RSS-ленты
РусскийEnglish
Выпуск 4, 2024
Том год страница
Выпуски Авторы PACS Подписчикам Для авторов

Выпуски

 / 

1998

 / 

Октябрь

←  →

Обзоры актуальных проблем


Моноатомные ступени на поверхности кремния

,
Институт физики полупроводников СО РАН, просп. Ак. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация

Приведен обзор результатов исследования моноатомных ступеней на поверхностях кремния с помощью in situ экспериментов в методе отражательной электронной микроскопии в сверхвысоком вакууме. Приведены данные об увеличении динамического линейного натяжения ступеней при сублимации, о процессах формирования эшелонов и антиэшелонов моноатомных ступеней, об эффектах электромиграции, об аномально высокой плотности адатомов на нереконструированной поверхности и начальных стадиях эпитаксиального роста.

Текст pdf (483 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1998v041n10ABEH000462
PACS: 68.35.p, 68.55.a, 81.15.Hi
DOI: 10.3367/UFNr.0168.199810c.1117
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1998/10/c/
000076871800003
Цитата: Латышев А В, Асеев А Л "Моноатомные ступени на поверхности кремния" УФН 168 1117–1127 (1998)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Latyshev A V, Aseev A L “Monatomic steps on silicon surfaces” Phys. Usp. 41 1015–1023 (1998); DOI: 10.1070/PU1998v041n10ABEH000462

Список литературы (73) ↓ Статьи, ссылающиеся на эту (18) Похожие статьи (20)

