Выпуски

 / 

1997

 / 

Ноябрь

  

Приборы и методы исследований


Атомные структуры на поверхности GaAs(001), выращенной методами молекулярно-лучевой эпитаксии

 а,  б,  в,  в
а Башкирский государственный университет, Уфа, Российская Федерация
б Hitachi Advanced Research Laboratory, Hitachi Ltd., Hatoyama, Saitama, Japan
в Institute for Materials Research, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Sendai, 980-77, Japan

Разработана уникальная установка для исследования in situ с атомным разрешением поверхности твердотельных структур, выращенных методами молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ), объединяющая в пределах единой вакуумной системы сканирующий туннельный микроскоп (СТМ) на линии с камерой МЛЭ. Возможности экспериментальной техники продемонстрированы на примере изучения атомных структур на поверхности GaAs(001), выращенной с помощью МЛЭ, в широком диапазоне отношений концентраций [As]/[Ga]. Регулируя величину As покрытия на поверхности GaAs(001), удалось детально исследовать фазы 2×4-α, β, γ, и фазу c(4×4). СТМ-изображения высокого разрешения показали, что фазы 2×4-α, β и γ в основе имеют одну и ту же единичную структуру во внешнем поверхностном слое, который состоит из двух димеров As и пары As-димерных вакансий. На основе наблюдений картин СТМ и дифракции быстрых электронов на отражение (ДБЭО), а также результатов расчетов интенсивности дифракционных рефлексов в рамках динамической теории ДБЭО проведен анализ имеющихся структурных моделей фаз 2×4 и предложена новая структурная модель обогащенной As поверхности GaAs(001), которая согласуется с большинством опубликованных экспериментальных результатов.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
PACS: 61.14.Hg, 61.16.Di, 68.55.Bd
DOI: 10.3367/UFNr.0167.199711f.1227
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1997/11/f/
Цитата: Бахтизин Р З, Хашицуме Т, Щуе Ч-К, Сакурай Т "Атомные структуры на поверхности GaAs(001), выращенной методами молекулярно-лучевой эпитаксии" УФН 167 1227–1241 (1997)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Bakhtizin R Z, Hashizume T, Xue Q-K, Sakurai T “Atomic structures on a GaAs(001) surface grown by molecular beam epitaxyPhys. Usp. 40 1175–1187 (1997); DOI: 10.1070/PU1997v040n11ABEH000309

© Успехи физических наук, 1918–2019
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение