Выпуски

 / 

2001

 / 

Август

  

Конференции и симпозиумы


Гетероструктуры на основе нитридов третьей группы: технология, свойства, светоизлучающие приборы

 а,  а,  а,  а,  а,  а,  а,  а,  а,  а, б, в,  а
а Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Российская Федерация
б Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН, ул. Хлопина 8, корп. 3, Санкт-Петербург, 194021, Российская Федерация
в Vertically Integrated Systems (VI Systems GmbH), Hardenbergstr 7, Berlin, 10623, Germany
Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
PACS: 42.55.Px, 85.30.Vw
DOI: 10.3367/UFNr.0171.200108e.0857
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2001/8/e/
Цитата: Крестников И Л, Лундин В В, Сахаров А В, Бедарев Д А, Заварин Е Е, Мусихин Ю Г, Шмидт Н М, Цацульников А Ф, Усиков А С, Леденцов Н Н, Алферов Ж И "Гетероструктуры на основе нитридов третьей группы: технология, свойства, светоизлучающие приборы" УФН 171 857–858 (2001)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Krestnikov I L, Lundin V V, Sakharov A V, Bedarev D A, Zavarin E E, Musikhin Yu G, Shmidt N M, Tsatsul’nikov A F, Usikov A S, Ledentsov N N, Alferov Zh I “Heterostructures based on nitrides of group III elements: technical processes, properties, and light-emitting devicesPhys. Usp. 44 815–816 (2001); DOI: 10.1070/PU2001v044n08ABEH000968

© Успехи физических наук, 1918–2019
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение