Выпуски

 / 

1997

 / 

Апрель

  

Обзоры актуальных проблем


Миграция атомов в полупроводниках и изменения числа и структуры дефектов, инициируемые возбуждением электронной подсистемы


Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация

Возбуждение электронной подсистемы полупроводников в результате фотоионизации и ионизации заряженными частицами, а также инжекция неравновесных носителей заряда стимулируют миграцию атомов, а также приводят к возникновению дефектов структуры и изменению их природы. Указанные явления вызывают изменения основных электрофизических параметров полупроводников, в том числе веществ, представляющих собой основные материалы современной твердотельной электроники. В работе приведены и проанализированы современные данные по этому вопросу.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
English fulltext is available at IOP
PACS: 66.30.Fq, 66.30.Lw, 66.90.r, 78.50.Ge (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0167.199704c.0407
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1997/4/c/
Цитата: Вавилов В С "Миграция атомов в полупроводниках и изменения числа и структуры дефектов, инициируемые возбуждением электронной подсистемы" УФН 167 407–412 (1997)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Vavilov V S “Atomic migration and related changes in defect concentration and structure due to electronic subsystem excitations in semiconductorsPhys. Usp. 40 387–392 (1997); DOI: 10.1070/PU1997v040n04ABEH000228

Список литературы (39) Статьи, ссылающиеся на эту (18) Похожие статьи (20) ↓

  1. Б.Н. Мукашев, Х.А. Абдуллин, Ю.В. Горелкинский «Метастабильные и бистабильные дефекты в кремнии» 170 143–155 (2000)
  2. В.С. Вавилов «Особенности физики широкозонных полупроводников и их практических применений» 164 287–296 (1994)
  3. В.С. Вавилов «Природа и энергетический спектр радиационных нарушений в полупроводниках» 84 431–450 (1964)
  4. А.Р. Челядинский, Ф.Ф. Комаров «Дефектно-примесная инженерия в имплантированном кремнии» 173 813–846 (2003)
  5. В.В. Кирсанов, А.Н. Орлов «Моделирование на ЭВМ атомных конфигураций дефектов в металлах» 142 219–264 (1984)
  6. В.С. Вавилов «Алмаз в твердотельной электронике» 167 17–22 (1997)
  7. П.В. Каштанов, Б.М. Смирнов, Р. Хипплер «Магнетронная плазма и нанотехнология» 177 473–510 (2007)
  8. В.С. Вавилов «Излучательная рекомбинация в полупроводниках» 68 247–260 (1959)
  9. Г.В. Дедков «Межатомные потенциалы взаимодействия в радиационной физике» 165 919–953 (1995)
  10. С.М. Клоцман «Примесные состояния и диффузия в границах зерен металлов» 160 (1) 99–139 (1990)
  11. И.А. Баранов, Ю.В. Мартыненко и др. «Неупругое распыление твердых тел ионами» 156 477–511 (1988)
  12. В.С. Вавилов, Е.А. Конорова «Полупроводниковые алмазы» 118 611–639 (1976)
  13. В.С. Вавилов «Полупроводниковые преобразователи энергии излучений» 56 111–130 (1955)
  14. В.С. Вавилов «Опыты по радиолокации Луны» 39 359–370 (1949)
  15. Б.М. Смирнов «Скейлинг в атомной и молекулярной физике» 171 1291–1315 (2001)
  16. Р.А. Андриевский «Водород в наноструктурах» 177 721–735 (2007)
  17. Э.В. Суворов, И.А. Смирнова «Дифракционное изображение дефектов в рентгеновской топографии (рентгеновской микроскопии)» 185 897–915 (2015)
  18. В.Н. Дудоров, В.В. Рандошкин, Р.В. Телеснин «Синтез и физические свойства монокристаллических пленок редкоземельных ферритов-гранатов» 122 253–293 (1977)
  19. Ю.Г. Полтавцев «Структура полупроводников в некристаллических состояниях» 120 581–612 (1976)
  20. З.Д. Квон, Д.А. Козлов и др. «Топологические изоляторы на основе HgTe» 190 673–692 (2020)

Список формируется автоматически.

© Успехи физических наук, 1918–2021
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение