Миграция атомов в полупроводниках и изменения числа и структуры дефектов, инициируемые возбуждением электронной подсистемы

Возбуждение электронной подсистемы полупроводников в результате фотоионизации и ионизации заряженными частицами, а также инжекция неравновесных носителей заряда стимулируют миграцию атомов, а также приводят к возникновению дефектов структуры и изменению их природы. Указанные явления вызывают изменения основных электрофизических параметров полупроводников, в том числе веществ, представляющих собой основные материалы современной твердотельной электроники. В работе приведены и проанализированы современные данные по этому вопросу.

Текст pdf (292 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1997v040n04ABEH000228

PACS: 66.30.Fq, 66.30.Lw, 66.90.r, 78.50.Ge (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0167.199704c.0407
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1997/4/c/
Web of Science

A1997XB47600003
Цитата: Вавилов В С "Миграция атомов в полупроводниках и изменения числа и структуры дефектов, инициируемые возбуждением электронной подсистемы" УФН 167 407–412 (1997)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Vavilov V S “Atomic migration and related changes in defect concentration and structure due to electronic subsystem excitations in semiconductors” Phys. Usp. 40 387–392 (1997); DOI: 10.1070/PU1997v040n04ABEH000228

Список литературы (39) Статьи, ссылающиеся на эту (19) Похожие статьи (20) ↓

Б.Н. Мукашев, Х.А. Абдуллин, Ю.В. Горелкинский «Метастабильные и бистабильные дефекты в кремнии» УФН 170 143–155 (2000)
В.С. Вавилов «Особенности физики широкозонных полупроводников и их практических применений» УФН 164 287–296 (1994)
В.С. Вавилов «Природа и энергетический спектр радиационных нарушений в полупроводниках» УФН 84 431–450 (1964)
А.Р. Челядинский, Ф.Ф. Комаров «Дефектно-примесная инженерия в имплантированном кремнии» УФН 173 813–846 (2003)
В.В. Кирсанов, А.Н. Орлов «Моделирование на ЭВМ атомных конфигураций дефектов в металлах» УФН 142 219–264 (1984)
М.И. Клингер, Ч.Б. Лущик и др. «Создание дефектов в твердых телах при распаде электронных возбуждений» УФН 147 523–558 (1985)
В.С. Вавилов «Алмаз в твердотельной электронике» УФН 167 17–22 (1997)
С.М. Клоцман «Примесные состояния и диффузия в границах зерен металлов» УФН 160 (1) 99–139 (1990)
П.В. Каштанов, Б.М. Смирнов, Р. Хипплер «Магнетронная плазма и нанотехнология» УФН 177 473–510 (2007)
В.С. Вавилов «Излучательная рекомбинация в полупроводниках» УФН 68 247–260 (1959)
Г.В. Дедков «Межатомные потенциалы взаимодействия в радиационной физике» УФН 165 919–953 (1995)
В.С. Вавилов, Е.А. Конорова «Полупроводниковые алмазы» УФН 118 611–639 (1976)
И.А. Баранов, Ю.В. Мартыненко и др. «Неупругое распыление твердых тел ионами» УФН 156 477–511 (1988)
Б.К. Вайнштейн «Электронная микроскопия атомного разрешения» УФН 152 75–122 (1987)
Г.С. Буберман «Зонная структура алмазов» УФН 103 675–704 (1971)
В.С. Вавилов «Полупроводниковые преобразователи энергии излучений» УФН 56 111–130 (1955)
В.С. Вавилов «Опыты по радиолокации Луны» УФН 39 359–370 (1949)
Б.Х. Байрамов, В.А. Войтенко, И.П. Ипатова «Рассеяние света флуктуациями электронной плотности в многодолинных полупроводниках и металлах» УФН 163 (5) 67–114 (1993)
Б.М. Смирнов «Скейлинг в атомной и молекулярной физике» УФН 171 1291–1315 (2001)
В.М. Арутюнян «Физические свойства границы полупроводник-электролит» УФН 158 255–291 (1989)

Список формируется автоматически.