Приведен обзор результатов исследования моноатомных ступеней на поверхностях кремния с помощью in situ экспериментов в методе отражательной электронной микроскопии в сверхвысоком вакууме. Приведены данные об увеличении динамического линейного натяжения ступеней при сублимации, о процессах формирования эшелонов и антиэшелонов моноатомных ступеней, об эффектах электромиграции, об аномально высокой плотности адатомов на нереконструированной поверхности и начальных стадиях эпитаксиального роста.

PACS: 68.35.p, 68.55.a, 81.15.Hi DOI: 10.3367/UFNr.0168.199810c.1117 URL: https://ufn.ru/ru/articles/1998/10/c/ 000076871800003 Цитата: Латышев А В, Асеев А Л "Моноатомные ступени на поверхности кремния" УФН 168 1117–1127 (1998) BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks English citation: Latyshev A V, Aseev A L “Monatomic steps on silicon surfaces” Phys. Usp. 41 1015–1023 (1998); DOI: 10.1070/PU1998v041n10ABEH000462