Зе Дон Квон



Институт физики полупроводников СО РАН
Адрес: просп. Ак. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация

Новосибирский государственный университет
Адрес: Академгородок, ул. Пирогова 2, Новосибирск, 630090, Российская Федерация
Телефон: +7 (3832) 30 32 44
Факс: +7 (3832) 39 71 01
Вебсайт:


Статьи

  1. З.Д. Квон, Д.А. Козлов, Е.Б. Ольшанецкий и др. «Топологические изоляторы на основе HgTe» 190 673–692 (2020)
  2. В.М. Пудалов, С.В. Иорданский, А. Кашуба и др. «Объединенная научная сессия Отделения физических наук Российской академии наук и Объединенного физического общества Российской Федерации «Сильнокоррелированные электроны в двумерных системах» (26 октября 2005 г.)» 176 213–219 (2006)
  3. Е.Б. Ольшанецкий, В. Ренар, З.Д. Квон и др. «Эффекты взаимодействия в транспорте и магнитотранспорте двумерных электронов в гетеропереходах AlGaAs/GaAs и Si/SiGe» 176 222–227 (2006)
  4. З.Д. Квон, Л.В. Литвин, В.А. Ткаченко, А.Л. Асеев «Одноэлектронные транзисторы на основе эффектов кулоновской блокады и квантовой интерференции» 169 471–474 (1999)
  5. З.Д. Квон, Е.Б. Ольшанецкий, Г.М. Гусев и др. «Мезоскопические флуктуации проводимости кулоновского типа в двумерном электронном газе вблизи фактора заполнения ν=1/2» 168 175–178 (1998)
  6. А.А. Быков, З.Д. Квон, Е.Б. Ольшанский и др. «Квазибаллистический квантовый интерферометр» 165 227–229 (1995)
  7. З.Д. Квон, И.Г. Неизвестный, В.Н. Овсюк «Влияние поверхностной сверхрешетки на двумерный газ электронов» 146 353–355 (1985)

См. также: Е.Б. Ольшанецкий, В.Л. Гинзбург, А.Л. Асеев, Л.В. Литвин, А.И. Торопов, И.В. Горный, Ж.К. Портал, В. Ренар, Г.А. Аскарьян, Г.М. Гусев, А.В. Гуревич, Ю.В. Копаев, В.М. Пудалов, Е.Л. Фейнберг, П.С. Копьев

PACS: 01.10.Fv, 73.43.Qt, 73.63.Hs, 71.27.+a, 71.30.+h, 72.15.Rn, 73.23.Hb, 05.45.+b, 73.40.Gk, 07.60.Ly, 73.21.Cd, 73.20.At, 73.63.-b

© Успехи физических наук, 1918–2020
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение