RSS-ленты
РусскийEnglish
Выпуск 4, 2024
Том год страница
Выпуски Авторы PACS Подписчикам Для авторов

Выпуски

 / 

1997

 / 

Апрель

←  →

Обзоры актуальных проблем


Миграция атомов в полупроводниках и изменения числа и структуры дефектов, инициируемые возбуждением электронной подсистемы


Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация

Возбуждение электронной подсистемы полупроводников в результате фотоионизации и ионизации заряженными частицами, а также инжекция неравновесных носителей заряда стимулируют миграцию атомов, а также приводят к возникновению дефектов структуры и изменению их природы. Указанные явления вызывают изменения основных электрофизических параметров полупроводников, в том числе веществ, представляющих собой основные материалы современной твердотельной электроники. В работе приведены и проанализированы современные данные по этому вопросу.

Текст pdf (292 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1997v040n04ABEH000228
PACS: 66.30.Fq, 66.30.Lw, 66.90.r, 78.50.Ge (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0167.199704c.0407
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1997/4/c/
A1997XB47600003
Цитата: Вавилов В С "Миграция атомов в полупроводниках и изменения числа и структуры дефектов, инициируемые возбуждением электронной подсистемы" УФН 167 407–412 (1997)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Vavilov V S “Atomic migration and related changes in defect concentration and structure due to electronic subsystem excitations in semiconductors” Phys. Usp. 40 387–392 (1997); DOI: 10.1070/PU1997v040n04ABEH000228

Список литературы (39) Статьи, ссылающиеся на эту (19) Похожие статьи (20) ↓

  1. Б.Н. Мукашев, Х.А. Абдуллин, Ю.В. Горелкинский «Метастабильные и бистабильные дефекты в кремнии» 170 143–155 (2000)
  2. В.С. Вавилов «Особенности физики широкозонных полупроводников и их практических применений» 164 287–296 (1994)
  3. В.С. Вавилов «Природа и энергетический спектр радиационных нарушений в полупроводниках» 84 431–450 (1964)
  4. А.Р. Челядинский, Ф.Ф. Комаров «Дефектно-примесная инженерия в имплантированном кремнии» 173 813–846 (2003)
  5. В.В. Кирсанов, А.Н. Орлов «Моделирование на ЭВМ атомных конфигураций дефектов в металлах» 142 219–264 (1984)
  6. М.И. Клингер, Ч.Б. Лущик и др. «Создание дефектов в твердых телах при распаде электронных возбуждений» 147 523–558 (1985)
  7. В.С. Вавилов «Алмаз в твердотельной электронике» 167 17–22 (1997)
  8. С.М. Клоцман «Примесные состояния и диффузия в границах зерен металлов» 160 (1) 99–139 (1990)
  9. П.В. Каштанов, Б.М. Смирнов, Р. Хипплер «Магнетронная плазма и нанотехнология» 177 473–510 (2007)
  10. В.С. Вавилов «Излучательная рекомбинация в полупроводниках» 68 247–260 (1959)
  11. Г.В. Дедков «Межатомные потенциалы взаимодействия в радиационной физике» 165 919–953 (1995)
  12. В.С. Вавилов, Е.А. Конорова «Полупроводниковые алмазы» 118 611–639 (1976)
  13. И.А. Баранов, Ю.В. Мартыненко и др. «Неупругое распыление твердых тел ионами» 156 477–511 (1988)
  14. Б.К. Вайнштейн «Электронная микроскопия атомного разрешения» 152 75–122 (1987)
  15. Г.С. Буберман «Зонная структура алмазов» 103 675–704 (1971)
  16. В.С. Вавилов «Полупроводниковые преобразователи энергии излучений» 56 111–130 (1955)
  17. В.С. Вавилов «Опыты по радиолокации Луны» 39 359–370 (1949)
  18. Б.Х. Байрамов, В.А. Войтенко, И.П. Ипатова «Рассеяние света флуктуациями электронной плотности в многодолинных полупроводниках и металлах» 163 (5) 67–114 (1993)
  19. Б.М. Смирнов «Скейлинг в атомной и молекулярной физике» 171 1291–1315 (2001)
  20. В.М. Арутюнян «Физические свойства границы полупроводник-электролит» 158 255–291 (1989)

Список формируется автоматически.
© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение