Выпуски

 / 

1997

 / 

Апрель

  

Обзоры актуальных проблем


Миграция атомов в полупроводниках и изменения числа и структуры дефектов, инициируемые возбуждением электронной подсистемы


Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация

Возбуждение электронной подсистемы полупроводников в результате фотоионизации и ионизации заряженными частицами, а также инжекция неравновесных носителей заряда стимулируют миграцию атомов, а также приводят к возникновению дефектов структуры и изменению их природы. Указанные явления вызывают изменения основных электрофизических параметров полупроводников, в том числе веществ, представляющих собой основные материалы современной твердотельной электроники. В работе приведены и проанализированы современные данные по этому вопросу.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
English fulltext is available at IOP
PACS: 66.30.Fq, 66.30.Lw, 66.90.r, 78.50.Ge (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0167.199704c.0407
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1997/4/c/
Цитата: Вавилов В С "Миграция атомов в полупроводниках и изменения числа и структуры дефектов, инициируемые возбуждением электронной подсистемы" УФН 167 407–412 (1997)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Vavilov V S “Atomic migration and related changes in defect concentration and structure due to electronic subsystem excitations in semiconductorsPhys. Usp. 40 387–392 (1997); DOI: 10.1070/PU1997v040n04ABEH000228

Список литературы (39) Статьи, ссылающиеся на эту (18) ↓ Похожие статьи (20)

  1. 130 (2019)
  2. Sredin V, Voitsekhovskii A et al J. Phys.: Conf. Ser. 1115 032057 (2018)
  3. Skupov A V Semiconductors 49 621 (2015)
  4. Yeritsyan H N, Harutunyan V V et al JMP 04 180 (2013)
  5. Yeritsyan H N, Sahakyan A A et al JMP 03 383 (2012)
  6. Quiroz M A, Bandala E R Synthetic Diamond Films (2011) p. 57
  7. MA Z Q Int. J. Mod. Phys. B 21 4299 (2007)
  8. Serdobintsev A A, Rokakh A G et al Tech. Phys. 52 1483 (2007)
  9. Dutov A G, Azarko I I et al Crystallogr. Rep. 51 122 (2006)
  10. Ma Z Q, Li W et al Solid State Communications 137 413 (2006)
  11. Sukach G A, Smertenko P S et al Tech. Phys. 46 438 (2001)
  12. Kuanyshev V T, Belykh T A et al Radiation Measurements 33 503 (2001)
  13. Bublik V T, Kol’tsov G I et al Crystallogr. Rep. 45 689 (2000)
  14. Dzhafarov T D, Serin M et al J. Phys. D: Appl. Phys. 32 L5 (1999)
  15. Vavilov V S, Euthymiou P C, Zardas G E Uspekhi Fizicheskikh Nauk 169 209 (1999)
  16. Varyukhin V N, Okunev V D, Samoilenko Z A Tech. Phys. Lett. 25 72 (1999)
  17. Kovalev A N, Manyakhin F I et al Semiconductors 33 192 (1999)
  18. Manyakhin F, Kovalev A, Yunovich A E MRS Internet j. nitride semicond. res. 3 (1998)

© Успехи физических наук, 1918–2021
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение