Миграция атомов в полупроводниках и изменения числа и структуры дефектов, инициируемые возбуждением электронной подсистемы

Возбуждение электронной подсистемы полупроводников в результате фотоионизации и ионизации заряженными частицами, а также инжекция неравновесных носителей заряда стимулируют миграцию атомов, а также приводят к возникновению дефектов структуры и изменению их природы. Указанные явления вызывают изменения основных электрофизических параметров полупроводников, в том числе веществ, представляющих собой основные материалы современной твердотельной электроники. В работе приведены и проанализированы современные данные по этому вопросу.

Текст pdf (292 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1997v040n04ABEH000228

PACS: 66.30.Fq, 66.30.Lw, 66.90.r, 78.50.Ge (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0167.199704c.0407
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1997/4/c/
Web of Science

A1997XB47600003
Цитата: Вавилов В С "Миграция атомов в полупроводниках и изменения числа и структуры дефектов, инициируемые возбуждением электронной подсистемы" УФН 167 407–412 (1997)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Vavilov V S “Atomic migration and related changes in defect concentration and structure due to electronic subsystem excitations in semiconductors” Phys. Usp. 40 387–392 (1997); DOI: 10.1070/PU1997v040n04ABEH000228

Список литературы (39) ↓ Статьи, ссылающиеся на эту (19) Похожие статьи (20)

Vavilov V S Usp. Fiz. Nauk 165 ((5)) 591 (1995); Vavilov V S Phys. Usp. 37 555 (1995)
Mil'vidski&ibreve; M G, Osvenski&ibreve; B Strukturnye Defekty v Monokristallakh Poluprovodnikov (Structural Defects in Semiconducting Single Crystals) (Moscow: Metallurgiya, 1984)
Vavilov V S, Kiselev V F, Mukashev B N Defecty v Kremnii i na ego Poverkhnosti (Defects in Silicon and at Its Surface) (Moscow: Nauka, 1990)
Dienes G, Vineyard G Radiation Effects in Solids (New York: Interscience, 1957)
Vavilov V S et al Radiatsionnye Metody v Tverdotel'no&ibreve; Elektronike (Radiation Methods in Solid-State Electronics) (Moscow: Radio i Svyaz', 1990)
Vavilov V S, Kiv A E, Niyazova O R Mekhanizmy Obrazovaniya i Migratsii Defektov v Poluprovodnikakh (Mechanisms of Formation and Migration of Defects in Semiconductors) (Moscow: Nauka, 1981)
Boltaks B I Diffuziya i Tochechnye Defekty v Poluprovodnikakh (Diffusion and Point Defects in Semiconductors) (Leningrad: Nauka, 1972)
Shaw D (Ed.) Atomic Diffusion in Semiconductors (New York: Plenum, 1971); Translated into Russian, Shaw D (Ed.) Atomic Diffusion in Semiconductors (Moscow: Mir, 1975)
Baruch P, Pfister J Radiation Damage in Solids Vol. Vol. III (Vienna: Int. Atomic Energy Agency, 1963) p. 43
Bourgoin J C, Corbett J W Phys. Lett. A 38 135 (1972)
Weiser K Phys. Rev. 126 1427 (1962)
Oksengendler B L Pis'ma Zh. Eksp. Teor. Fiz. 24 12 (1976); Oksengendler B L JETP Lett. 24 9 (1976); Oksengendler B L Prikladnaya Yadernaya Fizika. Mat. Konferentsii Molodykh Uchenykh (Applied Nuclear Physics. Proc. of the Conference of Young Scientists) (Tashkent: Fan, 1973) p. 221
Hustrulid A, Kusch P, Tate J T Phys. Rev. 54 1037 (1938)
Platzman R Symp. on Radiobiology (New York, Wiley, 1952) p. 97
Varley JHO J. Nucl. Energy 1 130 (1954)
Elango M, Kiv A E Cryst. Lattice Defects Amorph. Mat. J. 11 305 (1986)
Chadderton L T, Morgan D V, Torrens I McC Phys. Lett. 20 329 (1966)
Iskanderova Z A et al Fiz. Tekh. Poluprovodn. 7 1755 (1973); Iskanderova Z A et al Sov. Phys. Semicond. 7 1172 (1974)
Norris C J. Appl. Phys. 43 4060 (1972)
Mooney P, Bourgoin J Phys. Rev. B 29 1962 (1984)
Klinger M, Mashovets T Cryst. Lattice Defects J. 9 113 (1981)
Mashovets T, Emtsev V Physica B 116 537 (1983)
Vitovski&ibreve; et al Fiz. Tekh. Poluprovodn. 13 925 (1979); Vitovski&ibreve; et al Sov. Phys. Semicond. 13 541 (1979)
Oak A et al Radiat. Eff. Lett. Sect. 86 1 (1983)
Karpov V, Klinger M Fiz. Tekh. Poluprovodn. 12 1887 (1978); Karpov V, Klinger M Sov. Phys. Semicond. 12 1122 (1978)
Vavilov V S, Gippius A A, Konorova E A Elektronnye i Opticheskie Protsessy v Almaze (Electronic and Optical Processes in Diamond) (Moscow: Nauka, 1985)
Milevski&ibreve; L S, Garnyk V S Dokl. Akad. Nauk SSSR 246 ((2)) 307 (1979); Milevski&ibreve; L S, Garnyk V S Sov. Phys. Dokl. 24 370 (1979)
Milevski&ibreve; LS Kristallografiya 6 ((2)) 249 (1961)
Bonch-Bruevich V L, Kalashnikov S G Fizika Poluprovodnikov (Physics of Semiconductors) (Moscow: Nauka, 1977) p. 354
Vavilov V S, Kekelidze N P, Smirnov L S De&ibreve;stvie Izlucheni&ibreve; na Poluprovodniki (Effect of Radiation on Semiconductors) (Moscow: Nauka, 1988) p. 191
Vavilov V S, Chelyadinski&ibreve; A R Usp. Fiz. Nauk 165 ((3)) 347 (1995); Vavilov V S, Chelyadinski&ibreve; A R Phys. Usp. 38 333 (1995)
Erokhin Yu N, Ital'yantsev A G, Mordkovich VN Pis'ma Zh. Tekh. Fiz. 14 835 (1988); Erokhin Yu N, Ital'yantsev A G, Mordkovich VN Sov. Tech. Phys. Lett. 14 372 (1988)
Danilin A B, Erokhin Yu N, Mordkovich V N Nucl. Instrum. Methods B 69 268 (1992)
Ascheron C et al Nucl. Instrum. Methods B 80/81 3 (1993)
Ascheron et al. C Nucl. Instrum. Methods B 64 203 (1992)
Brersack J, Hullmark L Nucl. Instrum. Methods 174 257 (1980); Ziegler J et al The Stopping and Range of Ions in Solids (New York: Pergamon, 1985)
Ascheron C et al Nucl. Instrum. Methods B 64 706 (1992)
Vosilyus I, Pranyavichus L Protsessy na Poverkhnosti Tverdykh Tel, Aktiviruemye Ionnymi Puchkami (Processes on Solid Surfaces Driven by Ion Beams) (Vilnyus: Mokslas, 1987) p. 211
Brodie L, Muray J The Physics of Microfabrication (New York: Plenum, 1982); Translated into Russian, Brodie L, Muray J The Physics of Microfabrication (Moscow: Mir, 1985)