Ионная имплантация примесей в монокристаллы кремния: эффективность метода и радиационные нарушения

В.С. Вавилов^а, А.Р. Челядинский^б
^аФизический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация
^бБелорусский государственный университет, физический факультет, Белоруссия, Минск, 220050, Беларусь

Проведен анализ ионной имплантации с точки зрения эффективности ее как метода легирования кремния донорными и акцепторными примесями, синтеза соединений на основе кремния, создания геттерирующих слоев, оптоэлектронных структур. Рассмотрены закономерности введения, накопления и отжига радиационных дефектов в имплантированном кремнии. Определены роль и место дефектов межузельного типа в общем процессе радиационного дефектообразования. Проанализированы механизмы атермической миграции атомов кремния в решетке кремния.

Текст pdf (353 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1995v038n03ABEH000079

PACS: 68.55.Ln, 78.50.Ge
DOI: 10.3367/UFNr.0165.199503g.0347
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1995/3/g/
Web of Science

A1995QU24300007
Цитата: Вавилов В С, Челядинский А Р "Ионная имплантация примесей в монокристаллы кремния: эффективность метода и радиационные нарушения" УФН 165 347–358 (1995)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Vavilov V S, Chelyadinskii A R “Impurity ion implantation into silicon single crystals: efficiency and radiation damage” Phys. Usp. 38 333–343 (1995); DOI: 10.1070/PU1995v038n03ABEH000079

Список литературы (78) Статьи, ссылающиеся на эту (19) ↓ Похожие статьи (6)

Nastulyavichus A A, Kudryashov S I et al Optical Materials 155 115817 (2024)
Kudryashov S, Nastulyavichus A et al Technologies 12 224 (2024)
Gavrushko V V, Ionov A S et al Tech. Phys. 69 1181 (2024)
Kudryashov S, Nastulyavichus A et al Optics & Laser Technology 158 108873 (2023)
Afanasev A V, Ilyin V A, Luchinin V V Semiconductors 56 472 (2022)
Kudryashov S, Nastulyavichus A et al ACS Appl. Electron. Mater. 3 769 (2021)
Igo A V Opt. Spectrosc. 128 1125 (2020)
Asadchikov V E, D’yachkova I G et al Tech. Phys. 64 680 (2019)
Kalmykov Sh A J. Synch. Investig. 11 371 (2017)
Ionin A A, Kudryashov S I et al Jetp Lett. 100 55 (2014)
Shchennikov V V, Shchennikov V V et al Acta Phys. Pol. A 124 244 (2013)
Logan D F, Knights A P et al Semicond. Sci. Technol. 26 045009 (2011)
Tkachenko A V, Ananina O Y, Yanovsky A S Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 74 157 (2010)
Poklonski N A, Gorbachuk N I et al Microelectronics Reliability 50 813 (2010)
Poklonski N A, Gorbachuk N I et al Physica B: Condensed Matter 404 4667 (2009)
Arzikulov E U, Ruzimuradov Zh T J. Commun. Technol. Electron. 52 1049 (2007)
Chelyadinskii A R, Komarov F F Uspekhi Fizicheskikh Nauk 173 813 (2003)
Makoviichuk M I Russ Microelectron 29 219 (2000)
Huber H, Assmann W et al Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms 146 309 (1998)