Одноэлектронные транзисторы на основе эффектов кулоновской блокады и квантовой интерференции

З.Д. Квон, Л.В. Литвин, В.А. Ткаченко, А.Л. Асеев
Институт физики полупроводников СО РАН, просп. Ак. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация

Сессия РАН 16.12.1998

Текст pdf (445 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1999v042n04ABEH000458

PACS: 73.23.Hb
DOI: 10.3367/UFNr.0169.199904j.0471
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1999/4/j/
Web of Science

000080487700010
Цитата: Квон З Д, Литвин Л В, Ткаченко В А, Асеев А Л "Одноэлектронные транзисторы на основе эффектов кулоновской блокады и квантовой интерференции" УФН 169 471–474 (1999)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)Medline

RefWorks

Русский

English

RT Journal
T1 Одноэлектронные транзисторы на основе эффектов кулоновской блокады и квантовой интерференции
A1 Квон,З.Д.
A1 Литвин,Л.В.
A1 Ткаченко,В.А.
A1 Асеев,А.Л.
PB Успехи физических наук
PY 1999
FD 10 Apr, 1999
JF Успехи физических наук
JO Усп. физ. наук
VO 169
IS 4
SP 471-474
DO 10.3367/UFNr.0169.199904j.0471
LK https://ufn.ru/ru/articles/1999/4/j/

English citation: Kvon Z D, Litvin L V, Tkachenko V A, Aseev A L “One-electron transistors based on Coulomb blockade and quantum interference” Phys. Usp. 42 402–405 (1999); DOI: 10.1070/PU1999v042n04ABEH000458