  1. Rzhanov A V Elektronnye Protsessy na Poverkhnosti Poluprovodnikov (Electronic Processes on Semiconductor Surfaces) (Moscow: Nauka, 1971)
  2. Hasegawa S, Ino S Int. J. Mod. Phys. B 7 3817 (1993)
  3. Bechstedt F, Enderlein R Semiconductor Surfaces and Interfaces: Their Atomic and Electronic Structures (Physical Research, Vol. 5) (Berlin: Akademie-Verlag, 1988); Translated into Russian, Bechstedt F, Enderlein R Semiconductor Surfaces and Interfaces: Their Atomic and Electronic Structures (Physical Research, Vol. 5) (Moscow: Mir, 1990)
  4. Nesterenko B A, Snitko O V Fizicheskie Svo&ibreve;stva Atomarno-Chisto&ibreve; Poverkhnosti Poluprovodnikov (Physical Properties of Atomically Clean Semiconductor Surface) (Kiev: Naukova Dumka, 1983); Translated into English, Nesterenko B A, Snitko O V Fizicheskie Svo&ibreve;stva Atomarno-Chisto&ibreve; Poverkhnosti Poluprovodnikov (Physical Properties of Atomically Clean Semiconductor Surface) (Moscow: Nauka, 1988)
  5. Nesterenko B A, Lyapin V G Fazovye Perekhody na Svobodnykh Granyakh i Mezhfaznykh Granitsakh v Poluprovodnikakh (Transitions on Free Faces and Phase Interfaces in Semiconductors) (Kiev: Naukova Dumka, 1990)
  6. Wiesendanger R, Guntherodt H-J (Eds) Scanning Tunneling Microscopy III (Berlin, New York: Springer-Verlag, 1993)
  7. Kondo Y et al Ultramicroscopy 35 111 (1991)
  8. Aseev A L, Latyshev A V, Stenin S I Electron Microscopy Vol. 2 (Budapest, 1984) p. 1215
  9. Uchida Y, Lehmpfuhl G Surf. Sci. 188 364 (1987)
  10. Bauer E et al Ultramicroscopy 31 49 (1989)
  11. Telieps W, Bauer E Surf. Sci. 162 163 (1985)
  12. Ruska E Z. Phys. 83 492 (1933); Ruska E Nobel Lecture (Stockholm, 1986), 8 December; Ruska E Usp. Fiz. Nauk 154 243 (1988)
  13. Takayanagi K et al J. Phys. Sci. Instrum. 11 441 (1978)
  14. Aseev A L, Latyshev A V, Stenin S I Problemy Elektronnogo Materialovedeniya (Problems in Electronic Materials Science) (Novosibirsk: Nauka, 1986) p. 109
  15. Latyshev A V, Krasil'nikov A B, Vyrypaev B A, Aseev A L USSR Certificate of Authorship No. 1772702, priority date (1990), 1 January
  16. Osakabe N et al Surf. Sci. 97 393 (1980)
  17. Ishikawa Y et al Surf. Sci. 159 256 (1985)
  18. Wang Z L Reflection Electron Microscopy and Spectroscopy for Surface Analysis (Cambridge, New York: Cambridge Univ. Press, 1996) p. 430
  19. Yagi K Surf. Sci. Rep. 17 305 (1993)
  20. Latyshev A V et al Surf. Sci. 227 24 (1990)
  21. Alfonso C et al Surf. Sci. 262 371 (1992)
  22. Bartelt N C et al Phys. Rev. B 48 15453 (1993)
  23. Latyshev A V et al Phys. Rev. Lett. 76 94 (1996)
  24. Latyshev A V et al Jpn. J. Appl. Phys. 34 5768 (1995)
  25. Nozieres P Solids Far from Equilibrium (Ed. C Godreche) (Cambridge, New York: Cambridge Univ. Press, 1991) p. 1
  26. Bartelt N C, Tromp R M, Williams E D Phys. Rev. Lett. 73 165 (1994)
  27. Uwaha M, Saito Y, Sato M J. Cryst. Growth 146 164 (1995)
  28. Schwoebel R L, Shipsey E J J. Appl. Phys. 37 3682 (1966)
  29. van Leeuwen C, van Rosmalen R, Bennema P Surf. Sci. 44 213 (1974)
  30. Latyshev A V et al Dokl. Akad. Nauk SSSR 300 84 (1988); Latyshev A V et al Sov. Phys. Dokl. 33 352 (1988)
  31. Latyshev A Vet Surf. Sci. 213 157 (1989)
  32. Litvin L V, Krasilnikov A B, Latyshev A V Surf. Sci. Lett. 244 L121 (1991)
  33. Stoyanov S, Nakahara H, Ishikawa M Jpn. J. Appl. Phys. 33 254 (1994)
  34. Homma Y, Suzuki M Appl. Surf. Sci. 60/61 479 (1992)
  35. Suzuki M et al Appl. Surf. Sci. 60/61 460 (1992)
  36. Tokumoto H, Iwatsuki M Jpn. J. Appl. Phys. 32 1368 (1993)
  37. Ramstad M J et al Europhys. Lett. 24 653 (1993)
  38. Latyshev A V, Litvin L V, Aseev A L Appl. Surf. Sci. (1998), (in press)
  39. Lighthill M J, Whitham G B Proc. R. Soc. London Ser. A 229 281 (1955)
  40. Chernov A A Usp. Fiz. Nauk 73 277 (1961); Chernov A A Sov. Phys. Usp. 4 116 (1961)
  41. Geguzin Ya E, Kaganovski&ibreve; Yu S Diffuzionnye Protsessy na Poverkhnosti Kristalla (Diffusion Processes on Crystal Surface) (Moscow: Energoatomizdat, 1984)
  42. Burton W K, Cabrera N, Frank F C Philos. Trans. R. Soc. London Ser. A 243 299 (1951)
  43. Stoyanov S Jpn. J. Appl. Phys. 29 L659 (1990); Stoyanov S Appl. Surf. Sci. 60/61 55 (1990); Stoyanov S Jpn. J. Appl. Phys. 30 1 (1991)
  44. Natori A, Fujimura H, Fukuda M Appl. Surf. Sci. 60/61 85 (1992)
  45. Natori A, Fujimura H, Yasunaga H Jpn. J. Appl. Phys. 31 1164 (1992)
  46. Yasunaga H, Natori A Surf. Sci. Rep. 15 205 (1992)
  47. Marchenko V I, Parshin A Ya Zh. Eksp. Teor. Fiz. 79 257 (1980); Marchenko V I, Parshin A Ya Sov. Phys. JETP 52 129 (1980)
  48. Krug J, Dobbs H T Phys. Rev. Lett. 73 1947 (1994)
  49. Kandel D, Weeks J D Phys. Rev. Lett. 69 3758 (1992); Kandel D, Weeks J D Phys. Rev. Lett. 72 1678 (1994); Kandel D, Weeks J D Phys. Rev. Lett. 74 3632 (1995)
  50. Fiks V B Fiz. Tverd. Tela (Leningrad) 1 1321 (1959)
  51. Kandel D, Kaxiras E Phys. Rev. Lett. 76 1114 (1996)
  52. Latyshev A V, Krasilnikov A B, Aseev A L Ultramicroscopy 48 377 (1993)
  53. Latyshev A V, Krasilnikov A B, Aseev A L Surf. Sci. 311 395 (1994)
  54. Tanishiro Y, Takayanagi K, Yagi K Ultramicroscopy 11 95 (1983)
  55. Latyshev A V, Aseev A L, Stenin S I Pis'ma Zh. Eksp. Teor. Fiz. 47 448 (1988); Latyshev A V, Aseev A L, Stenin S I JETP Lett. 47 530 (1988)
  56. Latyshev A V et al Surf. Sci. 254 90 (1991)
  57. Kohmoto S, Ichimiya A Surf. Sci. 223 400 (1989)
  58. Iwatsuki M et al Appl. Surf. Sci. 60/61 580 (1992)
  59. Yang Y-N, Williams E D Phys. Rev. Lett. 72 1862 (1994)
  60. Latyshev A V et al Pis'ma Zh. Eksp. Teor. Fiz. 4848 4 (1988); Latyshev A V et al JET P Lett. 48 526 (1988)
  61. Webb M et al Surf. Sci. 242 23 (1991)
  62. Latyshev A V et al Phys. Status Solidi A 113 421 (1989)
  63. Latyshev A V, Krasilnikov A B, Aseev A L Phys. Rev. B 54 2586 (1996)
  64. Stoyanov S J. Cryst. Growth 94 751 (1989)
  65. Venables J A, Spiller G D T, Hanbucken M Rep. Prog. Phys. 47 399 (1984)
  66. Latyshev A V, Krasilnikov A B, Aseev A 'LPhys. Status Solidi A 146 251 (1994)
  67. Alfonso C, Heyraud J C, Metois J J Surf. Sci. Lett. 291 745 (1993)
  68. Senft D C, Ehrlich G Phys. Rev. Lett. 74 294 (1995)
  69. Latyshev A V, Krasilnikov A B, Aseev A L Thin Solid Films 281/282 20 (1996)
  70. Lamin M A et al Surf. Sci. 207 418 (1989)
  71. Aseev A L, Latyshev A V, Krasilnikov A B J. Cryst. Growth 115 393 (1991)
  72. Krasilnikov A B et al J. Cryst. Growth 116 178 (1992)
  73. Krasilnikov A B, Latyshev A V, Aseev A L Surf. Sci. 290 232 (1993)
© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение