Л.В. Литвин



Институт физики полупроводников СО РАН
Адрес: просп. Ак. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация


Статьи

  1. З.Д. Квон, Л.В. Литвин, В.А. Ткаченко, А.Л. Асеев «Одноэлектронные транзисторы на основе эффектов кулоновской блокады и квантовой интерференции» 169 471–474 (1999)
  2. А.А. Быков, З.Д. Квон, Е.Б. Ольшанский и др. «Квазибаллистический квантовый интерферометр» 165 227–229 (1995)

См. также: З.Д. Квон, А.Л. Асеев, В.Л. Гинзбург, В.А. Ткаченко, А.А. Быков, Е.Б. Ольшанский, М.Р. Бакланов, Ю.В. Настаушев, В.Г. Мансуров, В.П. Мигаль, С.П. Мощенко, Г.А. Аскарьян, А.В. Гуревич, Ю.В. Копаев, Е.Л. Фейнберг

PACS: 73.23.Hb, 01.10.Fv, 07.60.Ly

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение