Александр Васильевич Латышев



Домашняя страница:

Институт физики полупроводников СО РАН
Адрес: просп. Ак. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация


Статьи

  1. А.В. Латышев, А.Л. Асеев «Моноатомные ступени на поверхности кремния» 168 1117–1127 (1998)

Подписи в персоналиях

  1. Ю.Ю. Балега, Г.А. Жеребцов, Ю.Н. Кульчин и др. «Сергей Николаевич Багаев (к 80-летию со дня рождения)» 191 1123–1124 (2021)
  2. А.Л. Асеев, А.С. Бугаев, Е.П. Велихов и др. «Памяти Владислава Ивановича Пустовойта» 191 899–900 (2021)
  3. В.И. Гавриленко, С.В. Гапонов, Г.Г. Денисов и др. «Захарий Фишелевич Красильник (к 70-летию со дня рождения)» 188 119–120 (2018)

См. также: А.Ф. Андреев, В.Л. Гинзбург, Л.В. Келдыш, Г.А. Месяц, А.Н. Скринский, Л.П. Питаевский, Е.П. Велихов, А.М. Прохоров, В.А. Матвеев, Б.Б. Кадомцев, А.С. Боровик-Романов, В.А. Рубаков, Ж.И. Алферов, Е.Л. Фейнберг, В.Е. Фортов

PACS: 01.60.+q, 68.35.p, 68.55.a, 81.15.Hi

© Успехи физических наук, 1918–2023
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение