Выпуски

 / 

1993

 / 

Май

  

Обзоры актуальных проблем


Рассеяние света флуктуациями электронной плотности в многодолинных полупроводниках и металлах

, ,  а
а Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Российская Федерация

Обзор теоретических представлений о комбинационном рассеянии света (КРС) свободными носителями тока в полупроводниках и металлах. В качестве источников рассеивающих свет флуктуаций обсуждаются различные элементарные возбуждения: одночастичные флуктуации зарядовой плотности и плазмоны, флуктуации спиновой плотности, флуктуации плотности электронной энергии и импульса. Эти элементарные возбуждения являются общими для различных твердых тел: металлов, полуметаллов, полупроводников, сверхпроводников. В качестве адекватного математического аппарата, отражающего единую природу спектров КРС этих элементарных возбуждений в различных твердых телах, предлагается макроскопический подход к описанию их релаксации. В этом подходе различаются два механизма релаксации: диффузионный механизм, при котором релаксация идет за счет дидрфузионных потоков различной природы, и механизм Мандельштама—Леонтовича, при котором имеет место адиабатическая релаксация рассеивающих свет флуктуаций. В многодолинных полупроводниках эти механизмы сосуществуют вместе, давая аддитивный вклад в обратное время релаксации флуктуаций; в однодолинных полупроводниках, металлах и сверхпроводниках реализуется один из этих механизмов в зависимости от деталей электронной зонной структуры. При этом определяющая сечение КРС корреляционная функция удовлетворяет тому самому кинетическому или диффузионному уравнению, что и сама флуктуирующая величина. В качестве технических применений указана возможность бесконтактного определения параметров электронного спектра полупроводников, металлов, полупроводниковых сверхрешеток и сверхпроводников. Табл. 6. Ил. 28. Библиогр. ссылок 119 (120 назв.)

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
PACS: 78.35.+c, 78.30.−j, 72.20.Jv (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0163.199305d.0067
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1993/5/d/
Цитата: Байрамов Б Х, Войтенко В А, Ипатова И П "Рассеяние света флуктуациями электронной плотности в многодолинных полупроводниках и металлах" УФН 163 (5) 67–114 (1993)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Bairamov B Kh, Voitenko V A, Ipatova I P “Light scattering from electron-density fluctuations in multivalley semiconductors and metalsPhys. Usp. 36 (5) 392–435 (1993); DOI: 10.1070/PU1993v036n05ABEH002181

© Успехи физических наук, 1918–2019
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение