RSS-ленты
РусскийEnglish
Выпуск 12, 2024
Том год страница
Выпуски Авторы PACS Подписчикам Для авторов

Выпуски

 / 

1995

 / 

Март

←  →

Приборы и методы исследований


Ионная имплантация примесей в монокристаллы кремния: эффективность метода и радиационные нарушения

 а,  б
а Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация
б Белорусский государственный университет, физический факультет, Белоруссия, Минск, 220050, Беларусь

Проведен анализ ионной имплантации с точки зрения эффективности ее как метода легирования кремния донорными и акцепторными примесями, синтеза соединений на основе кремния, создания геттерирующих слоев, оптоэлектронных структур. Рассмотрены закономерности введения, накопления и отжига радиационных дефектов в имплантированном кремнии. Определены роль и место дефектов межузельного типа в общем процессе радиационного дефектообразования. Проанализированы механизмы атермической миграции атомов кремния в решетке кремния.

Текст pdf (353 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1995v038n03ABEH000079
PACS: 68.55.Ln, 78.50.Ge
DOI: 10.3367/UFNr.0165.199503g.0347
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1995/3/g/
A1995QU24300007
Цитата: Вавилов В С, Челядинский А Р "Ионная имплантация примесей в монокристаллы кремния: эффективность метода и радиационные нарушения" УФН 165 347–358 (1995)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Vavilov V S, Chelyadinskii A R “Impurity ion implantation into silicon single crystals: efficiency and radiation damage” Phys. Usp. 38 333–343 (1995); DOI: 10.1070/PU1995v038n03ABEH000079

Список литературы (78) ↓ Статьи, ссылающиеся на эту (19) Похожие статьи (6)

