Выпуски

 / 

1995

 / 

Март

  

Приборы и методы исследований


Ионная имплантация примесей в монокристаллы кремния: эффективность метода и радиационные нарушения

 а,  б
а Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация
б Белорусский государственный университет, физический факультет, Белоруссия, Минск, 220050, Беларусь

Проведен анализ ионной имплантации с точки зрения эффективности ее как метода легирования кремния донорными и акцепторными примесями, синтеза соединений на основе кремния, создания геттерирующих слоев, оптоэлектронных структур. Рассмотрены закономерности введения, накопления и отжига радиационных дефектов в имплантированном кремнии. Определены роль и место дефектов межузельного типа в общем процессе радиационного дефектообразования. Проанализированы механизмы атермической миграции атомов кремния в решетке кремния.

Текст pdf (353 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1995v038n03ABEH000079
PACS: 68.55.Ln, 78.50.Ge
DOI: 10.3367/UFNr.0165.199503g.0347
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1995/3/g/
A1995QU24300007
Цитата: Вавилов В С, Челядинский А Р "Ионная имплантация примесей в монокристаллы кремния: эффективность метода и радиационные нарушения" УФН 165 347–358 (1995)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Vavilov V S, Chelyadinskii A R “Impurity ion implantation into silicon single crystals: efficiency and radiation damagePhys. Usp. 38 333–343 (1995); DOI: 10.1070/PU1995v038n03ABEH000079

Список литературы (78) Статьи, ссылающиеся на эту (16) ↓ Похожие статьи (6)

  1. Kudryashov S, Nastulyavichus A et al Optics & Laser Technology 158 108873 (2023)
  2. Afanasev A V, Ilyin V A, Luchinin V V Semiconductors 56 472 (2022)
  3. Kudryashov S, Nastulyavichus A et al ACS Appl. Electron. Mater. 3 769 (2021)
  4. Igo A V Opt. Spectrosc. 128 1125 (2020)
  5. Asadchikov V E, D’yachkova I G et al Tech. Phys. 64 680 (2019)
  6. Kalmykov Sh A J. Synch. Investig. 11 371 (2017)
  7. Ionin A A, Kudryashov S I et al Jetp Lett. 100 55 (2014)
  8. Shchennikov V V, Shchennikov V V et al Acta Phys. Pol. A 124 244 (2013)
  9. Logan D F, Knights A P et al Semicond. Sci. Technol. 26 045009 (2011)
  10. Tkachenko A V, Ananina O Y, Yanovsky A S Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 74 157 (2010)
  11. Poklonski N A, Gorbachuk N I et al Microelectronics Reliability 50 813 (2010)
  12. Poklonski N A, Gorbachuk N I et al Physica B: Condensed Matter 404 4667 (2009)
  13. Arzikulov E U, Ruzimuradov Zh T J. Commun. Technol. Electron. 52 1049 (2007)
  14. Chelyadinskii A R, Komarov F F Uspekhi Fizicheskikh Nauk 173 813 (2003)
  15. Makoviichuk M I Russ Microelectron 29 219 (2000)
  16. Huber H, Assmann W et al Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms 146 309 (1998)

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение