Приведен обзор результатов исследования моноатомных ступеней на поверхностях кремния с помощью in situ экспериментов в методе отражательной электронной микроскопии в сверхвысоком вакууме. Приведены данные об увеличении динамического линейного натяжения ступеней при сублимации, о процессах формирования эшелонов и антиэшелонов моноатомных ступеней, об эффектах электромиграции, об аномально высокой плотности адатомов на нереконструированной поверхности и начальных стадиях эпитаксиального роста.

PACS: 68.35.p, 68.55.a, 81.15.Hi DOI: 10.3367/UFNr.0168.199810c.1117 URL: https://ufn.ru/ru/articles/1998/10/c/ 000076871800003 Цитата: Латышев А В, Асеев А Л "Моноатомные ступени на поверхности кремния" УФН 168 1117–1127 (1998) BibTexBibNote ® (generic) BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks Русский English TY JOUR TI Моноатомные ступени на поверхности кремния AU Латышев, А. В. AU Асеев, А. Л. PB Успехи физических наук PY 1998 JO Успехи физических наук JF Успехи физических наук JA Усп. физ. наук VL 168 IS 10 SP 1117-1127 UR https://ufn.ru/ru/articles/1998/10/c/ ER https://doi.org/10.3367/UFNr.0168.199810c.1117 English citation: Latyshev A V, Aseev A L “Monatomic steps on silicon surfaces” Phys. Usp. 41 1015–1023 (1998); DOI: 10.1070/PU1998v041n10ABEH000462