Александр Васильевич Латышев



Домашняя страница:

Институт физики полупроводников СО РАН
Адрес: просп. Ак. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация


Статьи

  1. А.В. Латышев, А.Л. Асеев «Моноатомные ступени на поверхности кремния» 168 1117–1127 (1998)

Подписи в персоналиях

  1. В.И. Гавриленко, С.В. Гапонов, Г.Г. Денисов и др. «Захарий Фишелевич Красильник (к 70-летию со дня рождения)» 188 119–120 (2018)

См. также: А.Ф. Андреев, В.Л. Гинзбург, Л.В. Келдыш, А.Н. Скринский, Г.А. Месяц, Е.П. Велихов, Л.П. Питаевский, А.М. Прохоров, А.С. Боровик-Романов, Б.Б. Кадомцев, Ж.И. Алферов, В.А. Матвеев, Е.Л. Фейнберг, В.Е. Фортов, В.А. Рубаков

PACS: 01.60.+q, 68.35.p, 68.55.a, 81.15.Hi

© Успехи физических наук, 1918–2021
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение