Выпуски

 / 

1994

 / 

Апрель

  

Приборы и методы исследований


Возможности и ограничения ионной имплантации в алмаз и их сопоставление с другими методами введения электрически активных примесей


Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация

Алмаз — кристалл, характеризуемый чрезвычайно прочными межатомными связями. Для него характерны очень малые равновесные параметры растворимости примесей и их коэффициенты диффузии. В связи с этим ионная имплантация представляет собою естественную альтернативу метода легирования. Существующие экспериментальные данные показывают, что слой p-типа и p+-типа удается получать путем имплантации ионов бора. Имплантация ионов Li+ и C+ приводит к образованию слоев n-типа. Алмазные пленки, выращенные в присутствии фосфора и натрия, также могут обладать электронной проводимостью. Эффективность введения электрически активных центров существенно различается в зависимости от температуры алмаза во время имплантации и от режима последующего отжига.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
PACS: 61.72.Ww, 68.55.Ln (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0164.199404k.0429
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1994/4/k/
Цитата: Вавилов В С "Возможности и ограничения ионной имплантации в алмаз и их сопоставление с другими методами введения электрически активных примесей" УФН 164 429–433 (1994)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Vavilov V S “Possibilities and limitations of ion implantation in diamond, and comparison with other doping methodsPhys. Usp. 37 407–411 (1994); DOI: 10.1070/PU1994v037n04ABEH000023

© Успехи физических наук, 1918–2019
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение