Litvin L V, Tkachenko V A, Aseev A L “One-electron transistors based on Coulomb blockade and quantum interferencePhys. Usp. 42 402–405 (1999); DOI: 10.1070/PU1999v042n04ABEH000458

Список литературы (7) ↓ Статьи, ссылающиеся на эту (12) Похожие статьи (15)

  1. Likharev K K IBM J. Res. Dev. 32 144 (1988)
  2. Baksheyev D G, Tkachenko V A Herald Russian Acad. Tech. Sci. 1 (7b) 723 (1994)
  3. Fowler A B "Semiconductor interferometer" US Patent 4550330 (1984)
  4. Washburn S et al. Phys. Rev. B 38 1554 (1988)
  5. Петров В А, Сандлер И М Микроэлектроника 23 (4) 3 (1994)
  6. Быков А А, Литвин Л В, Мощенко С П Письма в ЖЭТФ 61 974 (1995)
  7. Tkachenko V A et al. Physica B 175 75 (1991)

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение