Выпуски

 / 

1997

 / 

Апрель

  

Обзоры актуальных проблем


Миграция атомов в полупроводниках и изменения числа и структуры дефектов, инициируемые возбуждением электронной подсистемы


Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация

Возбуждение электронной подсистемы полупроводников в результате фотоионизации и ионизации заряженными частицами, а также инжекция неравновесных носителей заряда стимулируют миграцию атомов, а также приводят к возникновению дефектов структуры и изменению их природы. Указанные явления вызывают изменения основных электрофизических параметров полупроводников, в том числе веществ, представляющих собой основные материалы современной твердотельной электроники. В работе приведены и проанализированы современные данные по этому вопросу.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
English fulltext is available at IOP
PACS: 66.30.Fq, 66.30.Lw, 66.90.r, 78.50.Ge (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0167.199704c.0407
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1997/4/c/
Цитата: Вавилов В С "Миграция атомов в полупроводниках и изменения числа и структуры дефектов, инициируемые возбуждением электронной подсистемы" УФН 167 407–412 (1997)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Vavilov V S “Atomic migration and related changes in defect concentration and structure due to electronic subsystem excitations in semiconductorsPhys. Usp. 40 387–392 (1997); DOI: 10.1070/PU1997v040n04ABEH000228

Список литературы (39) ↓ Статьи, ссылающиеся на эту (18) Похожие статьи (20)

  1. Vavilov V S Usp. Fiz. Nauk 165 ((5)) 591 (1995); Vavilov V S Phys. Usp. 37 555 (1995)
  2. Mil'vidski&ibreve; M G, Osvenski&ibreve; B Strukturnye Defekty v Monokristallakh Poluprovodnikov (Structural Defects in Semiconducting Single Crystals) (Moscow: Metallurgiya, 1984)
  3. Vavilov V S, Kiselev V F, Mukashev B N Defecty v Kremnii i na ego Poverkhnosti (Defects in Silicon and at Its Surface) (Moscow: Nauka, 1990)
  4. Dienes G, Vineyard G Radiation Effects in Solids (New York: Interscience, 1957)
  5. Vavilov V S et al Radiatsionnye Metody v Tverdotel'no&ibreve; Elektronike (Radiation Methods in Solid-State Electronics) (Moscow: Radio i Svyaz', 1990)
  6. Vavilov V S, Kiv A E, Niyazova O R Mekhanizmy Obrazovaniya i Migratsii Defektov v Poluprovodnikakh (Mechanisms of Formation and Migration of Defects in Semiconductors) (Moscow: Nauka, 1981)
  7. Boltaks B I Diffuziya i Tochechnye Defekty v Poluprovodnikakh (Diffusion and Point Defects in Semiconductors) (Leningrad: Nauka, 1972)
  8. Shaw D (Ed.) Atomic Diffusion in Semiconductors (New York: Plenum, 1971); Translated into Russian, Shaw D (Ed.) Atomic Diffusion in Semiconductors (Moscow: Mir, 1975)
  9. Baruch P, Pfister J Radiation Damage in Solids Vol. Vol. III (Vienna: Int. Atomic Energy Agency, 1963) p. 43
  10. Bourgoin J C, Corbett J W Phys. Lett. A 38 135 (1972)
  11. Weiser K Phys. Rev. 126 1427 (1962)
  12. Oksengendler B L Pis'ma Zh. Eksp. Teor. Fiz. 24 12 (1976); Oksengendler B L JETP Lett. 24 9 (1976); Oksengendler B L Prikladnaya Yadernaya Fizika. Mat. Konferentsii Molodykh Uchenykh (Applied Nuclear Physics. Proc. of the Conference of Young Scientists) (Tashkent: Fan, 1973) p. 221
  13. Hustrulid A, Kusch P, Tate J T Phys. Rev. 54 1037 (1938)
  14. Platzman R Symp. on Radiobiology (New York, Wiley, 1952) p. 97
  15. Varley JHO J. Nucl. Energy 1 130 (1954)
  16. Elango M, Kiv A E Cryst. Lattice Defects Amorph. Mat. J. 11 305 (1986)
  17. Chadderton L T, Morgan D V, Torrens I McC Phys. Lett. 20 329 (1966)
  18. Iskanderova Z A et al Fiz. Tekh. Poluprovodn. 7 1755 (1973); Iskanderova Z A et al Sov. Phys. Semicond. 7 1172 (1974)
  19. Norris C J. Appl. Phys. 43 4060 (1972)
  20. Mooney P, Bourgoin J Phys. Rev. B 29 1962 (1984)
  21. Klinger M, Mashovets T Cryst. Lattice Defects J. 9 113 (1981)
  22. Mashovets T, Emtsev V Physica B 116 537 (1983)
  23. Vitovski&ibreve; et al Fiz. Tekh. Poluprovodn. 13 925 (1979); Vitovski&ibreve; et al Sov. Phys. Semicond. 13 541 (1979)
  24. Oak A et al Radiat. Eff. Lett. Sect. 86 1 (1983)
  25. Karpov V, Klinger M Fiz. Tekh. Poluprovodn. 12 1887 (1978); Karpov V, Klinger M Sov. Phys. Semicond. 12 1122 (1978)
  26. Vavilov V S, Gippius A A, Konorova E A Elektronnye i Opticheskie Protsessy v Almaze (Electronic and Optical Processes in Diamond) (Moscow: Nauka, 1985)
  27. Milevski&ibreve; L S, Garnyk V S Dokl. Akad. Nauk SSSR 246 ((2)) 307 (1979); Milevski&ibreve; L S, Garnyk V S Sov. Phys. Dokl. 24 370 (1979)
  28. Milevski&ibreve; LS Kristallografiya 6 ((2)) 249 (1961)
  29. Bonch-Bruevich V L, Kalashnikov S G Fizika Poluprovodnikov (Physics of Semiconductors) (Moscow: Nauka, 1977) p. 354
  30. Vavilov V S, Kekelidze N P, Smirnov L S De&ibreve;stvie Izlucheni&ibreve; na Poluprovodniki (Effect of Radiation on Semiconductors) (Moscow: Nauka, 1988) p. 191
  31. Vavilov V S, Chelyadinski&ibreve; A R Usp. Fiz. Nauk 165 ((3)) 347 (1995); Vavilov V S, Chelyadinski&ibreve; A R Phys. Usp. 38 333 (1995)
  32. Erokhin Yu N, Ital'yantsev A G, Mordkovich VN Pis'ma Zh. Tekh. Fiz. 14 835 (1988); Erokhin Yu N, Ital'yantsev A G, Mordkovich VN Sov. Tech. Phys. Lett. 14 372 (1988)
  33. Danilin A B, Erokhin Yu N, Mordkovich V N Nucl. Instrum. Methods B 69 268 (1992)
  34. Ascheron C et al Nucl. Instrum. Methods B 80/81 3 (1993)
  35. Ascheron et al. C Nucl. Instrum. Methods B 64 203 (1992)
  36. Brersack J, Hullmark L Nucl. Instrum. Methods 174 257 (1980); Ziegler J et al The Stopping and Range of Ions in Solids (New York: Pergamon, 1985)
  37. Ascheron C et al Nucl. Instrum. Methods B 64 706 (1992)
  38. Vosilyus I, Pranyavichus L Protsessy na Poverkhnosti Tverdykh Tel, Aktiviruemye Ionnymi Puchkami (Processes on Solid Surfaces Driven by Ion Beams) (Vilnyus: Mokslas, 1987) p. 211
  39. Brodie L, Muray J The Physics of Microfabrication (New York: Plenum, 1982); Translated into Russian, Brodie L, Muray J The Physics of Microfabrication (Moscow: Mir, 1985)

© Успехи физических наук, 1918–2021
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение