RSS-ленты
РусскийEnglish
Выпуск 11, 2026
Том год страница
Выпуски Авторы PACS Подписчикам Для авторов

Выпуски

 / 

1997

 / 

апрель

←  →

Обзоры актуальных проблем


Миграция атомов в полупроводниках и изменения числа и структуры дефектов, инициируемые возбуждением электронной подсистемы


Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация

Возбуждение электронной подсистемы полупроводников в результате фотоионизации и ионизации заряженными частицами, а также инжекция неравновесных носителей заряда стимулируют миграцию атомов, а также приводят к возникновению дефектов структуры и изменению их природы. Указанные явления вызывают изменения основных электрофизических параметров полупроводников, в том числе веществ, представляющих собой основные материалы современной твердотельной электроники. В работе приведены и проанализированы современные данные по этому вопросу.

Текст pdf (292 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1997v040n04ABEH000228
PACS: 66.30.Fq, 66.30.Lw, 66.90.r, 78.50.Ge (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0167.199704c.0407
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1997/4/c/
A1997XB47600003
Цитата: Вавилов В С "Миграция атомов в полупроводниках и изменения числа и структуры дефектов, инициируемые возбуждением электронной подсистемы" УФН 167 407–412 (1997)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Vavilov V S “Atomic migration and related changes in defect concentration and structure due to electronic subsystem excitations in semiconductors” Phys. Usp. 40 387–392 (1997); DOI: 10.1070/PU1997v040n04ABEH000228

Список литературы (39) Статьи, ссылающиеся на эту (20) Похожие статьи (20) ↓

  1. Б.Н. Мукашев, Х.А. Абдуллин, Ю.В. Горелкинский «Метастабильные и бистабильные дефекты в кремнии» УФН 170 143–155 (2000)
  2. В.С. Вавилов «Особенности физики широкозонных полупроводников и их практических применений» УФН 164 287–296 (1994)
  3. М.И. Клингер, Ч.Б. Лущик и др. «Создание дефектов в твердых телах при распаде электронных возбуждений» УФН 147 523–558 (1985)
  4. А.Р. Челядинский, Ф.Ф. Комаров «Дефектно-примесная инженерия в имплантированном кремнии» УФН 173 813–846 (2003)
  5. В.С. Вавилов «Природа и энергетический спектр радиационных нарушений в полупроводниках» УФН 84 431–450 (1964)
  6. В.В. Кирсанов, А.Н. Орлов «Моделирование на ЭВМ атомных конфигураций дефектов в металлах» УФН 142 219–264 (1984)
  7. В.С. Вавилов «Излучательная рекомбинация в полупроводниках» УФН 68 247–260 (1959)
  8. И.А. Баранов, Ю.В. Мартыненко и др. «Неупругое распыление твердых тел ионами» УФН 156 477–511 (1988)
  9. Б.Х. Байрамов, В.А. Войтенко, И.П. Ипатова «Рассеяние света флуктуациями электронной плотности в многодолинных полупроводниках и металлах» УФН 163 (5) 67–114 (1993)
  10. С.М. Клоцман «Примесные состояния и диффузия в границах зерен металлов» УФН 160 (1) 99–139 (1990)
  11. В.С. Вавилов «Полупроводниковые преобразователи энергии излучений» УФН 56 111–130 (1955)
  12. В.Ю. Аристов «Поверхность β-SiC (100): атомная структура и электронные свойства» УФН 171 801–826 (2001)
  13. П.В. Каштанов, Б.М. Смирнов, Р. Хипплер «Магнетронная плазма и нанотехнология» УФН 177 473–510 (2007)
  14. Б.Л. Гельмонт, В.И. Иванов-Омский, И.М. Цидильковский «Электронный энергетический спектр бесщелевых полупроводников» УФН 120 337–362 (1976)
  15. В.С. Вавилов, Е.А. Конорова «Полупроводниковые алмазы» УФН 118 611–639 (1976)
  16. А.А. Ремпель «Эффекты атомно-вакансионного упорядочения в нестехиометрических карбидах» УФН 166 33–62 (1996)
  17. В.С. Вавилов «Алмаз в твердотельной электронике» УФН 167 17–22 (1997)
  18. Г.В. Дедков «Межатомные потенциалы взаимодействия в радиационной физике» УФН 165 919–953 (1995)
  19. Г.Л. Беленький, В.Б. Стопачинский «Электронные и колебательные спектры слоистых полупроводников группы А3В6» УФН 140 233–270 (1983)
  20. Ю.Ф. Быдин, Ю.Н. Демков «Спектры электронов при медленных столкновениях отрицательных ионов и атомов» УФН 137 377–414 (1982)

Список формируется автоматически.
© Успехи физических наук, 1918–2026
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение