Выпуски

 / 

1998

 / 

Октябрь

  

Обзоры актуальных проблем


Моноатомные ступени на поверхности кремния

,
Институт физики полупроводников СО РАН, просп. Ак. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация

Приведен обзор результатов исследования моноатомных ступеней на поверхностях кремния с помощью in situ экспериментов в методе отражательной электронной микроскопии в сверхвысоком вакууме. Приведены данные об увеличении динамического линейного натяжения ступеней при сублимации, о процессах формирования эшелонов и антиэшелонов моноатомных ступеней, об эффектах электромиграции, об аномально высокой плотности адатомов на нереконструированной поверхности и начальных стадиях эпитаксиального роста.

Текст pdf (483 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1998v041n10ABEH000462
PACS: 68.35.p, 68.55.a, 81.15.Hi
DOI: 10.3367/UFNr.0168.199810c.1117
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1998/10/c/
Цитата: Латышев А В, Асеев А Л "Моноатомные ступени на поверхности кремния" УФН 168 1117–1127 (1998)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)Medline RefWorks
Русский English
RT Journal
T1 Моноатомные ступени на поверхности кремния
A1 Латышев,А.В.
A1 Асеев,А.Л.
PB Успехи физических наук
PY 1998
FD 10 Oct, 1998
JF Успехи физических наук
JO Усп. физ. наук
VO 168
IS 10
SP 1117-1127
DO 10.3367/UFNr.0168.199810c.1117
LK https://ufn.ru/ru/articles/1998/10/c/

English citation: Latyshev A V, Aseev A L “Monatomic steps on silicon surfacesPhys. Usp. 41 1015–1023 (1998); DOI: 10.1070/PU1998v041n10ABEH000462

© Успехи физических наук, 1918–2023
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение