Возбуждение электронной подсистемы полупроводников в результате фотоионизации и ионизации заряженными частицами, а также инжекция неравновесных носителей заряда стимулируют миграцию атомов, а также приводят к возникновению дефектов структуры и изменению их природы. Указанные явления вызывают изменения основных электрофизических параметров полупроводников, в том числе веществ, представляющих собой основные материалы современной твердотельной электроники. В работе приведены и проанализированы современные данные по этому вопросу.

PACS: 66.30.Fq, 66.30.Lw, 66.90.r, 78.50.Ge (все) DOI: 10.3367/UFNr.0167.199704c.0407 URL: https://ufn.ru/ru/articles/1997/4/c/ A1997XB47600003 Цитата: Вавилов В С "Миграция атомов в полупроводниках и изменения числа и структуры дефектов, инициируемые возбуждением электронной подсистемы" УФН 167 407–412 (1997) BibTexBibNote ® (generic) BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks Русский English TY JOUR TI Миграция атомов в полупроводниках и изменения числа и структуры дефектов, инициируемые возбуждением электронной подсистемы AU Вавилов, В. С. PB Успехи физических наук PY 1997 JO Успехи физических наук JF Успехи физических наук JA Усп. физ. наук VL 167 IS 4 SP 407-412 UR https://ufn.ru/ru/articles/1997/4/c/ ER https://doi.org/10.3367/UFNr.0167.199704c.0407 English citation: Vavilov V S “Atomic migration and related changes in defect concentration and structure due to electronic subsystem excitations in semiconductors” Phys. Usp. 40 387–392 (1997); DOI: 10.1070/PU1997v040n04ABEH000228