Одноэлектронные транзисторы на основе эффектов кулоновской блокады и квантовой интерференции

З.Д. Квон, Л.В. Литвин, В.А. Ткаченко, А.Л. Асеев
Институт физики полупроводников СО РАН, просп. Ак. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация

Сессия РАН 16.12.1998

Текст pdf (445 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1999v042n04ABEH000458

PACS: 73.23.Hb
DOI: 10.3367/UFNr.0169.199904j.0471
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1999/4/j/
Web of Science

000080487700010
Цитата: Квон З Д, Литвин Л В, Ткаченко В А, Асеев А Л "Одноэлектронные транзисторы на основе эффектов кулоновской блокады и квантовой интерференции" УФН 169 471–474 (1999)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)

MedlineRefWorks

Русский

English

PT Journal Article
TI Одноэлектронные транзисторы на основе эффектов кулоновской блокады и квантовой интерференции
AU Квон З Д
FAU Квон ЗД
AU Литвин Л В
FAU Литвин ЛВ
AU Ткаченко В А
FAU Ткаченко ВА
AU Асеев А Л
FAU Асеев АЛ
DP 10 Apr, 1999
TA Усп. физ. наук
VI 169
IP 4
PG 471-474
RX 10.3367/UFNr.0169.199904j.0471
URL https://ufn.ru/ru/articles/1999/4/j/
SO Усп. физ. наук 1999 Apr 10;169(4):471-474

English citation: Kvon Z D, Litvin L V, Tkachenko V A, Aseev A L “One-electron transistors based on Coulomb blockade and quantum interference” Phys. Usp. 42 402–405 (1999); DOI: 10.1070/PU1999v042n04ABEH000458