  1. Броудай И, Мерей Дж Физические основы микротехнологии (М.: Мир, 1985) с. 494; Brodie I, Murray J Physics of Microfabrication (New York: Plenum, 1982)
  2. Вавилов В С УФН 145 329 (1985); Vavilov V S Sov. Phys. Usp. 28 196 (1985)
  3. Рейви К Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии (М.: Мир, 1984) с. 475; Ravi K V Impurities and Defects in Semiconducting Silicon (New York: Plenum, 1981)
  4. Мильвидский М Г, Освенский В Б Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников (М.: Металлургия, 1984) с. 240
  5. Вавилов В С, Киселев В Ф, Мукашев Б Н Дефекты в кремнии и на его поверхности (М.: Наука, 1990) с. 212
  6. Бор Н Прохождение атомных частиц сквозь вещество (М.: ИЛ, 1950) с. 150; Bohr N The Penetration of Atomic Particles through Matter (Copenhagen: Mat. Fys. Meddl., 1948)
  7. Кумахов М А, Комаров Ф Ф Энергетические потери и пробеги ионов в твердых телах (Минск: Изд-во БГУ, 1979) с. 319
  8. Буренков А Ф, Комаров Ф Ф, Кумахов М А, Темкин М М Таблицы параметров пространственного распределения ионно-имплантированных примесей (Минск: Изд-во БГУ, 1979) с. 352
  9. Blood P, Deurnaley G, Wilkins M Radial. Eff. 21 245 (1974)
  10. Michel J, Kimerling L et al. Mat. Sci. Forum 143-147 707 (1993)
  11. Biersack J P Ion beam modification of materials: Proc. Int. Conf. IBMM 92 Vol. 1 (Amsterdam: North-Holland, 1993) p. 12
  12. Гусев В М, Гусева М И и др. ФТТ 7 2077 (1965); Gusev V M, Guseva M I et al. Sov. Phys. Solid State 7 1673 (1966)
  13. Гусев В М, Гусева М И Природа (12) 25 (1979)
  14. James H, Lark-Norovitz K Z. Phys. Chem. 198 107 (1951)
  15. Двуреченский А В, Качурин Г А, Нидаев Е В, Смирнов Л С Импульсный отжиг полупроводниковых материалов (М.: Наука, 1982) с. 208
  16. Корбетт Дж, Бургуэн Ж Точечные дефекты в твердых телах (Ред. Б И Болтакс, Т В Машовец, А Н Орлова) (М.: Мир, 1979) с. 305
  17. Динс Дж, Виньярд Дж Радиационные эффекты в твердых телах (М.: ИЛ, 1960) с. 523
  18. Brinkman J J. Appl. Phys. 25 961 (1954)
  19. Seitz F, Koehler J Solid State Phys. 2 307 (1954)
  20. Вавилов В С, Кив А Е, Ниязова О Р Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках (М.: Наука, 1981) с. c. 368
  21. Клингер М И и др. УФН 147 523 (1985); Klinger M I et al. Sov. Phys. Usp. 28 994 (1985)
  22. Watkins G D Mat. Sci. Forum 143-147 5 (1993)
  23. Aleshchenko Yu A et al. Radial. Eff. Defects Solids 25 323 (1993)
  24. Павлов П В, Демидов Е С, Зорина Г Н ФТП 21 984 (1987); Pavlov P V, Demidov E S, Zorina G N Sov. Phys. Semicond. 21 603 (1987)
  25. Vinetskii V L, Kondrachuk A V Radial. Eff. 30 227 (1976)
  26. Watkins G D Lattice Defects in Semiconductors (Conf. Ser., 23, 1974) (London: Institute of Physics, 1975) p. 1
  27. Corbett J W, Watkins G D Phys. Rev. Lett. 7 314 (1961)
  28. Corbett J W, Watkins G D Phys. Rev. 138 555 (1965)
  29. Whan R E J. Appl. Phys. 37 3378 (1966)
  30. Barness C E IEEE Trans. Nucl. Sci. 16 28 (1969)
  31. Brower K L, Beezhold W J J. Appl. Phys. 43 3499 (1972)
  32. Stein H J, Vook F L, Brice D K et al. Radiat. Eff. 6 19 (1970)
  33. Баранова Е К, Гусев В М, Мартыненко Ю В и др. Радиационные дефекты в полупроводниках (Минск: Изд-во БГУ, 1972) с. 8
  34. Brower K L Proc. 5th Int. Conf. Ion Implant., Boulder, Colorado, 1976
  35. Cheng L J, Lori J Phys. Rev. 171 856 (1968)
  36. Speriosu V S, Glass H L, Kobayshi T Appl. Phys. Lett. 34 539 (1979)
  37. Kyutt R N, Petrashen P V, Sorokin M L Phys. Status Solidi A 60 381 (1980)
  38. Tkachev V D, Holzer G, Chelyadinskii A R Phys. Status Solidi A 85 K43 (1984)
  39. Baker J A, Tucker T N, Moyer N E, Bacchert R C J. Appl. Phys. 39 4365 (1968)
  40. Eer Nisse E P Appl. Phys. Lett. 18 581 (1971)
  41. Araika Rivera O J, Chelyadinskii A R, Dravin V A et al. Nucl. Inslrum. Methods B 73 503 (1993)
  42. Стельмах В Ф, Ткачев В Д, Челядинский А Р ФТП 12 2074 (1978); Stel'makh V F, Tkachev V D, Chelyadinskii A R Sov. Phys. Semicond. 12 1239 (1978)
  43. Grob A, Grob J J, Golanskii A Nucl. Inslrum. Methods B 19-20 55 (1987)
  44. Стельмах В Ф, Челядинский А Р Электронная техника. Материалы 7 77 (1980)
  45. Jung W, Newell G S Phys. Rev. 132 648 (1963)
  46. Ботвин В А, Горелкинский Ю В, Сигле В О и др. ФТП 6 1683 (1972); Botvin V A, Gorelkinskii Yu V, Sigle V O et al. Sov. Phys. Semicond. 6 1453 (1973)
  47. Berezhnov N I, Stelmakh V F, Chelyadinskii A R Phys. Status Solidi A 78 K121 (1983)
  48. Баранова Е К, Гусев В М, Стрельцов Л Н Радиационные дефекты в полупроводниках (Минск: Изд-во БГУ, 1972) с. 8
  49. Negrini P, Servidori M, Solmi S Philos. Mag. A 61 553 (1990)
  50. Смирнов И Н, Пономарев А И, Шемелев В Н ФТП 18 680 (1984); Smirnov I N, Ponomarev A I, Shemelev V N Sov. Phys. Semicond. 18 422 (1984)
  51. Жевно А Н, Сидорик В В, Ткачев В Д ДАН БССР 20 409 (1976)
  52. Стельмах В Ф, Ткачев В Д, Челядинский А Р ФТТ 20 2196 (1978); Stel'makh V F, Tkachev V D, Chelyadinskii A R Sov. Phys. Solid Stale 20 1267 (1978)
  53. Tan S J, Berry B S, Frank W J F Ion Implantation in Semiconductors and Other Matter (Ed. B L Crowder) (New York: Plenum, 1974) p. 19
  54. Seshan K, Washburn J Radiat. Eff. 26 31 (1975)
  55. Бережнов Н И, Стельмах В Ф, Челядинский А Р Изв. вузов. Физика (7) 76 (1984); Berezhnov N I, Stel'makh V F, Chelyadinskii A R Sov. Phys. J. 27 608 (1984)
  56. Jadan M, Berezhnov N I, Chelyadinskii A R in Abstr. X Int. Conf. Ion Implant. Technology, Catania, Italy, 1994
  57. Brower K L Phys. Rev. B 14 872 (1976)
  58. Бережнов Н И, Супрун-Белевич Ю Р, Челядинский А Р, Хаки Исмаиль Хаки Тахер Изв. вузов. Физика (4) 55 (1981)
  59. Eriksson L, Davies J A, Denhartog J Can. Nucl. Technol. 5 40 (1966)
  60. North J C, Gibbson W M Appl. Phys. Lett. 16 126 (1970)
  61. Hirvonen J K, Eisen F H Appl. Phys. Lett. 19 14 (1971)
  62. Двуреченский А В, Попов В П, Кашников Б П, Гриппентрог М Поверхность. Физика, хим., техн. 9 77 (1986)
  63. Гретцшель Р, Двуреченский А В, Попов В П ФТТ 28 3134 (1986); Grotzschel R, Dvurechenskii A V, Popov V P Sov. Phys. Solid Stale 28 1763 (1986)
  64. Хаки Исмаиль Хаки Тахер Автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук (Минск: БГУ, 1993)
  65. Gossick B R J. Appl. Phys. 30 1214 (1959)
  66. Matthews M D, Ashby S J Philos. Mag. 27 1313 (1973)
  67. Webber R F, Thorn R S, Large L N Int. J. Electron. 26 163 (1969)
  68. Стельмах В Ф., Супрун-Белевич Ю Р, Челядинский А Р Изв. вузов. Физика (9) 115 (1987)
  69. Antoniadis D A, Moskowitz I J. Appl. Phys. 53 6788 (1982)
  70. McKeighen R E, Koehler J C Phys. Rev. B 4 362 (1971)
  71. Gwozdz P S, Koehler J S Phys. Rev. B 6 4571 (1972)
  72. Bourgoin J C, Corbett J W Inst. Phys. Conf. Ser. 23 149 (1975)
  73. Weiser K Phys. Rev. 126 1427 (1962)
  74. Герасимов А Б., Церцвадзе А А ФТП 13 350 (1979); Gerasimov A B, Tsertsvadze A A Sov. Phys. Semicond. 13 203 (1979)
  75. Бережнов Н И, Супрун-Белевич Ю Р, Челядинский А Р Тез. докл. Всесоюз. конф. по физике полупроводников Ч. 1 (Киев, 1990) с. 274
  76. Berezhnov N I, Chelyadinskii A R, Jadan M, Suprun-Belevich Yu R Nucl. Instrum. Methods B 73 357 (1993)
  77. Ахметов В Д, Болотов В В, Камаев Г Н, Смирнов Л С ФТП 24 72 (1990); Akhmetov V D, Bolotov V V, Kamaev G N, Smirnov L S Sov. Phys. Semicond. 24 44 (1990)
  78. Watkins G D Radiation Effects in Semiconductors (New York: Plenum Press, 1968) p. 67
© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение