Выпуски

 / 

1959

 / 

Июнь

  

Обзоры актуальных проблем


Излучательная рекомбинация в полупроводниках


Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация

В настоящем обзоре излагаются основные теоретические представления об излучательной рекомбинации в полупроводниках и экспериментальные результаты, полученные до конца 1958 г.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
PACS: 72.20.Jv, 72.80.Cw (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0068.195906b.0247
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1959/6/b/
Цитата: Вавилов В С "Излучательная рекомбинация в полупроводниках" УФН 68 247–260 (1959)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Vavilov V S “Radiative recombination in semiconductorsSov. Phys. Usp. 2 455–464 (1959); DOI: 10.1070/PU1959v002n03ABEH003138

© Успехи физических наук, 1918–2019
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение