Выпуски

 / 

1995

 / 

март

←  →

Приборы и методы исследований


Ионная имплантация примесей в монокристаллы кремния: эффективность метода и радиационные нарушения

 а,  б
а Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация
б Белорусский государственный университет, физический факультет, Белоруссия, Минск, 220050, Беларусь

Проведен анализ ионной имплантации с точки зрения эффективности ее как метода легирования кремния донорными и акцепторными примесями, синтеза соединений на основе кремния, создания геттерирующих слоев, оптоэлектронных структур. Рассмотрены закономерности введения, накопления и отжига радиационных дефектов в имплантированном кремнии. Определены роль и место дефектов межузельного типа в общем процессе радиационного дефектообразования. Проанализированы механизмы атермической миграции атомов кремния в решетке кремния.

Текст pdf (353 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1995v038n03ABEH000079
PACS: 68.55.Ln, 78.50.Ge
DOI: 10.3367/UFNr.0165.199503g.0347
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1995/3/g/
A1995QU24300007
Цитата: Вавилов В С, Челядинский А Р "Ионная имплантация примесей в монокристаллы кремния: эффективность метода и радиационные нарушения" УФН 165 347–358 (1995)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Vavilov V S, Chelyadinskii A R “Impurity ion implantation into silicon single crystals: efficiency and radiation damage” Phys. Usp. 38 333–343 (1995); DOI: 10.1070/PU1995v038n03ABEH000079

Список литературы (78) Статьи, ссылающиеся на эту (22) Похожие статьи (20) ↓

  1. В.С. Вавилов «Возможности и ограничения ионной имплантации в алмаз и их сопоставление с другими методами введения электрически активных примесей» УФН 164 429–433 (1994)
  2. Г.В. Спивак, В.И. Петров, М.К. Антошин «Локальная катодолюминесценция и ее возможности для исследования зонной структуры твердых тел» УФН 148 689–717 (1986)
  3. Д.А. Золотов, В.Е. Асадчиков и др. «Новые подходы к трёхмерной реконструкции дислокаций в кремнии по данным рентгеновской топо-томографии» УФН 193 1001–1009 (2023)
  4. А.К. Кавеев, Г.И. Кропотов «Физические принципы фильтрации и устройство фильтров терагерцового излучения» УФН 196 182–204 (2026)
  5. В.С. Вавилов «Усиление токов высокой частоты кристаллическими германиевыми триодами» УФН 40 120–141 (1950)
  6. А.С. Пирожков, Е.Н. Рагозин «Апериодические многослойные структуры в оптике мягкого рентгеновского излучения» УФН 185 1203–1214 (2015)
  7. Т.С. Аргунова, В.Г. Кон «Исследование микропор в монокристаллах методом фазово-контрастного изображения на просвет в синхротронном излучении» УФН 189 643–658 (2019)
  8. И.Ю. Ерёмчев, Д.В. Прокопова и др. «Трёхмерная флуоресцентная наноскопия одиночных квантовых излучателей на основе оптики спиральных пучков света» УФН 192 663–673 (2022)
  9. В.С. Вавилов «Полупроводниковые триоды без точечных контактов» УФН 46 96–106 (1952)
  10. Р.З. Бахтизин, Т. Хашицуме и др. «Атомные структуры на поверхности GaAs(001), выращенной методами молекулярно-лучевой эпитаксии» УФН 167 1227–1241 (1997)
  11. В.П. Пономаренко «Теллурид кадмия-ртути и новое покoление приборов инфракрасной фотоэлектроники» УФН 173 649–665 (2003)
  12. А.С. Герасимов, Г.В. Киселев «Проблемы радиационной безопасности атомной энергетики России» УФН 173 739–746 (2003)
  13. Д.А. Долголенко, Ю.А. Муромкин «Разделение изотопов в плазме на основе ионного циклотронного резонанса» УФН 179 369–382 (2009)
  14. Р.А. Ганеев «Генерация высших гармоник излучения мощных лазеров в плазме, образованной при воздействии предымпульса на поверхность твердотельных мишеней» УФН 179 65–90 (2009)
  15. Н.В. Марченков, А.Г. Куликов и др. «Метод времяразрешающего рентгенодифракционного картирования обратного пространства в условиях воздействия электрического поля на кристалл» УФН 189 187–194 (2019)
  16. П.А. Мажаров, В.Г. Дудников, А.Б. Толстогузов «Электрогидродинамические источники ионных пучков» УФН 190 1293–1333 (2020)
  17. Ю.С. Нечаев, Е.А. Денисов и др. «Методика термодесорбционного изучения состояний водорода в углеродных материалах и наноматериалах» УФН 193 994–1000 (2023)
  18. В.В. Лидер «Рентгеновская рефракционная интроскопия» УФН 194 345–359 (2024)
  19. А.К. Кавеев, Г.И. Кропотов «Преобразователи поляризации терагерцового излучения: физические принципы, устройство и применение» УФН 195 311–333 (2025)
  20. В.В. Лидер «Метод накачки и рентгеновского зондирования» УФН 195 962–981 (2025)

Список формируется автоматически.

© Успехи физических наук, 1918–2026
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение