RSS-ленты
РусскийEnglish
Выпуск 11, 2025
Том год страница
Выпуски Авторы PACS Подписчикам Для авторов

Выпуски

 / 

1998

 / 

Октябрь

←  →

Обзоры актуальных проблем


Моноатомные ступени на поверхности кремния

,
Институт физики полупроводников СО РАН, просп. Ак. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация

Приведен обзор результатов исследования моноатомных ступеней на поверхностях кремния с помощью in situ экспериментов в методе отражательной электронной микроскопии в сверхвысоком вакууме. Приведены данные об увеличении динамического линейного натяжения ступеней при сублимации, о процессах формирования эшелонов и антиэшелонов моноатомных ступеней, об эффектах электромиграции, об аномально высокой плотности адатомов на нереконструированной поверхности и начальных стадиях эпитаксиального роста.

Текст pdf (483 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1998v041n10ABEH000462
PACS: 68.35.p, 68.55.a, 81.15.Hi
DOI: 10.3367/UFNr.0168.199810c.1117
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1998/10/c/
000076871800003
Цитата: Латышев А В, Асеев А Л "Моноатомные ступени на поверхности кремния" УФН 168 1117–1127 (1998)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Latyshev A V, Aseev A L “Monatomic steps on silicon surfaces” Phys. Usp. 41 1015–1023 (1998); DOI: 10.1070/PU1998v041n10ABEH000462

Список литературы (73) Статьи, ссылающиеся на эту (19) ↓ Похожие статьи (20)

  1. Aladyshkin A Yu, Chaika A N et al Ultramicroscopy 267 114053 (2024)
  2. Shkornyakov S M J. Surf. Investig. 16 (1) 181 (2022)
  3. Redkov A V, Kukushkin S A Crystal Growth & Design 21 (9) 4914 (2021)
  4. Rogilo D I, Sitnikov S V et al Crystallogr. Rep. 66 (4) 570 (2021)
  5. Redkov A V, Kukushkin S A Crystal Growth & Design 20 (4) 2590 (2020)
  6. Redkov A V, Kukushkin S A J. Phys.: Conf. Ser. 1695 (1) 012003 (2020)
  7. Kulyk O P, Tkachenko V I et al Journal of Crystal Growth 530 125296 (2020)
  8. Shkornyakov S M J. Synch. Investig. 13 (1) 132 (2019)
  9. Kozhukhov A S, Scheglov D V et al AIP Advances 8 (2) (2018)
  10. Latyshev A V, Fedina L I et al Advances in Semiconductor Nanostructures (2017) p. 189
  11. Muslimov A E, Butashin A V et al Crystallogr. Rep. 62 (3) 455 (2017)
  12. Kozhukhov A S, Atuchin V V et al 2011 International Conference and Seminar on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices Proceedings, (2011) p. 19
  13. Kosolobov S S, Latyshev A V Springer Series in Surface Sciences Vol. Nanophenomena at SurfacesStep Bunching on Silicon Surface Under Electromigration47 Chapter 11 (2011) p. 239
  14. Fedina L I, Sheglov D V et al Optoelectron.Instrument.Proc. 46 (4) 301 (2010)
  15. Fedina L I, Sheglov D V et al Meas. Sci. Technol. 21 (5) 054004 (2010)
  16. Latyshev A V Nanotechnol Russia 3 (5-6) 272 (2008)
  17. Finnie P, Homma Y Surface Science 500 (1-3) 437 (2002)
  18. Gurovich B A, Dolgii D I et al Uspekhi Fizicheskikh Nauk 171 (1) 105 (2001) [Gurovich B A, Dolgii D I et al Phys.-Usp. 44 (1) 95 (2001)]
  19. Finnie P, Homma Y Phys. Rev. B 62 (12) 8313 (2000)
© Успехи физических наук, 1918–2025
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение