Выпуски

 / 

1997

 / 

Апрель

  

Обзоры актуальных проблем


Миграция атомов в полупроводниках и изменения числа и структуры дефектов, инициируемые возбуждением электронной подсистемы


Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация

Возбуждение электронной подсистемы полупроводников в результате фотоионизации и ионизации заряженными частицами, а также инжекция неравновесных носителей заряда стимулируют миграцию атомов, а также приводят к возникновению дефектов структуры и изменению их природы. Указанные явления вызывают изменения основных электрофизических параметров полупроводников, в том числе веществ, представляющих собой основные материалы современной твердотельной электроники. В работе приведены и проанализированы современные данные по этому вопросу.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
English fulltext is available at IOP
PACS: 66.30.Fq, 66.30.Lw, 66.90.r, 78.50.Ge (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0167.199704c.0407
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1997/4/c/
Цитата: Вавилов В С "Миграция атомов в полупроводниках и изменения числа и структуры дефектов, инициируемые возбуждением электронной подсистемы" УФН 167 407–412 (1997)
BibTexBibNote ® (generic) BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks
Русский English
TY JOUR
TI Миграция атомов в полупроводниках и изменения числа и структуры дефектов, инициируемые возбуждением электронной подсистемы
AU Вавилов, В. С.
PB Успехи физических наук
PY 1997
JO Успехи физических наук
JF Успехи физических наук
JA Усп. физ. наук
VL 167
IS 4
SP 407-412
UR https://ufn.ru/ru/articles/1997/4/c/
ER https://doi.org/10.3367/UFNr.0167.199704c.0407

English citation: Vavilov V S “Atomic migration and related changes in defect concentration and structure due to electronic subsystem excitations in semiconductorsPhys. Usp. 40 387–392 (1997); DOI: 10.1070/PU1997v040n04ABEH000228

© Успехи физических наук, 1918–2021
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение