Моноатомные ступени на поверхности кремния

Приведен обзор результатов исследования моноатомных ступеней на поверхностях кремния с помощью in situ экспериментов в методе отражательной электронной микроскопии в сверхвысоком вакууме. Приведены данные об увеличении динамического линейного натяжения ступеней при сублимации, о процессах формирования эшелонов и антиэшелонов моноатомных ступеней, об эффектах электромиграции, об аномально высокой плотности адатомов на нереконструированной поверхности и начальных стадиях эпитаксиального роста.

Текст pdf (483 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1998v041n10ABEH000462

PACS: 68.35.p, 68.55.a, 81.15.Hi
DOI: 10.3367/UFNr.0168.199810c.1117
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1998/10/c/
Web of Science

000076871800003
Цитата: Латышев А В, Асеев А Л "Моноатомные ступени на поверхности кремния" УФН 168 1117–1127 (1998)

BibTex

BibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Русский

English

%0 Journal Article
%T Моноатомные ступени на поверхности кремния
%A А. В. Латышев
%A А. Л. Асеев
%I Успехи физических наук
%D 1998
%J Усп. физ. наук
%V 168
%N 10
%P 1117-1127
%U https://ufn.ru/ru/articles/1998/10/c/
%U https://doi.org/10.3367/UFNr.0168.199810c.1117

English citation: Latyshev A V, Aseev A L “Monatomic steps on silicon surfaces” Phys. Usp. 41 1015–1023 (1998); DOI: 10.1070/PU1998v041n10ABEH000462