Выпуски

 / 

1998

 / 

Июль

  

Конференции и симпозиумы


Кулоновская щель и фазовый переход металл-изолятор в легированных полупроводниках


Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Российская Федерация

Сессия РАН 26.11. 1997 г.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
PACS: 71.30.+h
DOI: 10.3367/UFNr.0168.199807h.0804
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1998/7/h/
Цитата: Забродский А Г "Кулоновская щель и фазовый переход металл-изолятор в легированных полупроводниках" УФН 168 804–808 (1998)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Zabrodskii A G “Coulomb gap and metal-insulator transitions in doped semiconductorsPhys. Usp. 41 722–726 (1998); DOI: 10.1070/PU1998v041n07ABEH000422

© Успехи физических наук, 1918–2019
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение