Выпуски

 / 

1998

 / 

Октябрь

  

Обзоры актуальных проблем


Моноатомные ступени на поверхности кремния

,
Институт физики полупроводников СО РАН, просп. Ак. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация

Приведен обзор результатов исследования моноатомных ступеней на поверхностях кремния с помощью in situ экспериментов в методе отражательной электронной микроскопии в сверхвысоком вакууме. Приведены данные об увеличении динамического линейного натяжения ступеней при сублимации, о процессах формирования эшелонов и антиэшелонов моноатомных ступеней, об эффектах электромиграции, об аномально высокой плотности адатомов на нереконструированной поверхности и начальных стадиях эпитаксиального роста.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
English fulltext is available at IOP
PACS: 68.35.p, 68.55.a, 81.15.Hi
DOI: 10.3367/UFNr.0168.199810c.1117
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1998/10/c/
Цитата: Латышев А В, Асеев А Л "Моноатомные ступени на поверхности кремния" УФН 168 1117–1127 (1998)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Latyshev A V, Aseev A L “Monatomic steps on silicon surfacesPhys. Usp. 41 1015–1023 (1998); DOI: 10.1070/PU1998v041n10ABEH000462

© Успехи физических наук, 1918–2020
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение