Ионная имплантация примесей в монокристаллы кремния: эффективность метода и радиационные нарушения

В.С. Вавилов^а, А.Р. Челядинский^б
^аФизический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация
^бБелорусский государственный университет, физический факультет, Белоруссия, Минск, 220050, Беларусь

Проведен анализ ионной имплантации с точки зрения эффективности ее как метода легирования кремния донорными и акцепторными примесями, синтеза соединений на основе кремния, создания геттерирующих слоев, оптоэлектронных структур. Рассмотрены закономерности введения, накопления и отжига радиационных дефектов в имплантированном кремнии. Определены роль и место дефектов межузельного типа в общем процессе радиационного дефектообразования. Проанализированы механизмы атермической миграции атомов кремния в решетке кремния.

Текст pdf (353 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1995v038n03ABEH000079

PACS: 68.55.Ln, 78.50.Ge
DOI: 10.3367/UFNr.0165.199503g.0347
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1995/3/g/
Web of Science

A1995QU24300007
Цитата: Вавилов В С, Челядинский А Р "Ионная имплантация примесей в монокристаллы кремния: эффективность метода и радиационные нарушения" УФН 165 347–358 (1995)

BibTexBibNote ® (generic)

BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Русский

English

TY JOUR
TI Ионная имплантация примесей в монокристаллы кремния: эффективность метода и радиационные нарушения
AU Вавилов, В. С.
AU Челядинский, А. Р.
PB Успехи физических наук
PY 1995
JO Успехи физических наук
JF Успехи физических наук
JA Усп. физ. наук
VL 165
IS 3
SP 347-358
UR https://ufn.ru/ru/articles/1995/3/g/
ER https://doi.org/10.3367/UFNr.0165.199503g.0347

English citation: Vavilov V S, Chelyadinskii A R “Impurity ion implantation into silicon single crystals: efficiency and radiation damage” Phys. Usp. 38 333–343 (1995); DOI: 10.1070/PU1995v038n03ABEH000079